驱动机构的保湿控制方法、晶圆清洗装置、存储介质与流程

本申请涉及晶圆清洗，尤其涉及一种驱动机构的保湿控制方法、晶圆清洗装置、存储介质及电子设备。

背景技术：

1、在半导体领域，cmp(chemica l mechan ica l po l i sh ing，化学机械抛光)属于晶圆制造工序中的核心制程之一，cmp后的晶圆表面会引入污染和/或颗粒物，因此，需要对晶圆进行清洗、干燥等后处理。

2、通常，用于清洗晶圆的刷洗系统一般包含有驱动模块和喷淋模块，驱动模块驱动晶圆旋转，喷淋模块向晶圆的表面喷淋清洗液以进行清洗。然而现有技术中，对于驱动模块的保湿的用水量较大，损耗较高。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请提供一种驱动机构的保湿控制方法、晶圆清洗装置、存储介质及电子设备，以至少部分解决上述问题。

2、根据实施例的第一方面，提供了一种驱动机构的保湿控制方法，应用于晶圆清洗装置中的驱动机构，所述驱动机构包括轮体和旋转轴，所述旋转轴与所述轮体同步旋转，所述旋转轴内部设置第一流道，所述轮体内部包括沿所述轮体的径向设置的第二流道，所述第一流道用于向所述第二流道输送流体，所述流体通过所述第二流道从所述轮体的外缘流出，所述轮体的外缘设置有与晶圆配合、且与所述第二流道相通的间隙，所述驱动机构的保湿控制方法包括：

3、控制所述流体以微正压模式流入所述第一流道，其中，所述微正压模式下所述流体的压力大于0ps i且小于100ps i。

4、根据实施例的第二方面，提供了一种晶圆清洗装置，包括：驱动机构和控制器，所述驱动机构包括轮体和旋转轴，所述旋转轴用于带动所述轮体旋转，所述旋转轴内部设置第一流道，所述轮体内部包括沿所述轮体的径向设置的第二流道，所述第一流道用于向所述第二流道输送流体，所述流体通过所述第二流道从所述轮体的外缘流出，所述轮体的外缘设置有与晶圆配合、且与所述第二流道相通的间隙；所述控制器用于执行如下方法：控制所述流体以微正压模式流入所述第一流道，其中，所述微正压模式下所述流体的压力大于0ps i且小于100ps i。

5、根据实施例的第三方面，提供了一种计算机存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现如第一方面所述的方法。

6、根据实施例的第四方面，提供了一种电子设备，包括处理器、存储器、通信接口和通信总线，处理器、存储器和通信接口通过通信总线完成相互间的通信；存储器用于存放至少一可执行指令，可执行指令使处理器执行如第一方面所述的方法对应的操作。

7、本申请实施例中，通过在驱动机构的旋转轴内部设置第一流道，在轮体内部设置沿轮体的径向的第二流道，通过第一流道向第二流道输送流体，流体通过第二流道从轮体的外缘流出，可以对晶圆与轮体的接触位置进行清洗，从而避免晶圆边缘出现磨损或污染；同时，流体通过第二流道从轮体的外缘流出，可以对轮体进行保湿，无需单独对轮体进行喷淋保湿，并且针对轮体的不同工作状态，可以灵活切换不同的保湿模式，从而可以进一步节约流体用量，减少损耗。

8、在半导体领域，晶圆清洗是必备流程，每道工艺程序后面都会进行晶圆清洗，导致生产晶圆的耗水量很大；并且通常使用去离子水进行晶圆清洗，而生产去离子水的成本也很高；不利于节能、减排、降碳等。而本申请提供的方案，既提高了晶圆的成品率，又节约了因晶圆被污染或磨损导致的额外清洗资源，有利于企业开展esg(envi ronmenta l(环境)，socia l(社会)，governance(治理))管理。

技术特征：

1.一种驱动机构的保湿控制方法，其特征在于，应用于晶圆清洗装置中的驱动机构，所述驱动机构包括轮体和旋转轴，所述旋转轴与所述轮体同步旋转，所述旋转轴内部设置第一流道，所述轮体内部包括沿所述轮体的径向设置的第二流道，所述第一流道用于向所述第二流道输送流体，所述流体通过所述第二流道从所述轮体的外缘流出，所述轮体的外缘设置有与晶圆配合、且与所述第二流道相通的间隙，所述驱动机构的保湿控制方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述控制所述流体以微正压模式流入所述第一流道包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述冲洗模式下的流体压力大于所述微正压模式下的流体压力。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述对轮体进行保湿包括：按照驱动机构的跑片频率确定流体的控制量，以在跑片过程中对轮体进行保湿。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述流体的控制量包括以下至少之一：开启间隔、持续时间和流量。

8.一种晶圆清洗装置，其特征在于，包括：驱动机构和控制器，

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述控制所述流体以微正压模式流入所述第一流道包括：

10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述控制器还用于：

11.根据权利要求10所述的装置，其特征在于，所述冲洗模式下的流体压力大于所述微正压模式下的流体压力。

12.根据权利要求10所述的装置，其特征在于，所述控制器还用于：

13.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，所述对轮体进行保湿包括：按照驱动机构的跑片频率确定流体的控制量，以在跑片过程中对轮体进行保湿。

14.根据权利要求13所述的装置，其特征在于，所述流体的控制量包括以下至少之一：开启间隔、持续时间和流量。

15.一种电子设备，其特征在于，包括：处理器、存储器、通信接口和通信总线，所述处理器、所述存储器和所述通信接口通过所述通信总线完成相互间的通信；

16.一种计算机存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该程序被处理器执行时实现如权利要求1-7中任一所述的方法。

技术总结
本申请提供了一种驱动机构的保湿控制方法、晶圆清洗装置、存储介质及电子设备，驱动机构包括轮体和旋转轴，旋转轴与轮体同步旋转，旋转轴内部设置第一流道，轮体内部包括沿轮体的径向设置的第二流道，第一流道用于向第二流道输送流体，流体通过第二流道从轮体的外缘流出，轮体的外缘设置有与晶圆配合、且与第二流道相通的间隙，驱动机构的保湿控制方法包括：控制流体以微正压模式流入第一流道，其中，微正压模式下流体的压力大于0ps i且小于100ps i。本申请通过以微正压模式向驱动机构的旋转轴内部的第一流道向轮体内部的第二流道输送流体，流体从轮体的外缘流出，对晶圆与轮体的接触位置进行清洗，避免晶圆边缘出现磨损或污染，节约流体用量。

技术研发人员：路新春,孙传恽,刘晟桤,许振杰,李长坤
受保护的技术使用者：华海清科股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2025/2/10