一种片式钽电容器及其封装方法与流程

本发明属于钽电容器，尤其涉及一种片式钽电容器及其封装方法。

背景技术：

1、在电子元器件制造领域，片式钽电容器是一种常见的电子元器件，其生产制造制程主要包括钽芯制造、模压封装、引线框架处理、老练等步骤。其中，模压是将制造好的钽芯通过模压封装制成特定形状的过程。由于mgp模的使用年限延长，往往会产生一些环氧树脂模压溢料，这些溢料可能是整块或很薄的一层，可能会紧贴在引线框架上。

2、现有的方案是在模压后，对引线框架进行碱处理和喷砂等工序去除引线框架上模压封装时的环氧树脂溢料，主要是通过碱处理、喷砂等去除环氧树脂模压溢料。这种方法主要是先通过碱性溶液将引线框架上的模压料进行浸泡，使其软化，然后再通过高速喷射含有小钢丸的压缩空气，使环氧模压溢料从引线框架上脱落下来。然而，这种方法的效果并不理想，往往无法完全去除这些溢料，而且可能会对引线框架造成损伤，严重时，导致引线框架发生形变，影响产品的质量和机械性能。

3、为了解决这个问题，现有的技术主要是通过喷砂工艺来去除这些环氧模压溢料。这种方法主要是通过高速喷射含有磨料的压缩空气，使环氧模压溢料从引线框架上脱落下来。然而，这种方法的效果并不理想，往往无法完全去除这些溢料。

4、其次，喷砂工艺可能会对引线框架造成损伤，影响其使用寿命和可靠性。此外，喷砂工艺还会产生大量的粉尘和噪音，对环境和操作人员的健康造成影响。最后，碱处理过程需要现将引线框架放到碱性溶液中进行高温软化处理模压料，碱处理过程可能会造成碱性溶液进入模压料内部，严重时影响钽电容器电性能。

5、因此，如何有效地去除这些环氧模压溢料，提高产品的质量和性能，是当前技术面临的一个重要问题。

6、公告号为cn117476369a的专利文件公开了一种导电聚合物为阴极的片式钽电容器的制备方法，方法包括：在介质层表面涂覆聚乙烯醇处理液，增强介质层与导电聚合物层的粘合力；在处理层外被覆具有高导电率的导电聚合物阴极层；在导电聚合物阴极层外被覆石墨和银浆形成石墨层与银浆层，并通过引线框架进行正、负极引出得到钽芯组，对钽芯组进行模塑封装，即完成导电聚合物为阴极的片式钽电容器的制备。但该专利未公开防止在电容器封装过程中溢料的技术方案。

7、公告号为us20060221586a1的专利文件公开了具有防止粘着剂溢出结构的包装基板，包装基板包括包装单元的阵列。每个封装单元具有载有芯片的芯片垫，围绕芯片垫布置并通过开放空间彼此间隔开的多个引脚，和填充该开放空间的绝缘构件，分别连接在两个引脚之间的无源组件。此外，在连接有无源元件的引脚上施加粘接剂以固定无源元件与各个引脚之间的连接，并且在每个引脚上分别在粘接剂周围设置多个防溢槽。连接无源元件以防止粘合剂溢出，所述至少一个无源部件分别是电阻器，电容器或电感器。但该专利主要解决的技术问题是在无源部件的销之间的安装过程中防止粘接剂溢出，未公开电容器封装过程防溢出的技术内容。

技术实现思路

1、为解决上述技术问题，本发明提供了一种片式钽电容器及其封装方法。

2、本发明通过以下技术方案得以实现。

3、本发明提供的一种片式钽电容器，包括引线框架和钽芯，所述引线框架通过连接部与钽芯连接。

4、优选地，所述引线框架上设置通孔a、通孔b和隔片，所述钽芯设置若干个，钽芯设置在两片隔片之间，所述通孔a设置在引线框架的一侧，所述通孔b设置在引线框架的另一侧。

5、优选地，所述引线框架上设置凹槽a和凹槽b，所述凹槽a对称设置在引线框架的两侧，所述凹槽b设置在引线框架的边角处，所述隔片通过连接片与钽芯连接。

6、一种片式钽电容器的封装方法，包括以下步骤：

7、s1：将引线框架、连接部及钽芯对应连接后，在连接部涂覆水溶性高分子材料；

8、s2：放入模具中进行模压；

9、s3：模压后放入水中浸泡，取出后冲洗干净并烘干；

10、s4：进行电镀处理，完成钽电容器的封装。

11、优选地，所述步骤s1中，在钽芯与引线框架正负极区域的连接部涂覆水溶性高分子材料，涂覆的水溶性高分子材料厚度为0.05-0.5mm。

12、优选地，所述水溶性高分子材料包括羧甲基纤维素、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇、聚乙二醇中的一种或多种。

13、优选地，所述步骤s2中，模压的压力为1.5-2.5mpa，温度为150-200℃，时间为10-20min。

14、优选地，所述步骤s3中，模压后放入50-80℃水中浸泡5-30min，取出后冲洗干净并放入鼓风干燥箱中烘干。

15、优选地，所述步骤s3中烘干温度为65-85℃，烘干时间为5-15min。

16、优选地，所述步骤s4中电镀的材料为锡铅，电镀时间为10-30min，电流密度为2-5a/dm2。

17、本发明的有益效果在于：

18、本发明通过在引线框架正、负极引线区域涂覆一层水溶性高分子膜材料；因水溶性高分子材料具有良好的粘附性和可剥离性，可以在模压过程中有效地防止环氧模压溢料紧贴在引线框架上，有效去除环氧模压溢料，特别是避免溢料紧贴在引线框架上，提高了生产的质量和产品的性能，省去了对溢料进行处理的步骤。

19、本发明的工艺中，若产生溢料会落入连接部上，通过在连接部设置水溶性高分子层，在水或其它溶剂浸泡下，水溶性高分子层会发生溶解，溢料容易脱落，不用进行碱处理，手动打毛刺等去除溢料的步骤，保证了电容器的质量。

技术特征：

1.一种片式钽电容器，其特征在于：包括引线框架(1)和钽芯(3)，所述引线框架(1)通过连接部(2)与钽芯(3)连接。

2.如权利要求1所述的一种片式钽电容器，其特征在于：所述引线框架(1)上设置通孔a(4)、通孔b(5)和隔片(6)，所述钽芯(3)设置若干个，钽芯(3)设置在两片隔片(6)之间，所述通孔a(4)设置在引线框架(1)的一侧，所述通孔b(5)设置在引线框架(1)的另一侧。

3.如权利要求2所述的一种片式钽电容器，其特征在于：所述引线框架(1)上设置凹槽a(7)和凹槽b(8)，所述凹槽a(7)对称设置在引线框架(1)的两侧，所述凹槽b(8)设置在引线框架(1)的边角处，所述隔片(6)通过连接片(9)与钽芯(3)连接。

4.一种如权利要求1-3任一项所述的片式钽电容器的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

5.如权利要求4所述的一种片式钽电容器的封装方法，其特征在于：所述步骤s1中，在钽芯(3)与引线框架(1)正负极区域的连接部(2)涂覆水溶性高分子材料，涂覆的水溶性高分子材料厚度为0.05-0.5mm。

6.如权利要求4所述的一种片式钽电容器的封装方法，其特征在于：所述水溶性高分子材料包括羧甲基纤维素、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇、聚乙二醇中的一种或多种。

7.如权利要求4所述的一种片式钽电容器的封装方法，其特征在于：所述步骤s2中，模压的压力为1.5-2.5mpa，温度为150-200℃，时间为10-20min。

8.如权利要求4所述的一种片式钽电容器的封装方法，其特征在于：所述步骤s3中，模压后放入50-80℃水中浸泡5-30min，取出后冲洗干净并放入鼓风干燥箱中烘干。

9.如权利要求4所述的一种片式钽电容器的封装方法，其特征在于：所述步骤s3中烘干温度为65-85℃，烘干时间为5-15min。

10.如权利要求4所述的一种片式钽电容器的封装方法，其特征在于：所述步骤s4中电镀的材料为锡铅，电镀时间为10-30min，电流密度为2-5a/dm2。

技术总结
本发明公开了一种片式钽电容器及其封装方法，所述电容器包括引线框架和钽芯，所述引线框架通过连接部与钽芯连接。所述封装方法，包括以下步骤：将引线框架、连接部及钽芯对应连接后，在连接部涂覆水溶性高分子材料；放入模具中进行模压；模压后放入水中浸泡，取出后冲洗干净并烘干；进行电镀处理，完成钽电容器的封装。本发明通过在引线框架正、负极引线区域涂覆一层水溶性高分子膜材料；因水溶性高分子材料具有良好的粘附性和可剥离性，可以在模压过程中有效地防止环氧模压溢料紧贴在引线框架上，有效去除环氧模压溢料，特别是避免溢料紧贴在引线框架上，提高了生产的质量和产品的性能，省去了对溢料进行处理的步骤。

技术研发人员：敬通国,黎铭崧,韦茗仁,彭云峰,张凯
受保护的技术使用者：中国振华（集团）新云电子元器件有限责任公司（国营第四三二六厂）
技术研发日：
技术公布日：2025/1/2