一种毫米波隔离传输封装结构制造方法与流程

本发明涉及芯片封装，特别涉及一种毫米波隔离传输封装结构制造方法。

背景技术：

1、毫米波传输需要收发芯片+收发天线作为整体方案来实现，传统的毫米波隔离传输封装结构普遍比较大且厚，如果把薄而小的qfn/dfn封装工艺应用到毫米波隔离传输封装结构，则需要将用于支撑的底部载体焊盘隐藏甚至去除，否则外露的底部载体焊盘会让封装结构达不到隔离要求，目前行业内有mis工艺和hfbp工艺两种工艺解决这个问题，mis工艺是通过类似于基板rdl工艺与emc工艺结合来生成载体的，hfbp工艺则是使用传统的qfn/dfn工艺，最后蚀刻掉少部分底部载体焊盘并用油墨覆盖；mis工艺和hfbp工艺两种工艺对于隔离封装产品而言都存在一定的弊端，mis工艺中金属层以及层间连接几乎都是通过电镀实现，金属厚度以及连接强度是无法与传统框架相比的；hfbp工艺虽然在一体性上保证了和qfn工艺一致，但芯片位置的支撑金属还是存在的，相对应的耐压等级会受到底面油膜厚度的影响，无法达到隔离封装产品的耐压强度；另外，在毫米波隔离传输的应用中，天线位置不允许金属存在，hfbp工艺无法采用，mis工艺中基板强度和载流会弱一些。因此，需要一种不依赖于框架支撑且能满足相应耐压和应力强度的框架封装方法来填补技术空缺。

技术实现思路

1、本发明解决的技术问题为：提供一种毫米波隔离传输封装结构制造方法，使用该制造方法制造出的毫米波隔离传输封装结构可以兼顾载体强度与耐压隔离等级。

2、为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：一种毫米波隔离传输封装结构制造方法，包括如下步骤，

3、减材处理：对金属框架进行减材处理，获得减材框架，所述减材框架包括第一基岛和第二基岛，所述第一基岛与第二基岛之间具有间隙，其中，第一基岛的底部形成有第一减材区，第二基岛的底部形成有第二减材区；

4、第一次注塑：对减材框架进行第一次注塑，获得预制型框架，所述预制型框架中的第一塑封体分别连接所述第一基岛与第二基岛并填充所述第一减材区、第二减材区及所述间隙；

5、第二次注塑：对预制型框架进行第二次注塑，获得塑封结构，所述塑封结构中的第二塑封体分别连接所述第一基岛的顶面、第二基岛的顶面及第一塑封体；

6、器件安装：包括天线设置和芯片安装，天线设置包括设置第一天线和第二天线，芯片安装包括在第一基岛上安装与第一天线电性连接的第一芯片，在第二基岛上安装与第二天线电性连接的第二芯片；在塑封结构中，第一塑封体覆盖所述第一天线的辐射区域的底面以及第二天线的辐射区域的底面，第二塑封体覆盖所述第一天线的辐射区域的顶面和第二天线的辐射区域的顶面。

7、本发明的有益效果在于：采用本制造方法制造的毫米波隔离传输封装结构结构新颖，第一次注塑处理得到的预制型框架中，第一塑封体的存在有效提高框架减材区域的强度，从而解决了毫米波隔离传输封装结构应用中减材区域芯片粘接以及打线稳定性等问题；塑封结构提高了框架设计生产的自由度，除了管脚区域都可以进行减材，爬电距离具备了有力支撑，利于保证耐压隔离等级；塑封结构提高了基岛的自由度，对天线工作更友好，可以保证天线的辐射区域没有金属，利于提高信号传输质量。本制造方法在具体实施时，工步可以灵活调整，从而制造出具体构造有所不同的多款毫米波隔离传输封装结构。

技术特征：

1.一种毫米波隔离传输封装结构制造方法，其特征在于，包括如下步骤，

2.根据权利要求1所述的毫米波隔离传输封装结构制造方法，其特征在于，所述器件安装步骤实施于第一次注塑步骤之后且实施于第二次注塑步骤之前，减材处理时，所述第一基岛的顶面形成有连通第一减材区的第一豁口，所述第二基岛的顶面形成有连通第二减材区的第二豁口；天线设置步骤具体包括在第一基岛上安装第一天线，在第二基岛上安装第二天线，其中，第一天线的辐射区域对应于第一豁口设置，第二天线的辐射区域对应于第二豁口设置。

3.根据权利要求1所述的毫米波隔离传输封装结构制造方法，其特征在于，所述器件安装步骤实施于第一次注塑步骤之后且实施于第二次注塑步骤之前，天线设置步骤具体包括在第一塑封体上安装第一天线，在第二塑封体上安装第二天线。

4.根据权利要求1所述的毫米波隔离传输封装结构制造方法，其特征在于，器件安装步骤实施于减材处理步骤之后且实施于第一次注塑成型步骤之前，芯片安装步骤具体包括，将第一芯片安装在第一减材区内，将第二芯片安装在第二减材区内，天线设置步骤具体包括，在注塑模具中固定第一天线的位置和第二天线的位置，以使预制型框架中，第一天线及第二天线嵌入第一塑封体中，且第一天线和第二天线均位于所述间隙处。

5.根据权利要求1所述的毫米波隔离传输封装结构制造方法，其特征在于，天线设置步骤实施于减材处理步骤之后且实施于第一次注塑步骤之前，芯片安装步骤实施于第一次注塑成型步骤之后且实施于第二次注塑步骤之前，天线设置步骤具体包括在注塑模具中固定第一天线的位置和第二天线的位置，预制型框架中，第一天线和第二天线均位于所述间隙处。

6.根据权利要求1所述的毫米波隔离传输封装结构制造方法，其特征在于，所述天线设置步骤与所述减材处理步骤同步设置，第一天线由所述第一基岛的部分区域减材成型，所述第二天线由所述第二基岛的部分区域减材成型。

7.根据权利要求6所述的毫米波隔离传输封装结构制造方法，其特征在于，芯片安装步骤实施于第一次注塑步骤之后且实施于第二次注塑步骤之前，塑封结构中，第一芯片位于所述第一基岛的顶面，第二芯片位于所述第二基岛的顶面。

8.根据权利要求6所述的毫米波隔离传输封装结构制造方法，其特征在于，芯片安装步骤实施于减材处理步骤之后且实施于第一次注塑步骤之前，预制型框架中，第一芯片位于所述第一减材区内，第二芯片位于第二减材区内。

9.根据权利要求1所述的毫米波隔离传输封装结构制造方法，其特征在于，在第一次注塑步骤之前还包括步骤，安装阻挡层，阻挡层覆盖金属框架的顶面。

10.根据权利要求1所述的毫米波隔离传输封装结构制造方法，其特征在于，塑封结构中第一天线与第二天线相互靠近。

技术总结
本发明公开了一种毫米波隔离传输封装结构制造方法，包括如下步骤，减材处理：获得减材框架，减材框架包括第一基岛和第二基岛，第一基岛与第二基岛之间具有间隙，第一基岛有第一减材区，第二基岛有第二减材区；第一次注塑：对减材框架进行第一次注塑，第一塑封体分别连接第一基岛与第二基岛并填充第一减材区、第二减材区及间隙；第二次注塑：获得塑封结构，塑封结构中的第二塑封体分别连接第一基岛的顶面、第二基岛的顶面及第一塑封体；器件安装：包括天线设置和芯片安装。使用本制造方法制造出的封装结构可以兼顾载体强度与耐压隔离等级。

技术研发人员：李成,张亚运,冯毅
受保护的技术使用者：德氪微电子（深圳）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/11/4