晶粒的分离方法及晶粒与流程

本发明涉及半导体，尤其涉及一种晶粒的分离方法及晶粒。

背景技术：

1、在封装制程中，针对切割道较窄的晶圆，通常采用切割工艺在晶圆上形成多个待分离的晶粒；然后采用扩膜的方式将这些晶粒分离开。然而，现有的分离方法很难将面积较小的多个待分离的晶粒分离开。

技术实现思路

1、本申请提供的晶粒的分离方法及晶粒，能够分离面积较小的多个待分离的晶粒。

2、为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种晶粒的分离方法，该方法包括：

3、提供晶圆；所述晶圆具有相背的正面和背面，所述晶圆具有经切割后形成的多个待分离的晶粒；

4、利用第一扩展膜对所述晶圆进行第一次扩膜处理，其中，所述第一扩展膜设置在所述晶圆的正面和背面中的其中一个表面上；

5、在所述晶圆的正面和背面中的另一个表面设置第二扩展膜，并利用所述第二扩展膜对所述晶圆进行第二次扩膜处理，以分离所述多个待分离的晶粒。

6、在本申请一个实施例中，所述第一扩展膜设置在所述晶圆的背面；

7、所述在所述晶圆的正面和背面中的另一个表面设置第二扩展膜的步骤，包括：

8、在所述晶圆的正面设置所述第二扩展膜。

9、在本申请一个实施例中，在利用所述第二扩展膜对所述晶圆进行第二次扩膜处理之后，若所述多个待分离的晶粒仍未被完全分离，则继续依序交替地在所述晶圆的背面或正面设置其它扩展膜，并利用所述其它扩展膜对所述晶圆进行扩膜处理，直至将所述多个待分离的晶粒完全分离。

10、在本申请一个实施例中，在利用设置在所述晶圆的正面的扩展膜对所述晶圆进行扩膜处理之前，先去除设置在所述晶圆的背面的扩展膜；和/或

11、在利用设置在所述晶圆的背面的扩展膜对所述晶圆进行扩膜处理之前，先去除设置在所述晶圆的正面的扩展膜。

12、在本申请一个实施例中，在去除设置在所述晶圆的背面的扩展膜之前，先在所述晶圆的正面设置扩展膜；和/或

13、在去除设置在所述晶圆的正面的扩展膜之前，先在所述晶圆的背面设置扩展膜。

14、在本申请一个实施例中，在利用设置在所述晶圆的背面的扩展膜进行扩膜处理时，所述晶圆通过设置在所述晶圆的背面的扩展膜夹持固定于扩膜治具；

15、在利用设置在所述晶圆的正面的扩展膜进行扩膜处理时，所述晶圆通过设置在所述晶圆的正面的扩展膜夹持固定于所述扩膜治具。

16、在本申请一个实施例中，采用隐形切割的方式对所述晶圆进行切割，以形成多个所述待分离的晶粒。

17、在本申请一个实施例中，每次对所述晶圆进行扩膜处理的工艺参数不相同。

18、在本申请一个实施例中，分离后的所述晶粒的面积不大于9mm2。

19、为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种晶粒，采用上述所涉及的晶粒的分离方法分离得到。

20、本申请实施例的有益效果，区别于现有技术：本实施例提供的晶粒的分离方法，利用设置在晶圆的正面和背面中的其中一个表面上的第一扩展膜对晶圆进行第一次扩膜处理；然后在晶圆的正面和背面中的另一个表面设置第二扩展膜，并利用第二扩展膜对晶圆进行第二次扩膜处理，以分离多个待分离的晶粒；该方法从晶圆的正面和背面分别进行扩膜处理，这样增加了对晶圆的扩膜处理的次数，以增大已扩开的待分离的晶粒之间的间距，给未扩开的待分离的晶粒更多的扩膜空间，从而使得该方法可以扩开面积更小的多个待分离的晶粒，适用范围更广。同时，通过对晶圆的正面和背面均进行扩膜处理，可以更有效的扩开晶圆的正面和/或背面未被切割开的部分。此外，该方法兼容晶圆经隐形切割之后，单次扩膜无法完全分离待分离的晶粒的产品。

技术特征：

1.一种晶粒的分离方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶粒的分离方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的晶粒的分离方法，其特征在于，

4.根据权利要求1-3任一项所述的晶粒的分离方法，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的晶粒的分离方法，其特征在于，

6.根据权利要求1-3任一项所述的晶粒的分离方法，其特征在于，

7.根据权利要求1-3任一项所述的晶粒的分离方法，其特征在于，

8.根据权利要求1-3任一项所述的晶粒的分离方法，其特征在于，

9.根据权利要求1所述的晶粒的分离方法，其特征在于，

10.一种晶粒，其特征在于，采用权利要求1至9任一项所述的晶粒的分离方法分离得到。

技术总结
本申请提供一种晶粒的分离方法及晶粒。该晶粒的分离方法包括：提供晶圆；所述晶圆具有相背的正面和背面，所述晶圆具有经切割后形成的多个待分离的晶粒；利用第一扩展膜对所述晶圆进行第一次扩膜处理，其中，所述第一扩展膜设置在所述晶圆的正面和背面中的其中一个表面上；在所述晶圆的正面和背面中的另一个表面设置第二扩展膜，并利用所述第二扩展膜对所述晶圆进行第二次扩膜处理，以分离所述多个待分离的晶粒。该方法可以扩开面积更小的多个待分离的晶粒，适用范围更广；同时，可以更有效的扩开晶圆的正面和/或背面未被切割开的部分；且该方法兼容晶圆经隐形切割之后，单次扩膜无法完全分离待分离的晶粒的产品。

技术研发人员：潘志刚,石天福,吴之焱
受保护的技术使用者：武汉新芯集成电路股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2025/3/6