一种倒装芯片的背面开封方法与流程

文档序号:40341048发布日期:2024-12-18 13:18阅读:7来源:国知局
一种倒装芯片的背面开封方法与流程

本发明涉及芯片封装,具体是一种倒装芯片的背面开封方法。


背景技术:

1、在电子制造领域中,随着集成电路(integrated circuit,ic)技术的发展,芯片封装形式越来越多样化。其中,倒装芯片(flip chip,fc)作为一种先进的封装方式,在高密度、高性能电子产品中得到了广泛应用。

2、然而,在生产过程中,由于各种原因可能导致某些芯片出现故障或性能问题。为了找出这些问题的原因并进行修复,常常需要对这些芯片进行开封处理,以便于观察其内部结构和工作状态。传统的开封方法主要包括化学开封和平磨两种方式。

3、化学开封法通过使用特定的化学腐蚀剂在一定温度下溶解掉芯片表面的塑封材料,从而露出内部电路。这种方法虽然能够有效地去除塑封层,但由于需要加热和使用化学品,容易对周围的元器件造成损害,并且操作起来也比较复杂。

4、相比之下,平磨法则是一种物理性的开封手段,它通过研磨机对芯片表面进行打磨,逐渐去除塑封层。这种方法相对简单,但只适用于单个ic产品的开封,对于焊在pcb板上的fc产品并不适用。

5、因此,针对上述问题,本发明提出了一种新的倒装芯片背面开封方法,旨在解决现有技术中存在的不足之处,提供一种更加安全、高效且适应性强的开封方案。


技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种倒装芯片的背面开封方法,以解决上述背景技术中提出的问题。

2、本发明的技术方案是:一种倒装芯片的背面开封方法,所述背面开封方法具体包括如下:

3、s1:对倒装芯片的内部结构进行确认,并定位出需要激光开盖的位置;

4、s2:对所述需要激光开盖的位置进行减薄处理;

5、s3:对减薄处理后的所述倒装芯片背面的残留塑封体材料进行去除;

6、s4:将去除残留塑封体材料后的所述倒装芯片进行清洗。

7、更进一步地讲,在所述步骤s1中,通过x射线检测或扫描声学显微镜技术对所述倒装芯片的内部结构进行确认。

8、更进一步地讲,在所述步骤s1中,通过x-ray定位技术或sat定位技术对所述倒装芯片进行定位。

9、更进一步地讲,在所述步骤s2中,通过激光开盖机对所述需要激光开盖的位置进行框选,并进行激光减薄。

10、更进一步地讲,在所述步骤s3中,对减薄处理后的所述倒装芯片背面的残留塑封体材料进行去除的工具包括但不限于防静电塑料镊子和棉签。

11、更进一步地讲,根据所述倒装芯片的类型和塑封体的材质,设置激光能量和镭射次数,同时每次激光镭射后,均需对所述倒装芯片进行检测,确定所述倒装芯片的减薄深度。

12、本发明通过改进在此提供一种倒装芯片的背面开封方法,与现有技术相比,具有如下改进及优点:

13、其一:本发明激光减薄塑封体的方式能够精确控制减薄的深度,防止过度减薄导致芯片背面损坏,同时在激光减薄过程中持续监控减薄进度,可确保底材恰好裸露而不会进一步损伤;

14、其二:本发明利用x-ray定位技术和sat定位技术相结合,能够精确地确定倒装芯片的位置及内部结构,从而有助于提高后续开封过程的准确性,同时采用非接触式的x-ray扫描作为初步定位,可避免物理接触可能带来的芯片损伤,且sat技术提供的更细致的内部结构信息,有助于更加精确地控制开封过程,减少对芯片的潜在损害;

15、其三:本发明使用防静电镊子或棉签进行初步清理,随后利用超声波清洗,既能有效去除残留的塑封材料,又不会给芯片带来额外的物理应力。



技术特征:

1.一种倒装芯片的背面开封方法,其特征在于,所述背面开封方法具体包括如下:

2.根据权利要求1所述的一种倒装芯片的背面开封方法,其特征在于,在所述步骤s1中,通过x射线检测或扫描声学显微镜技术对所述倒装芯片的内部结构进行确认。

3.根据权利要求1所述的一种倒装芯片的背面开封方法,其特征在于,在所述步骤s1中,通过x-ray定位技术或sat定位技术对所述倒装芯片进行定位。

4.根据权利要求1所述的一种倒装芯片的背面开封方法,其特征在于,在所述步骤s2中,通过激光开盖机对所述需要激光开盖的位置进行框选,并进行激光减薄。

5.根据权利要求1所述的一种倒装芯片的背面开封方法,其特征在于,在所述步骤s3中,对减薄处理后的所述倒装芯片背面的残留塑封体材料进行去除的工具包括但不限于防静电塑料镊子和棉签。

6.根据权利要求1所述的一种倒装芯片的背面开封方法,其特征在于,根据所述倒装芯片的类型和塑封体的材质,设置激光能量和镭射次数,同时每次激光镭射后,均需对所述倒装芯片进行检测,确定所述倒装芯片的减薄深度。


技术总结
本发明涉及芯片封装技术领域,具体是一种倒装芯片的背面开封方法,所述背面开封方法具体包括如下:S1:对倒装芯片的内部结构进行确认,并定位出需要激光开盖的位置;S2:对所述需要激光开盖的位置进行减薄处理;S3:对减薄处理后的所述倒装芯片背面的残留塑封体材料进行去除;S4:将去除残留塑封体材料后的所述倒装芯片进行清洗。本发明激光减薄塑封体的方式能够精确控制减薄的深度,防止过度减薄导致芯片背面损坏,同时在激光减薄过程中持续监控减薄进度,可确保底材恰好裸露而不会进一步损伤。

技术研发人员:姚士跃,潘奎,沈春,黄宇峰
受保护的技术使用者:日月新检测科技(苏州)有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/12/17
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