半导体激光器准直系统及光纤激光器的制作方法

本申请涉及半导体激光器，尤其涉及一种半导体激光器准直系统及光纤激光器。

背景技术：

1、半导体激光器在通讯、军事、医疗等领域越来越广泛，半导体激光器作为一种半导体元器件，市场对半导体激光器的应用需求不断增加。近年来，高功率、高光束质量的半导体激光器得到了飞速发展。目前制备半导体激光器的传统方法是在泵浦源光纤后熔接光纤光栅再熔接有源光纤，且泵浦源光纤一般有别于有源光纤。这种制备方法会产生较多熔接点，容易出现熔接不良的问题。

2、申请内容

3、本申请实施例提供一种半导体激光器准直系统及光纤激光器，通过光纤刻写形成光纤光栅减少熔接点数量，避免熔接不良的问题。

4、一方面，本申请提供一种半导体激光器准直系统，所述半导体激光器准直系统包括：

5、壳体；

6、泵浦芯片，所述泵浦芯片用于发射泵浦光；

7、准直模块，所述准直模块用于固定准直透镜及泵浦源光纤；

8、准直透镜，所述准直透镜位于所述泵浦芯片的出光侧，所述准直透镜用于对所述泵浦光进行准直；

9、泵浦源光纤，所述泵浦源光纤位于所述准直透镜的出光侧，所述泵浦源光纤上包括通过光纤刻写形成的光纤光栅；

10、所述泵浦芯片、所述准直模块、所述准直透镜和所述泵浦源光纤均设置在所述壳体中。

11、在一些可能的实施例中，所述半导体激光器准直系统还包括端帽，所述端帽设置在所述准直透镜和所述泵浦源光纤之间。

12、在一些可能的实施例中，所述光纤光栅与所述端帽之间的距离为5毫米-10毫米。

13、在一些可能的实施例中，所述光纤光栅的带宽为38-40毫米。

14、在一些可能的实施例中，所述光纤光栅为高反光栅。

15、在一些可能的实施例中，所述泵浦源光纤为无源光纤。

16、第二方面，本申请实施例提供一种光纤激光器，所述光纤激光器包括如上任一项所述的半导体激光器准直系统，还包括：增益光纤，所述增益光纤设置在所述光纤光栅的出光侧。

17、在一些可能的实施例中，所述增益光纤包括一级增益光纤和二级增益光纤，所述半导体激光器还包括低反光栅，所述低反光栅设置在所述一级增益光纤和所述二级增益光纤之间。

18、在一些可能的实施例中，所述增益光纤和所述泵浦源光纤为同规格光纤。

19、在一些可能的实施例中，所述半导体激光器还包括剥模器，所述剥模器位于所述二级增益光纤的出光侧。

20、本申请提供一种半导体激光器准直系统及光纤激光器，准直系统包括：准直模块，用于固定透镜及光纤，泵浦芯片用于发射泵浦光，准直透镜组位于泵浦芯片的出光侧，用于对泵浦光进行准直；泵浦源光纤，泵浦源光纤位于准直透镜的出光侧，泵浦源光纤上包括通过光纤刻写形成的光纤光栅；泵浦源、准直透镜和泵浦源光纤均设置在壳体中。本申请通过在泵浦源光纤上进行光纤刻写形成光纤光栅，且将光纤光栅集成在准直系统中，无需外接光栅；减少光栅数量降低成本的同时，也降低了熔接点数量，减少熔接不良的问题。

技术实现思路

技术特征：

1.一种半导体激光器准直系统，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体激光器准直系统，其特征在于，所述半导体激光器准直系统还包括端帽，所述端帽设置在所述准直透镜和所述泵浦源光纤之间，所述端帽与所述泵浦源光纤熔接。

3.根据权利要求2所述的半导体激光器准直系统，其特征在于，所述光纤光栅与所述端帽之间的距离为5毫米-10毫米。

4.根据权利要求1所述的半导体激光器准直系统，其特征在于，所述光纤光栅的带宽为38-40毫米。

5.根据权利要求1所述的半导体激光器准直系统，其特征在于，所述光纤光栅为高反光栅。

6.根据权利要求1所述的半导体激光器准直系统，其特征在于，所述泵浦源光纤为无源光纤。

7.一种光纤激光器，其特征在于，所述光纤激光器包括如权利要求1-6任一项所述的半导体激光器准直系统，还包括：增益光纤，所述增益光纤设置在所述光纤光栅的出光侧。

8.根据权利要求7所述的光纤激光器，其特征在于，所述增益光纤包括一级增益光纤和二级增益光纤，所述半导体激光器还包括低反光栅，所述低反光栅设置在所述一级增益光纤和所述二级增益光纤之间。

9.根据权利要求7所述的光纤激光器，其特征在于，所述增益光纤和所述泵浦源光纤为同规格光纤。

10.根据权利要求7所述的光纤激光器，其特征在于，所述半导体激光器还包括剥模器，所述剥模器位于所述二级增益光纤的出光侧。

技术总结
本申请提供一种半导体激光器准直系统及光纤激光器，准直系统包括：准直模块，用于固定透镜及光纤，泵浦芯片用于发射泵浦光，准直透镜组位于泵浦芯片的出光侧，用于对泵浦光进行准直；泵浦源光纤，泵浦源光纤位于准直透镜的出光侧，泵浦源光纤上包括通过光纤刻写形成的光纤光栅；泵浦源、准直透镜和泵浦源光纤均设置在壳体中。本申请通过在泵浦源光纤上进行光纤刻写形成光纤光栅，且将光纤光栅集成在准直系统中，无需外接光栅；减少光栅数量降低成本的同时，也降低了熔接点数量，减少熔接不良的问题。

技术研发人员：王子威,李宁,闫大鹏
受保护的技术使用者：武汉锐科光纤激光技术股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/12/19