半导体装置的制造方法与流程

本发明涉及一种半导体装置的制造方法。

背景技术：

1、随着集成电路的整合度(integration level)越来越高，半导体装置不再是所有集成电路形成在同一个晶粒中，而是越来越多的装置晶粒接合在一起形成封装，其中具有不同功能的装置晶粒可以一起运作来实现系统功能。

技术实现思路

1、本揭露是针对一种制造半导体装置的方法，包括：将第一装置晶片接合至第一支撑晶片；将第二装置晶片接合至所述第一装置晶片；在将所述第二装置晶片接合至所述第一装置晶片之后，将第二支撑晶片接合至所述第二装置晶片，其中所述第二支撑晶片在俯视图中比所述第一装置晶片和所述第二装置晶片具有更大的面积；以及对所述第一装置晶片、所述第二装置晶片和所述第二支撑晶片执行切单工艺，形成单一化的半导体封装件。

2、在一些实施例中，本揭露提供另一种制造半导体装置的方法，包括：利用第一晶片的第一接合层，将多个装置晶粒接合至所述第一晶片；在所述第一晶片之上沉积绝缘材料，其中所述绝缘材料包围所述多个装置晶粒的每一个并包封所述第一晶片；在所述多个装置晶粒的暴露表面上方及所述绝缘材料上方形成第二接合层；将第一装置晶片接合至与所述多个装置晶粒相对的所述第二接合层；在将所述第一装置晶片接合至所述第二接合层之后，对所述第一装置晶片、所述绝缘材料及所述第一晶片进行第一边缘修整工艺；以及对所述第一装置晶片及在所述多个装置晶粒的每一个之间的所述绝缘材料执行切单工艺。

3、在一些实施例中，本揭露提供另一种制造半导体装置的方法，包括：将第一装置晶片接合至第一载体晶片，所述第一装置晶片在俯视图中具有第一区域；将第二装置晶片接合到与所述第一载体晶片相对的所述第一装置晶片，所述第二装置晶片在所述俯视图中具有所述第一区域；将第三装置晶片接合至与所述第一装置晶片相对的所述第二装置晶片，所述第三装置晶片在所述俯视图中具有所述第一区域；进行边缘修整工艺，其中在所述边缘修整工艺之后，所述第一载体晶片的凹陷具有与所述第一装置晶片、所述第二装置晶片和所述第三装置晶片的侧壁共平面的侧壁；进行所述边修整工艺之后，将第二载体晶片接合至与所述第二装置晶片相对的所述第三装置晶片；以及在接合所述第二载体晶片之后，去除所述第一载体晶片。

技术特征：

1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成单一化的所述半导体封装件不使用间隙填充工艺。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一装置晶片接合到所述第一支撑晶片包括形成熔合键。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，还包括在执行所述切单工艺之前去除所述第一支撑晶片。

5.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，还包括将第二装置晶片接合至与所述多个装置晶粒相对的所述第一装置晶片。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括对所述第二装置晶片执行第二边缘修整工艺。

8.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第二载体晶片包括具有被介电接合层覆盖的外表面的均质衬底。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，接合所述第二载体晶片包括在所述介电接合层和所述第三装置晶片的介电层之间形成熔合键。

技术总结
本发明提供一种半导体装置的制造方法。根据一些实施例，第一装置晶片透过晶片上晶片接合来接合至第一载体，且附加的装置晶片可于后续接合至第一装置晶片。然后将支撑晶片接合至最顶部的装置晶片，然后移除第一晶片。然后，接合的晶片结构可被单一化成单独的半导体装置封装件。透过晶片上晶片接合工艺，可减少制造成本及循环时间。

技术研发人员：陈燕铭,林咏淇
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2025/2/27