封装基板及其制造方法与流程

本实施例涉及一种半导体封装基板以及半导体封装基板的制造方法，并且涉及包括玻璃基板的封装基板及其制造方法的技术。

背景技术：

1、在电子部件的制造中，在半导体晶圆(wafer)上实现电路的工艺称为前道工艺(fe；front-end)，将晶圆组装成可在实际产品中使用的状态的工艺称为后道工艺(be；back-end)，在该后道工艺中包括封装工艺。

2、近来，作为可实现电子产品的快速发展的半导体产业中的四项核心技术，有半导体技术、半导体封装技术、制造工艺技术、软件技术。半导体技术正在以微米以下的纳米单位的线宽、千万个以上的单元(cell)、高速动作、大量散热等多种形式发展，但是并没有将对其相对完美封装的技术作为后盾。据此，相比于半导体技术本身的性能，也由封装技术及其电连接决定半导体的电气性性能。

3、作为封装基板的材料正在应用陶瓷或者树脂，但是，近来正在进行作为高端用封装基板应用了硅或者玻璃的研究，尤其，通过应用玻璃基板来开发了具有空腔(cavity)结构的封装基板。

4、另一方面，在封装工艺中的重布线层(re-distribution layer；rdl)是统称利用晶圆级封装(wafer level package；wlp)工艺技术来将已形成的电端子(例如：铝垫(alpad))的位置变更为任意位置的技术。这种rdl用作通过封装来消除在半导体制造工艺中存在的设计局限性的方法，即正在应用于半导体芯片(chip)的堆叠(stack)。

5、作为相关现有技术，有美国公开专利公报us2022/0336481a1、韩国公开专利公报第10-2020-0133340等。

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、本实施方式的目的在于，提供一种能够容易检测出在玻璃基板和在玻璃基板上安装多个元件的封装基板中可能会在玻璃基板上出现的缺陷的封装基板及其制造方法。

3、另外，本实施方式的目的在于，提供一种能够同时检测出玻璃基板的表面和剖面上出现的缺陷的封装基板及其制造方法。

4、另外，本实施方式的目的在于，减少在玻璃基板的检查和检验质量时的时间以及成本。

5、用于解决问题的手段

6、为了实现上述目的，根据一实施方式的封装基板，其可以包括：玻璃基板，包括彼此面对的第一面和第二面；以及上部层或下部层，所述上部层层叠在所述第一面的上方，所述下部层层叠在第二面的下方，所述玻璃基板可以具有边缘区域。所述边缘区域可以包括：所述玻璃基板的边缘；以及所述玻璃基板中的比所述上部层或所述下部层更凸出的区域。

7、所述上部层可以包括层叠在所述第一面的上方的第一绝缘层。

8、所述第一绝缘层的边缘可以以从所述玻璃基板的边缘靠近内侧的方式配置，所述边缘区域可以包括所述玻璃基板的边缘和所述第一绝缘层的边缘。

9、另外，所述下部层可以包括层叠在所述第二面的下方的第二绝缘层，所述第二绝缘层的边缘可以以从所述玻璃基板的边缘靠近内侧的方式配置，所述边缘区域可以包括所述玻璃基板的边缘和所述第二绝缘层的边缘。

10、从所述第一绝缘层的边缘到所述玻璃基板的边缘的宽度可以为5μm至200μm。

11、从所述第二绝缘层的边缘到所述玻璃基板的边缘的宽度可以为5μm至200μm。

12、根据一实施方式，所述边缘区域可以呈曲面。

13、所述边缘区域中的所述玻璃基板的角部可以呈曲面。

14、根据其他实施方式，所述边缘区域可被处理成倒角。

15、所述边缘区域中的所述玻璃基板的角部可被处理成倒角。

16、所述上部层或所述下部层分别可以具有向所述边缘区域的方向逐渐变薄的锥形。

17、所述上部层或所述下部层的可以具有向所述玻璃基板的切割面的方向逐渐变薄的锥形。

18、半导体元件可以安装在所述上部层的上部。

19、为了实现上述目的，根据一实施方式的封装基板的制造方法，其可以通过包括如下步骤来制造所述封装基板，即，准备包括彼此面对的第一面和第二面的玻璃基板，并且在所述第一面的上方形成上部层的步骤；沿着作为预定切割的位置的切割线去除所述上部层的一部分，以形成去除线的步骤；沿着所述去除线在所述玻璃基板上形成光丝的成丝工艺步骤；以及利用所述光丝切割所述玻璃基板的步骤。

20、根据一实施方式的封装基板的制造方法，在所述成丝工艺步骤之前还可包括：在所述第二面的下方形成下部层的步骤；以及沿着所述切割线去除所述下部层的一部分，以形成去除线的步骤。

21、所述去除线的宽度可以为5μm以上。并且，所述去除线的宽度可以为200μm以下。

22、所述上部层和/或所述下部层可以具有向所述玻璃基板的切割面的方向逐渐变薄的锥形。

23、切割所述玻璃基板的步骤可以是，通过对所述光丝施加拉伸应力或旋转力来将所述玻璃基板分离为两个以上的部分，以在所述玻璃基板上形成切割面的步骤。

24、根据一实施方式的封装基板的制造方法，在切割所述玻璃基板的步骤之后还可包括对被切割的所述玻璃基板的切割面进行研磨的步骤。

25、所述玻璃基板的边缘区域包括：所述玻璃基板的边缘；以及所述玻璃基板中的比所述上部层或所述下部层更凸出的区域。

26、根据一实施方式的封装基板的制造方法，还可包括：用于检测选自由所述玻璃基板的切割面、所述上部层的去除线、所述下部层的去除线以及这些组合而成的组群中的任意一种的缺陷的步骤。

27、发明效果

28、根据本实施方式，能够容易检测出可能在封装基板和/或玻璃基板上发生的缺陷。此外，根据本实施方式，能够同时检测出玻璃基板的表面和剖面上发生的缺陷。另外，根据本实施方式，能够以低成本有效地检测出可能在玻璃基板上发生的碎裂、破损、裂纹(crack)等。

技术特征：

1.一种封装基板，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的封装基板，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的封装基板，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，

7.根据权利要求3所述的封装基板，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，

9.一种封装基板的制造方法，其是用于制造权利要求1所述的封装基板的方法，其特征在于，包括：

10.根据权利要求9所述的封装基板的制造方法，其特征在于，

11.根据权利要求9或10所述的封装基板的制造方法，其特征在于，

12.根据权利要求10所述的封装基板的制造方法，其特征在于，

13.根据权利要求9所述的封装基板的制造方法，其特征在于，

14.根据权利要求9所述的封装基板的制造方法，其特征在于，

15.根据权利要求10所述的封装基板的制造方法，其特征在于，

技术总结
本实施方式涉及一种封装基板及其制造方法。根据本实施方式的封装基板，可以包括：玻璃基板，包括彼此面对的第一面和第二面；以及层叠在第一面上方的上部层或层叠在第二面下方的下部层，封装基板具有边缘区域。边缘区域包括：玻璃基板的边缘；以及玻璃基板的比上部层或下部层更凸出的区域。封装基板的制造方法用于制造如上所述的封装基板，包括：准备包括彼此面对的第一面和第二面的玻璃基板，并在第一面的上方形成上部层的步骤；沿着作为预定切割的位置的切割线去除上部层的一部分，以形成去除线的步骤；沿着去除线在玻璃基板上形成光丝的成丝工艺步骤；以及利用光丝切割玻璃基板的步骤。据此，能够容易检测出基板的表面和剖面上发生的缺陷。

技术研发人员：金泰庆,金性振,李天载
受保护的技术使用者：爱玻索立克公司
技术研发日：
技术公布日：2025/3/27