激光退火装置、激光退火方法及存储介质与流程

本发明涉及一种激光退火装置等。

背景技术：

1、在专利文献1中公开了一种激光退火装置，其对半导体晶片等被处理物上的照射区域依次照射激光脉冲从而实施退火处理。激光脉冲通过适当的激光扫描机构在整个照射区域上进行二维扫描。

2、这样的激光的二维扫描通常通过沿着第1方向的第1扫描和沿着与该第1方向正交的第2方向的第2扫描的组合来实现。例如，在一次第1扫描中，在照射区域的一端与另一端之间沿着第1方向直线状扫描激光。并且，在一次第2扫描中，沿着第2方向扫描激光，以使后续的第1扫描的位置错开。

3、专利文献1：日本特开2018-67642号公报

4、在每次第1扫描中，通常从内接于照射区域的周缘(例如，半导体晶片本身的周缘)的开始位置沿着第1方向直线状扫描激光。此时，每次第1扫描的激光的照射位置沿着第1方向对齐。但是，不同次的第1扫描的激光的照射位置并不一定沿着第2方向对齐。如此，在激光的照射位置沿着第2方向并不对齐的情况下，可能会导致照射区域中的退火处理的一致性或均匀性低的“照射不均”。

技术实现思路

1、本发明是鉴于这种情况而完成的，其目的在于提供一种能够减少退火处理中的照射不均的激光退火装置等。

2、为了解决上述课题，本发明的一种实施方式的激光退火装置对被处理物上的照射区域照射激光以进行退火处理，其具备：激光扫描部，使激光进行扫描，以使其依次照射照射区域中的不同的照射位置；及照射位置对齐部，调整由激光扫描部进行的扫描中的照射位置，以使照射区域中的不同的照射位置沿着彼此交叉的第1方向及第2方向分别对齐。

3、根据本方式，照射区域中的不同的照射位置沿着第1方向及第2方向对齐，因此能够减少退火处理中的照射不均。

4、本发明的另一种实施方式为激光退火方法。该方法是对被处理物上的照射区域照射激光以进行退火处理的激光退火方法，其执行如下步骤：使激光进行扫描，以使其依次照射照射区域中的不同的照射位置；及调整扫描中的照射位置，以使照射区域中的不同的照射位置沿着彼此交叉的第1方向及第2方向分别对齐。

5、本发明的又一种实施方式为存储介质。该存储介质存储有对被处理物上的照射区域照射激光以进行退火处理的激光退火程序，所述激光退火程序被计算机执行以执行如下步骤：使激光进行扫描，以使其依次照射照射区域中的不同的照射位置；及调整扫描中的照射位置，以使照射区域中的不同的照射位置沿着彼此交叉的第1方向及第2方向分别对齐。

6、另外，以上构成要件的任意组合或将这些表述转换成方法、装置、系统、记录介质、计算机程序等的方式也包括在本发明中。

7、根据本发明，能够减少退火处理中的照射不均。

技术特征：

1.一种激光退火装置，其对被处理物上的照射区域照射激光以进行退火处理，所述激光退火装置的特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的激光退火装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的激光退火装置，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的激光退火装置，其特征在于，

5.一种激光退火方法，其对被处理物上的照射区域照射激光以进行退火处理，所述激光退火方法的特征在于，执行如下步骤：

6.一种存储介质，其存储有对被处理物上的照射区域照射激光以进行退火处理的激光退火程序，其特征在于，

技术总结
本发明提供一种能够减少退火处理中的照射不均的激光退火装置等。一种激光退火装置(1)，其对半导体晶片(3)上的照射区域(IR)照射激光脉冲(LP)以进行退火处理，该激光退火装置(1)具备：激光扫描部(6)，使激光脉冲(LP)进行扫描，以使其依次照射照射区域(IR)中的不同的照射位置；及照射位置对齐部(63)，调整由激光扫描部(6)进行的扫描中的照射位置，以使照射区域(IR)中的不同的照射位置沿着彼此交叉的第1方向及第2方向分别对齐。激光扫描部(6)执行第1扫描及第2扫描，第1扫描中使激光脉冲(LP)沿着第1方向进行扫描，第2扫描中使激光脉冲(LP)沿着第2方向进行扫描。

技术研发人员：安田和正
受保护的技术使用者：住友重机械工业株式会社
技术研发日：
技术公布日：2025/4/14