显示面板及显示装置的制作方法

本申请涉及显示，尤其涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术：

1、显示面板中的薄膜晶体管在生产中需要经过氢化处理，以采用低温多晶硅(lowtemperature poly-silicon，ltps)薄膜晶体管的阵列结构显示面板为例，多晶硅薄膜晶体管在生产中经过氢化处理，提高了多晶硅薄膜晶体管的电子迁移率，修补了缺陷，使多晶硅薄膜晶体管具有较高的载流子迁移率。

2、目前，在显示面板中，有源层上方设置有gate1和gate2，而gate1和gate2之间的gi2一般为氮化硅制成，常通过在烘烤制程将gi2中的氢补给下方的有源层，但是，目前显示面板中对有源层进行补氢的能力不足，则显示面板中的薄膜晶体管容易出现亚阈值摆幅过大以及迁移率较低的问题，严重影响了薄膜晶体管的电性，进而影响显示面板的稳定性和显示效果。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种显示面板及显示装置，能够提高显示面板中对有源层的补氢能力，提高了显示面板的稳定性和显示效果。

2、本申请实施例提供一种显示面板，其包括：

3、有源层；

4、第一栅极绝缘层，覆盖所述有源层；

5、第一栅极，设置于所述第一栅极绝缘层远离所述有源层的一侧；

6、第二栅极绝缘层，设置于所述第一栅极绝缘层远离所述有源层的一侧并覆盖所述第一栅极，所述第二栅极绝缘层中含有氢元素；

7、其中，所述第一栅极绝缘层包括位于所述有源层和所述第一栅极之间的第一子部以及连接于所述第一子部的第二子部，所述第一子部的厚度大于所述第二子部的厚度。

8、在本申请的一种实施例中，所述第一栅极在所述第二栅极绝缘层上的正投影与所述第二子部在所述第二栅极绝缘层上的正投影不重叠设置。

9、在本申请的一种实施例中，所述有源层包括沟道部以及连接于所述沟道部相对两侧的第一掺杂部和第二掺杂部，所述第一栅极位于所述第一栅极绝缘层远离所述沟道部的一侧，所述第一子部位于所述第一栅极和所述沟道部之间。

10、在本申请的一种实施例中，所述第二子部在所述第二栅极绝缘层上的正投影与所述第一掺杂部在所述第二栅极绝缘层上的正投影、所述第二掺杂部在所述第二栅极绝缘层上的正投影相重叠，所述第二子部在所述第二栅极绝缘层上的正投影与所述沟道部在所述第二栅极绝缘层上的正投影不重叠。

11、在本申请的一种实施例中，所述第一子部靠近所述第二子部一端的厚度逐渐减小，以形成第一斜面，所述第二栅极绝缘层覆盖所述第一斜面，所述第一斜面与所述有源层之间具有呈锐角的第一夹角；

12、所述第一栅极在靠近所述第一斜面的同侧具有第二斜面，所述第二斜面与所述有源层之间具有呈锐角的第二夹角；

13、所述第一夹角与所述第二夹角之间的差小于或等于20°。

14、在本申请的一种实施例中，所述第一子部的厚度与所述第二子部的厚度的差小于或等于80nm。

15、在本申请的一种实施例中，所述第二子部的厚度大于或等于50nm，且小于130nm。

16、在本申请的一种实施例中，所述显示面板还包括设置于所述第二栅极绝缘层远离所述第一栅极一侧的第二栅极，所述第二栅极绝缘层包括设置于所述第一栅极和所述第二栅极之间的第三子部以及连接于所述第三子部的第四子部，所述第三子部的厚度小于或等于所述第四子部的厚度。

17、在本申请的一种实施例中，所述第三子部位于所述第一子部远离所述有源层的一侧，所述第四子部位于所述第二子部远离所述有源层的一侧，所述第三子部的厚度小于所述第四子部的厚度。

18、在本申请的一种实施例中，所述第三子部远离所述有源层的一面与所述第四子部远离所述有源层的一面相平齐。

19、在本申请的一种实施例中，所述第三子部的厚度大于或等于50nm，且小于130nm。

20、在本申请的一种实施例中，所述显示面板还包括驱动电路，所述驱动电路包括存储电容，所述存储电容包括相对设置的所述第一栅极和所述第二栅极。

21、在本申请的一种实施例中，所述显示面板还包括设置于所述第二栅极绝缘层远离所述第一栅极绝缘层一侧的层间介质层，所述层间介质层包括层叠设置的至少一个第一子层和至少一个第二子层；

22、其中，所述第一子层的材料包括氮化硅以及氮氧化硅中的至少一种，所述第二子层的材料包括氧化硅，所述层间介质层中与所述第二栅极绝缘层相接触的为所述第一子层。

23、在本申请的一种实施例中，与所述第二栅极绝缘层相接触的所述第一子层的厚度大于所述第二子层的厚度。

24、在本申请的一种实施例中，所述第二栅极绝缘层包括多个所述第一子层，与所述第二栅极绝缘层相接触的所述第一子层的厚度大于其他的所述第一子层的厚度以及所述第二子层的厚度。

25、在本申请的一种实施例中，所述有源层的材料包括低温多晶硅，所述第二栅极绝缘层的材料包括氮化硅以及氮氧化硅中的至少一种。

26、根据本申请的上述目的，本申请实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括所述显示面板。

27、本申请的有益效果：本申请通过对第一栅极绝缘层的厚度进行差异化设置，使得位于第一栅极和有源层之间的第一子部的厚度大于不对应第一栅极设置的第二子部的厚度，在保证第一栅极和有源层之间间隔绝缘的基础上，使得第二栅极绝缘层中的氢更容易通过第二子部扩散至有源层中，提高了显示面板中对有源层的补氢能力，提高了显示面板的稳定性和显示效果。

技术特征：

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一栅极在所述第二栅极绝缘层上的正投影与所述第二子部在所述第二栅极绝缘层上的正投影不重叠设置。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述有源层包括沟道部以及连接于所述沟道部相对两侧的第一掺杂部和第二掺杂部，所述第一栅极位于所述第一栅极绝缘层远离所述沟道部的一侧，所述第一子部位于所述第一栅极和所述沟道部之间。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第二子部在所述第二栅极绝缘层上的正投影与所述第一掺杂部在所述第二栅极绝缘层上的正投影、所述第二掺杂部在所述第二栅极绝缘层上的正投影部分重叠，所述第二子部在所述第二栅极绝缘层上的正投影与所述沟道部在所述第二栅极绝缘层上的正投影不重叠。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一子部靠近所述第二子部一端的厚度逐渐减小，以形成第一斜面，所述第二栅极绝缘层覆盖所述第一斜面，所述第一斜面与所述有源层所在平面之间具有呈锐角的第一夹角；

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一子部的厚度与所述第二子部的厚度的差小于或等于80nm。

7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二子部的厚度大于或等于50nm，且小于130nm。

8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设置于所述第二栅极绝缘层远离所述第一栅极一侧的第二栅极，所述第二栅极绝缘层包括设置于所述第一栅极和所述第二栅极之间的第三子部以及连接于所述第三子部的第四子部，所述第三子部的厚度小于或等于所述第四子部的厚度。

9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第三子部位于所述第一子部远离所述有源层的一侧，所述第四子部位于所述第二子部远离所述有源层的一侧，所述第三子部的厚度小于所述第四子部的厚度。

10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述第三子部远离所述有源层的一面与所述第四子部远离所述有源层的一面相平齐。

11.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第三子部的厚度大于或等于50nm，且小于130nm。

12.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括驱动电路，所述驱动电路包括存储电容，所述存储电容包括相对设置的所述第一栅极和所述第二栅极。

13.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设置于所述第二栅极绝缘层远离所述第一栅极绝缘层一侧的层间介质层，所述层间介质层包括层叠设置的至少一个第一子层和至少一个第二子层；

14.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，与所述第二栅极绝缘层相接触的所述第一子层的厚度大于所述第二子层的厚度。

15.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，所述第二栅极绝缘层包括多个所述第一子层，与所述第二栅极绝缘层相接触的所述第一子层的厚度大于其他的所述第一子层的厚度以及所述第二子层的厚度。

16.根据权利要求1至15任一项所述的显示面板，其特征在于，所述有源层的材料包括低温多晶硅，所述第二栅极绝缘层的材料包括氮化硅以及氮氧化硅中的至少一种。

17.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1至16任一项所述的显示面板。

技术总结
本申请公开了一种显示面板及显示装置；显示面板包括有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极以及第二栅极绝缘层；第一栅极绝缘层覆盖有源层；第一栅极设置于第一栅极绝缘层远离有源层的一侧；第二栅极绝缘层设置于第一栅极绝缘层远离有源层的一侧并覆盖第一栅极，第二栅极绝缘层中含有氢元素；其中，第一栅极绝缘层包括位于有源层和第一栅极之间的第一子部以及连接于第一子部的第二子部，第一子部的厚度大于第二子部的厚度；本申请可以使得第二栅极绝缘层中的氢更容易通过第二子部扩散至有源层中，提高了显示面板中对有源层的补氢能力，提高了显示面板的稳定性和显示效果。

技术研发人员：郑帅
受保护的技术使用者：TCL华星光电技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/12