显示面板及显示终端的制作方法

本申请涉及显示，尤其涉及显示面板及显示终端。

背景技术：

1、显示面板包括显示区和非显示区，显示区和非显示区分别设置有薄膜晶体管。由于显示区和非显示区的功能需求不同，薄膜晶体管也需要满足不同的性能。显示区的薄膜晶体管需要具有高稳定性，非显示区的薄膜晶体管需要具有高迁移率。而高迁移率需要薄膜晶体管的有源层具有较大的宽长比，这会增加薄膜晶体管的占用面积，不利于实现显示面板的窄边框。

2、如何兼顾非显示区的高迁移率和窄边框是本领域的技术人员亟需解决的技术问题之一。

技术实现思路

1、本申请提供显示面板及显示终端，以解决如何兼顾非显示区的高迁移率和窄边框的技术问题。

2、为解决上述技术问题，本申请提供的技术方案如下：

3、本申请提供一种显示面板，所述显示面板包括显示区和设置于所述显示区至少一侧的非显示区，所述显示面板包括：

4、基板；

5、第一晶体管，设置于所述基板的一侧，所述第一晶体管位于所述非显示区，所述第一晶体管包括第一有源部、第一源极、第一漏极和第一栅极，所述第一栅极设置于所述第一有源部背离所述基板的一侧；

6、第二晶体管，与所述第一晶体管设置于所述基板的同一侧，所述第二晶体管位于所述显示区，所述第二晶体管包括第二有源部；

7、其中，所述第一晶体管的迁移率大于所述第二晶体管的迁移率，所述第一有源部包括与所述基板的承载面呈锐角夹角的第一倾斜部，所述第一倾斜部的一端与所述第一源极电连接，另一端与所述第一漏极电连接，所述第一栅极在所述第一倾斜部上的正投影与所述第一倾斜部重叠。

8、在本申请的显示面板中，所述第一漏极设置于所述第一源极背离所述基板的一侧，所述第一有源部覆盖所述第一漏极的侧壁及所述第一源极背离所述基板的一侧的部分表面。

9、在本申请的显示面板中，所述非显示区设有第一通孔，所述第一通孔贯穿所述第一漏极并暴露出所述第一源极，所述第一倾斜部覆盖所述第一通孔的侧壁。

10、在本申请的显示面板中，所述第二晶体管包括第二源极和第二漏极，所述第二源极与所述第一源极同层设置，所述第二漏极与所述第一漏极同层设置；所述显示区设有第二通孔，所述第二通孔贯穿所述第二漏极并暴露出所述第二源极，所述第二有源部包括与所述基板的承载面呈锐角夹角的第二倾斜部，所述第二倾斜部的一端与所述第二源极电连接，另一端与所述第二漏极电连接；所述第二倾斜部覆盖所述第二通孔的侧壁。

11、在本申请的显示面板中，所述第二晶体管包括第二栅极，所述第二栅极设置于所述第二有源部背离所述基板的一侧，所述第二栅极在所述第二倾斜部上的正投影与所述第二倾斜部重叠；所述第一栅极与所述第一有源部之间的栅绝缘层的厚度小于所述第二栅极与所述第二有源部之间的栅绝缘层的厚度。

12、在本申请的显示面板中，所述第一栅极与所述第一有源部之间的栅绝缘层的层数小于所述第二栅极与所述第二有源部之间的栅绝缘层的层数，所述第二栅极与所述第二有源部之间设置有层叠的第一绝缘部和第二绝缘部，所述第一栅极与所述第一有源部之间设置有第三绝缘部。

13、在本申请的显示面板中，所述第一倾斜部的斜坡的长度为1000埃至15000埃。

14、在本申请的显示面板中，所述第一有源部中的铟的原子百分比含量大于所述第二有源部中的铟的原子百分比含量；所述第二有源部中镓的原子百分比含量大于所述第一有源部中镓的原子百分比含量。

15、在本申请的显示面板中，所述非显示区包括设置于所述显示区相对两侧的边框区，所述边框区的宽度小于或等于2毫米。

16、本申请还提供一种显示终端，所述显示终端包括上述的显示面板。

17、有益效果：本申请公开了显示面板及显示终端。所述显示面板包括显示区和设置于所述显示区至少一侧的非显示区，所述显示面板包括基板、第一晶体管和第二晶体管；第一晶体管设置于所述基板的一侧，所述第一晶体管位于所述非显示区，所述第一晶体管包括第一有源部、第一源极、第一漏极和第一栅极，所述第一栅极设置于所述第一有源部背离所述基板的一侧；第二晶体管与所述第一晶体管设置于所述基板的同一侧，所述第二晶体管位于所述显示区，所述第二晶体管包括第二有源部；其中，所述第一晶体管的迁移率大于所述第二晶体管的迁移率，所述第一有源部包括与所述基板的承载面呈锐角夹角的第一倾斜部，所述第一倾斜部的一端与所述第一源极电连接，另一端与所述第一漏极电连接，所述第一栅极在所述第一倾斜部上的正投影与所述第一倾斜部重叠。本申请通过将非显示区的第一晶体管的迁移率设置为大于显示区的第二晶体管的迁移率，从而实现非显示区的高迁移率，且第一有源部与基板的承载面呈锐角夹角，从而使第一有源部的沟道的长度减小，提升第一晶体管的沟道的宽长比，降低第一晶体管的占用面积，实现窄边框。

技术特征：

1.一种显示面板，其特征在于，包括显示区和设置于所述显示区至少一侧的非显示区，所述显示面板包括：

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一漏极设置于所述第一源极背离所述基板的一侧，所述第一有源部覆盖所述第一漏极的侧壁及所述第一源极背离所述基板的一侧的部分表面。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述非显示区设有第一通孔，所述第一通孔贯穿所述第一漏极并暴露出所述第一源极，所述第一倾斜部覆盖所述第一通孔的侧壁。

4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第二晶体管包括第二源极和第二漏极，所述第二源极与所述第一源极同层设置，所述第二漏极与所述第一漏极同层设置；

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第二晶体管包括第二栅极，所述第二栅极设置于所述第二有源部背离所述基板的一侧，所述第二栅极在所述第二倾斜部上的正投影与所述第二倾斜部重叠；

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一栅极与所述第一有源部之间的栅绝缘层的层数小于所述第二栅极与所述第二有源部之间的栅绝缘层的层数，

7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一倾斜部的斜坡的长度为1000埃至15000埃。

8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一有源部中的铟的原子百分比含量大于所述第二有源部中的铟的原子百分比含量；所述第二有源部中镓的原子百分比含量大于所述第一有源部中镓的原子百分比含量。

9.根据权利要求1至8任一项所述的显示面板，其特征在于，所述非显示区包括设置于所述显示区相对两侧的边框区，所述边框区的宽度小于或等于2毫米。

10.一种显示终端，其特征在于，所述显示终端包括如权利要求1至9任一项所述的显示面板。

技术总结
本申请公开了显示面板及显示终端。显示面板包括非显示区的第一晶体管和显示区的第二晶体管；第一晶体管包括第一有源部、第一源极、第一漏极和第一栅极；第二晶体管包括第二有源部；第一晶体管的迁移率大于第二晶体管的迁移率，第一有源部包括与基板的承载面呈锐角夹角的第一倾斜部，第一倾斜部的一端与第一源极电连接，另一端与第一漏极电连接，第一栅极在第一倾斜部上的正投影与第一倾斜部重叠。本申请通过将第一晶体管的迁移率设置为大于第二晶体管的迁移率，从而实现非显示区的高迁移率；且第一有源部与基板的承载面呈锐角夹角，从而使第一有源部的沟道的长度减小，降低第一晶体管的占用面积，实现窄边框。

技术研发人员：胡凯
受保护的技术使用者：TCL华星光电技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/8/20