等离子体处理装置及等离子体处理方法与流程

本发明的示例性实施方式涉及一种等离子体处理装置及等离子体处理方法。

背景技术：

1、在对基板的等离子体处理中，使用等离子体处理装置。在下述专利文献1中，记载有一种等离子体处理装置。专利文献1所记载的等离子体处理装置具备腔室、电极、高频电源、及高频偏置电源。电极设置于腔室内。基板载置于电极上。高频电源供给高频电力的脉冲以在腔室内形成高频电场。高频偏置电源将高频偏置电力的脉冲供给至电极。

2、以往技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本专利特开平10-64915号公报

技术实现思路

1、本发明提供一种控制从等离子体供给至基板的离子的能量的技术。

2、用于解决技术课题的手段

3、在一示例性实施方式中，提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室、基板支承器、高频电源、偏置电源、及控制部。基板支承器具有下部电极及静电卡盘。静电卡盘设置于下部电极上。基板支承器构成为在腔室内支承载置于其上的基板。高频电源构成为产生为了从腔室内的气体生成等离子体而被供给的高频电力。高频电力具有第1频率。偏置电源与下部电极电连接。偏置电源构成为按照由第2频率规定的周期将脉冲状的负极性的直流电压周期性地施加到下部电极。第2频率低于第1频率。控制部构成为控制高频电源。控制部控制高频电源，以在周期内的第1部分期间内供给高频电力。控制部控制高频电源，以将周期内的第2部分期间的高频电力的功率电平设定为从第1部分期间的高频电力的功率电平减少的功率电平。

4、发明效果

5、根据一示例性实施方式，可提供一种控制从等离子体供给至基板的离子的能量的技术。

技术特征：

1.一种等离子体处理装置，其具备：

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

5.根据权利要求1至4中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其中，

7.一种使用等离子体处理装置的等离子体处理方法，

8.根据权利要求7所述的等离子体处理方法，其中，

9.根据权利要求7所述的等离子体处理方法，其中，

10.根据权利要求7至9中任一项所述的等离子体处理方法，其中，

11.根据权利要求7至10中任一项所述的等离子体处理方法，其中，

12.根据权利要求11所述的等离子体处理方法，其中，

13.根据权利要求7至12中任一项所述的等离子体处理方法，其还包括以下工序：

14.根据权利要求7至13中任一项所述的等离子体处理方法，其还包括以下工序：

技术总结
在示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置中，脉冲状的负极性的直流电压被周期性地施加到下部电极。规定脉冲状的负极性的直流电压施加到下部电极的周期的频率低于为了生成等离子体而被供给的高频电力的频率。高频电力在周期内的第1部分期间内供给。周期内的第2部分期间的高频电力的功率电平被设定为从第1部分期间的高频电力的功率电平减少的功率电平。

技术研发人员：舆水地盐,久保田绅治
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/12/19