摄像装置的制作方法

本公开涉及电子设备。

背景技术：

1、在专利文献1中公开了一种摄像装置，通过在像素部设置电容元件，能够进行高动态范围摄影。

2、在先技术文献

3、专利文献

4、专利文献1:日本特开2016－76921号公报

技术实现思路

1、本发明所要解决的课题

2、在专利文献1所记载的摄像装置中，电容元件的电容越大，则能够实现越高的动态范围。像这样，在具备电容元件的电子设备中，期待电容进一步增大。为了使电容元件的电容增大，例如增大电极的面积即可。但是，由于电极的面积增大，存在电子设备大型化的问题。

3、于是，本公开提供具备大电容的电容元件的小型的电子设备。

4、用于解决课题的手段

5、本公开的非限定性的例示的一个方式所涉及的摄像装置，具备：光电转换部，被形成于半导体基板，通过光电转换而生成信号电荷；第1扩散区域，保持从所述光电转换部转送的所述信号电荷；电容元件，保持由所述光电转换部生成的信号电荷；第1接触插塞，与所述第1扩散区域连接；以及第1布线，与所述第1接触插塞连接，包括所述第1布线的布线层被设置在所述半导体基板与所述电容元件之间。

6、本公开的非限定性的例示的一个方式所涉及的电子设备具备：电容元件、绝缘层、被设置于所述绝缘层的至少1个沟槽、以及至少一部分被所述绝缘层包围的第1导电插塞。所述电容元件包含：第1下部电极，沿着所述至少1个沟槽的内壁设置；介电体层，被设置在所述第1下部电极上；以及上部电极，被设置在所述介电体层上。所述第1导电插塞的至少一部分位于所述绝缘层的上表面与所述至少1个沟槽的最下部之间。

7、发明效果

8、根据本公开，能够提供具备大电容的电容元件的小型的电子设备。

技术特征：

1.一种摄像装置，具备：

2.如权利要求1所述的摄像装置，还具备：

3.如权利要求1所述的摄像装置，

4.如权利要求3所述的摄像装置，

5.如权利要求1所述的摄像装置，

6.如权利要求5所述的摄像装置，

7.如权利要求5所述的摄像装置，

8.如权利要求1至7中任一项所述的摄像装置，

9.如权利要求8所述的摄像装置，

10.如权利要求1至7中任一项所述的摄像装置，

11.如权利要求10所述的摄像装置，

技术总结
本公开的一个方式所涉及的摄像装置具备：光电转换部，被形成于半导体基板，通过光电转换而生成信号电荷；第1扩散区域，保持从所述光电转换部转送的所述信号电荷；电容元件，保持由所述光电转换部生成的信号电荷；第1接触插塞，与所述第1扩散区域连接；以及第1布线，与所述第1接触插塞连接。包括所述第1布线的布线层被设置在所述半导体基板与所述电容元件之间。

技术研发人员：高濑雅之,矶野俊介,留河优子
受保护的技术使用者：松下知识产权经营株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/11/28