一种一体成型单颗多合一电感及其制造方法与流程

本发明公开一种电感，特别是一种一体成型单颗多合一电感及其制造方法，属于电子元器件。

背景技术：

1、电感是电路中的一个基本元件，用于储存和释放电磁能量，其主要特性是能在电流变化时产生感应电动势，从而对电流变化进行阻碍。电感的工作原理基于电磁感应定律，当电流通过电感线圈时，线圈会产生一个磁场，当电流发生变化时，磁场也会随之变化，根据法拉第电磁感应定律，磁场变化会在电感内部产生感应电动势，这种电动势会阻碍电流的变化，形成电感的主要特性。

2、目前的电感多为单颗设计，即一颗电感内仅配有一个电感，如果电路中需要多个电感时，则需要组装多颗电感，不仅占用较多的线路板面积，使整个产品体积较大，而且，还会为pcb板的设计和电子元器件的焊接造成一定困难。

技术实现思路

1、针对上述提到的现有技术中的电感多为单颗设计的缺点，本发明提供一种一体成型单颗多合一电感及其制造方法，其采用模压工艺，将多个电感集成在一颗之中，简化了工艺，减小了体积，且为pcb板的设计和焊接提供了方便。

2、本发明解决其技术问题采用的技术方案是：一种一体成型单颗多合一电感，电感包括基体、两个以上的线圈和电极，两个以上的线圈分别固定设置在基体内，电极作为焊接引脚分别连接在线圈两端。

3、一种一体成型单颗多电感的制造方法，该方法包括下述步骤：

4、步骤s1、采用两个或多个铜片或铜线绕组为线圈，铜片或铜线端头经表面金属化处理作为电感电极；

5、步骤s2、一定形状的铜片或线圈植入由软磁复合材料成型的磁芯中并进行固定；

6、步骤s3、将组装体植入成型模具后填加软磁复合材料粉模压成型；

7、步骤s4、模压成型产品经过热处理和端电极处理后形成单颗多电感元器件。

8、本发明解决其技术问题采用的技术方案进一步还包括：

9、所述的线圈和电极一体设置。

10、所述的线圈采用扁平铜线、圆形铜线或铜片。

11、所述的线圈呈“一”字型、“凹”字形、半圆形、螺旋线形或螺旋形。

12、所述的线圈表面有绝缘处理。

13、所述的电极呈“l”形，其中，部分位于基体侧面，部分位于基体底部。

14、所述的电极经过电镀或浸锡的电极表面处理。

15、所述的基体包括上部基体和下部基体，上部基体和下部基体固定设置在一起，上部基体上固定设置有一个以上的柱子。

16、本发明的有益效果是：本发明可以极大地改善客户端上板空间，更加模块化。本发明的产品具有模块化特点，节约pcb板空间，可靠性高，电性能优异，制造工艺易实现，极其适合大批量化生产。

17、下面将结合附图和具体实施方式对本发明做进一步说明。

技术特征：

1.一种一体成型单颗多合一电感，其特征是：所述的电感包括基体、两个以上的线圈（5）和电极（3），两个以上的线圈（5）分别固定设置在基体内，电极（3）作为焊接引脚分别连接在线圈（5）两端。

2.根据权利要求1所述的一体成型单颗多合一电感，其特征是：所述的线圈（5）和电极（3）一体设置。

3.根据权利要求1所述的一体成型单颗多合一电感，其特征是：所述的线圈（5）采用扁平铜线、圆形铜线或铜片。

4.根据权利要求1所述的一体成型单颗多合一电感，其特征是：所述的线圈（5）呈“一”字型、“凹”字形、半圆形、螺旋线形或螺旋形。

5.根据权利要求1所述的一体成型单颗多合一电感，其特征是：所述的线圈（5）表面有绝缘处理。

6.根据权利要求1所述的一体成型单颗多合一电感，其特征是：所述的电极（3）呈“l”形，其中，部分位于基体侧面，部分位于基体底部。

7.根据权利要求1所述的一体成型单颗多合一电感，其特征是：所述的电极（3）经过电镀或浸锡的电极表面处理。

8.根据权利要求1所述的一体成型单颗多合一电感，其特征是：所述的基体包括上部基体（1）和下部基体（2），上部基体（1）和下部基体（2）固定设置在一起，上部基体（1）上固定设置有一个以上的柱子（6）。

9.一种一体成型单颗多电感的制造方法，其特征是：所述的方法包括下述步骤：

技术总结
本发明公开一种一体成型单颗多合一电感及其制造方法，电感包括基体、两个以上的线圈和电极，两个以上的线圈分别固定设置在基体内，电极作为焊接引脚分别连接在线圈两端。制造方法包括：S1、采用两个或多个铜片或铜线绕组为线圈，铜片或铜线端头经表面金属化处理作为电感电极；S2、一定形状的铜片或线圈植入由软磁复合材料成型的磁芯中并进行固定；S3、将组装体植入成型模具后填加软磁复合材料粉模压成型；S4、模压成型产品经过热处理和端电极处理后形成单颗多电感元器件。本发明可以极大地改善客户端上板空间，更加模块化。本发明的产品具有模块化特点，节约PCB板空间，可靠性高，电性能优异，制造工艺易实现，极其适合大批量化生产。

技术研发人员：郭名勇,鲁登辉,朱圆圆,李常青
受保护的技术使用者：深圳市麦捷微电子科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/11/11