等离子体处理装置及其控制方法与流程

本发明涉及例如干蚀刻装置等的等离子体处理装置及其控制方法。

背景技术：

1、在蚀刻装置等真空处理装置之中，已知有电容耦合型等离子体方式的真空处理装置。例如，在专利文献1中公开了通过向支承处理基板的下部电极施加第一高频电压、向具有气体导入机构的上部电极施加第二高频电压，从而生成电容耦合等离子体，进行等离子体处理的装置。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2013-225672号公报。

5、发明要解决的问题

6、在这种双频率ccp方式的等离子体处理装置中，存在通过第二高频电压在上部电极侧生成的等离子体的形成区域难以扩大至处理基板的表面附近，对处理速度的贡献率低的问题。

技术实现思路

1、鉴于以上这样的情况，本发明的目的在于，提供一种能够扩大在上部电极侧生成的等离子体的形成区域而提高处理速度的等离子体处理装置及其控制方法。

2、用于解决问题的方案

3、本发明的一个方式的等离子体处理装置具有真空腔室、支承基板用的工作台、对置电极、谐振电路。

4、所述工作台配置在所述真空腔室的内部，与供给第一频率的高频电力的第一高频电源电路连接。

5、所述对置电极与所述工作台相对配置，与供给第二频率的高频电力的第二高频电源电路连接。

6、所述谐振电路使来自所述对置电极的所述第二频率的高频电流通过。

7、在上述等离子体处理装置中，由于在上述电极供给线与接地电位之间具有使来自对置电极的第二频率的高频电流通过的谐振电路，因此从对置电极流向工作台的等离子体电流的阻抗降低。由此，在对置电极侧生成的等离子体的形成区域扩大，能够提高处理速度。

8、所述谐振电路也可以被调节成使所述工作台上的基板表面至所述接地电位之间的谐振频率为所述第二频率。

9、所述谐振电路例如为包括线圈和电容器的lc串联谐振电路。

10、所述第一高频电源电路也可以具有：阻抗匹配电路，其与第一高频电源连接；滤波电路，其将施加在所述供电线的所述第二频率的高频电力的输入阻断；以及电压测定部，其连接在所述阻抗匹配电路与所述滤波电路之间，测定从所述阻抗匹配电路向所述工作台输出的高频电压。在该情况下，所述谐振电路与在所述工作台和所述滤波电路之间的所述供电线连接。

11、所述电容器也可以是能够调节电容值的可变电容器。在该情况下，所述等离子体处理装置还具有控制单元，其以使所述电压测定部所测定的电压值为最小的方式控制所述电容器的电容值。

12、所述等离子体处理装置也可以进一步具有接地屏蔽件，其设置在所述对置电极的周面与所述真空腔室的内壁面之间。

13、所述第二频率也可以是高于所述第一频率的频率。

14、所述等离子体处理装置也可以进一步具有气体供给管线，其向所述真空腔室供给蚀刻气体或成膜用气体。

15、本发明的一个方式的所述等离子体处理装置的控制方法中，所述谐振电路是包括线圈和可变电容器的lc串联谐振电路，

16、测定向所述工作台输入的所述第一频率的高频电压，以使所述高频电压为最小的方式控制所述可变电容器的电容值。

17、发明效果

18、根据本发明，能够扩大在上部电极侧生成的等离子体的形成区域而提高处理速度。

技术特征：

1.一种等离子体处理装置，其具有：

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中，

4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其中，

5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其中，

6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

7.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

8.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

9.一种等离子体处理装置的控制方法，是权利要求1所述的等离子体处理装置的控制方法，

技术总结
本发明提供一种能够扩大在上部电极侧生成的等离子体的形成区域而提高处理速度的等离子体处理装置及其控制方法。本发明的一个方式的等离子体处理装置具有真空腔室、支承基板用的工作台、对置电极、谐振电路。上述工作台配置在上述真空腔室的内部，与供给第一频率的高频电力的第一高频电源电路连接。上述对置电极与上述工作台相对配置，与供给第二频率的高频电力的第二高频电源电路连接。上述谐振电路使来自上述对置电极的上述第二频率的高频电流通过。

技术研发人员：土居谦太,中村敏幸,森川泰宏,赤泽健介,广庭大辅
受保护的技术使用者：株式会社爱发科
技术研发日：
技术公布日：2025/2/27