一种AuSn背金的LED芯片及其制备方法、照明设备与流程

本申请涉及半导体，尤其涉及一种ausn背金的led芯片及其制备方法、照明设备。

背景技术：

1、目前行业内大功率照明产品有ausn背金和sn膏共金焊的需求，行业内常用的切割方式为刀片切割和激光切割。

2、基于ausn背金和sn膏共金的工艺要求，ausn背金需要至少3um的厚度，这种厚度的ausn背金采用刀片切割的方式进行切割时，容易产生崩边，发生掉ausn背金等问题，且刀片切割3um厚的ausn背金，寿命比常规的要短；采用激光切割的方式可以有效解决切割崩边的问题，但是由于激光焊，切割后的ausn背金的边缘会产生残渣，影响下游工序的sn膏共金。

3、那么，如何优化ausn背金的切割工艺，以提高led芯片中ausn背金和sn膏的共金效果，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。

技术实现思路

1、鉴于上述问题，本申请提供了一种ausn背金的led芯片及其制备方法、照明设备，在激光切割ausn背金后，再蒸镀金属层，以覆盖切割后的ausn背金边缘的残渣，提高led芯片中ausn背金和sn膏的共金效果。具体方案如下：

2、本申请第一方面提供一种ausn背金的led芯片的制备方法，所述ausn背金的led芯片的制备方法包括：

3、制备led芯片的外延片结构；

4、在所述外延片结构中目标衬底的一侧制备ausn背金；

5、对所述ausn背金进行激光切割处理，形成切割道；

6、蒸镀金属层，所述金属层至少覆盖所述ausn背金相邻所述切割道的边缘区域。

7、优选的，在上述ausn背金的led芯片的制备方法中，所述ausn背金的led芯片的制备方法还包括：

8、去除所述切割道内的部分所述金属层。

9、优选的，在上述ausn背金的led芯片的制备方法中，所述ausn背金的led芯片的制备方法还包括：

10、基于所述切割道进行裂片处理，形成多个独立的led芯片。

11、优选的，在上述ausn背金的led芯片的制备方法中，所述金属层的材料为au材料、tiau材料或ptau材料。

12、优选的，在上述ausn背金的led芯片的制备方法中，所述金属层的层数为至少一层；

13、当所述金属层的层数大于或等于两层时，至少两层所述金属层的材料不同。

14、优选的，在上述ausn背金的led芯片的制备方法中，所述金属层完全覆盖所述ausn背金背离所述目标衬底一侧的表面。

15、优选的，在上述ausn背金的led芯片的制备方法中，所述外延片结构包括：

16、位于所述目标衬底背离所述ausn背金一侧，且依次层叠设置的p型限制层、mqw层以及n型限制层；

17、位于所述目标衬底和所述p型限制层之间的金属镜面层。

18、优选的，在上述ausn背金的led芯片的制备方法中，所述n型限制层背离所述目标衬底一侧的部分表面为粗化面。

19、本申请第二方面提供一种ausn背金的led芯片，所述ausn背金的led芯片是通过上述任一项所述的ausn背金的led芯片的制备方法所获得的。

20、本申请第三方面提供一种照明设备，所述照明设备包括上述所述的ausn背金的led芯片。

21、借由上述技术方案，本申请提供了一种ausn背金的led芯片及其制备方法、照明设备。在激光切割ausn背金后，再蒸镀金属层，通过该金属层覆盖切割后的ausn背金边缘的残渣，以提高ausn背金表面的平整度，进而提高led芯片中ausn背金和sn膏的共金效果。

技术特征：

1.一种ausn背金的led芯片的制备方法，其特征在于，所述ausn背金的led芯片的制备方法包括：

2.根据权利要求1所述的ausn背金的led芯片的制备方法，其特征在于，所述ausn背金的led芯片的制备方法还包括：

3.根据权利要求2所述的ausn背金的led芯片的制备方法，其特征在于，所述ausn背金的led芯片的制备方法还包括：

4.根据权利要求1-3任一项所述的ausn背金的led芯片的制备方法，其特征在于，所述金属层的材料为au材料、tiau材料或ptau材料。

5.根据权利要求4所述的ausn背金的led芯片的制备方法，其特征在于，所述金属层的层数为至少一层；

6.根据权利要求1所述的ausn背金的led芯片的制备方法，其特征在于，所述金属层完全覆盖所述ausn背金背离所述目标衬底一侧的表面。

7.根据权利要求1所述的ausn背金的led芯片的制备方法，其特征在于，所述外延片结构包括：

8.根据权利要求7所述的ausn背金的led芯片的制备方法，其特征在于，所述n型限制层背离所述目标衬底一侧的部分表面为粗化面。

9.一种ausn背金的led芯片，其特征在于，所述ausn背金的led芯片是通过权利要求1-8任一项所述的ausn背金的led芯片的制备方法所获得的。

10.一种照明设备，其特征在于，所述照明设备包括权利要求9所述的ausn背金的led芯片。

技术总结
本发明提供了一种AuSn背金的LED芯片及其制备方法、照明设备，涉及半导体技术领域。在激光切割AuSn背金后，再蒸镀金属层，通过该金属层覆盖切割后的AuSn背金边缘的残渣，以提高AuSn背金表面的平整度，进而提高LED芯片中AuSn背金和Sn膏的共金效果。

技术研发人员：赵鹏,马英杰,班国训,李皇,何剑,徐晓刚
受保护的技术使用者：扬州乾照光电有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/10/10