等离子处理方法与流程

本发明涉及等离子处理技术，例如涉及有效应用于在掩模图案的侧壁形成了保护膜之后对被蚀刻膜进行蚀刻的技术的技术。

背景技术：

1、在日本特开2009-200080号公报(专利文献1)中记载了如下的蚀刻技术：通过使用包含含氧的气体和含硫且不含氧的气体的混合气体进行蚀刻，从而保护侧壁，得到所期望尺寸和所期望形状。

2、在日本特开2018-56345号公报(专利文献2)中记载了如下技术：作为针对在被处理基板形成的包含氧化硅膜的膜进行干蚀刻时的蚀刻掩模，使用具有硼系膜的硬掩模。

3、在先技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2009-200080号公报

6、专利文献1：日本特开2018-56345号公报

技术实现思路

1、-发明要解决的课题-

2、近年来，半导体设备的微细化不断发展起来，结果，不断要求加工技术的高密度化。在这样的状况下，在以极度紫外线曝光技术(euv技术)为代表的第二代光刻技术中，伴随着掩模图案的微细化，构成掩模图案的抗蚀剂膜的薄膜不断发展。其结果，在掩模图案与被蚀刻膜之间的蚀刻选择比的降低、光刻技术的限制而导致的孔图案等的孔径缩小化而限制显著化。

3、针对上述课题，提出了如下技术：在掩模图案形成保护膜，将掩模图案和保护膜作为掩模来对被蚀刻膜进行蚀刻。根据该技术，在掩模图案形成了保护膜的结果，获得了能够以比掩模图案的尺寸精度更微细的加工精度来加工被蚀刻膜的优点。

4、然而，在掩模图案形成保护膜的技术中，保护膜作为蚀刻掩模的一部分发挥功能。因此，例如，在利用等离子蚀刻技术对被蚀刻膜进行加工的情况下，针对构成蚀刻掩模的一部分的保护膜，要求对等离子的耐性。但是，在用于保护膜的材料对等离子的耐性不充分的情况下，导致对被蚀刻膜的加工尺寸的控制性降低。因此，从提高对被蚀刻膜的加工尺寸的控制性的观点来看，针对在掩模图案形成的保护膜，要求提高对等离子的耐性。本发明提供了一种通过将对等离子的耐性高的含有硼的保护膜形成于掩模图案的侧壁，来提高对被蚀刻膜的加工尺寸的控制性的技术。

5、-用于解决课题的手段-

6、一实施方式中的等离子处理方法是使用掩模对被蚀刻膜进行等离子蚀刻的等离子处理方法，其特征在于，具有：沉积工序，对载置有成膜了所述被蚀刻膜的试料的试料台提供高频电力，并且使含有硼元素的沉积膜沉积到所述掩模；以及蚀刻工序，在所述沉积工序之后，使用等离子对所述被蚀刻膜进行蚀刻。

7、-发明的效果-

8、根据一实施方式中的等离子处理方法，能够提高加工尺寸精度。

技术特征：

1.一种等离子处理方法，使用掩模对被蚀刻膜进行等离子蚀刻，所述等离子处理方法具有：

2.根据权利要求1所述的等离子处理方法，其中，

3.根据权利要求1所述的等离子处理方法，其中，

4.根据权利要求1所述的等离子处理方法，其中，

5.根据权利要求2所述的等离子处理方法，其中，

6.根据权利要求1所述的等离子处理方法，其中，

7.根据权利要求1至6的任一项所述的等离子处理方法，其中，

技术总结
本发明是一种使用掩模对被蚀刻膜进行等离子蚀刻的等离子处理方法，其特征在于，具有：沉积工序，对载置有成膜了所述被蚀刻膜的试料的试料台提供高频电力，并且使含有硼元素的沉积膜沉积到所述掩模；以及蚀刻工序，在所述沉积工序之后，使用等离子对所述被蚀刻膜进行蚀刻。

技术研发人员：谷山雅章,桑原谦一,宇根聪
受保护的技术使用者：株式会社日立高新技术
技术研发日：
技术公布日：2024/10/14