可精确控制容值的真空电容器的制作方法

本发明涉及电容器，特别涉及一种可精确控制容值的真空电容器。

背景技术：

1、真空电容器是一种以陶瓷为绝缘外壳，以真空为介质，采用高导无氧铜材料为电极的电容器。与其他电容器相比，它具有耐压高、承载电流大、高频损耗低、瞬时过载后可自愈等特点，特别适合高频高压应用领域。目前，真空电容器已被广泛应用于广播发射、医疗核磁共振、高频加热、半导体刻蚀、等离子清洗等设备中，真空电容器在这些高频设备中与高频电感组成谐振电路，完成高频阻抗匹配，实现射频功率的稳定传输。

2、传统的固定容值真空电容器遵循国标以及生产制程的良率限制，标称容值精度一般设定为标称容值的±5％或±10％。若要进一步提升精度，则要以良率为代价进行精度分选，相应的提升了电容器的成本。但随着半导体领域对电容器精度要求的不断提升，固定电容标称容量值的精度要求也相应提高，这已成为一大趋势。

3、如公告号为cn201918259u的中国实用新型专利公开的一种真空电容器，其包括陶瓷绝缘管、设置在绝缘管两侧管口处的上端盖和下端盖、设置在上端盖内侧边壁上的多个上电极环、设置在下端盖内侧边壁上的多个下电极环，所述各上电极环和各下电极环同心设置，陶瓷绝缘管与所述上端盖及下端盖通过钎焊方式固定连接。此产品高度固定，电极组耦合高度固定，即电容量固定，容值无法进行调节，难以将容值精度控制在±0.5％以内。因此，有必要对现有技术予以改良以克服现有技术中的缺陷。

技术实现思路

1、本发明所要解决的问题是提供一种可精确控制容值的真空电容器，以克服现有真空电容器难以控制容值精度的缺陷。

2、本发明为了解决其技术问题所采用的技术方案是：一种可精确控制容值的真空电容器，包括：

3、壳体；

4、两个电极盘，两个所述电极盘分别密封连接于所述壳体的两端，以在所述壳体的内部形成真空腔室；

5、以及两个电极组，两个所述电极组分别一一对应固定连接于两个所述电极盘，同时两个所述电极组相互耦合地容置在所述真空腔室内；

6、两个所述电极盘中至少有一个通过连接件与所述壳体密封连接，且所述连接件设有形变部位，当对所述真空电容器施加轴向作用力时，所述连接件受力使得所述形变部位能够产生变形，以增大或是减小所述连接件沿轴向上的长度，从而改变与所述连接件相连的所述电极盘与所述壳体之间的间距，以控制两个所述电极组之间的耦合面积。

7、作为本发明的进一步改进，所述连接件为闭合环状，其沿轴向上的两端分别固定连接于所述壳体和对应的所述电极盘，所述形变部位处在所述连接件的中部。

8、作为本发明的进一步改进，所述连接件与所述壳体及对应的所述电极盘之间均是以焊接方式进行固定连接。

9、作为本发明的进一步改进，所述形变部位为所述连接件沿中部一圈经折弯处理而形成的具有一定夹角的折角，所述折角的尖角朝向所述连接件的内部或外部设置。

10、作为本发明的进一步改进，所述形变部位是由所述连接件沿中部一圈向内凹进或向外凸起而形成，且其纵截面为弧形。

11、作为本发明的进一步改进，所述形变部位呈波纹管状。

12、作为本发明的进一步改进，所述连接件设置有两个，两个所述连接件分别密封连接于两个所述电极盘与所述壳体之间。

13、作为本发明的进一步改进，所述连接件由屈服强度高于100mpa的金属材料制成。

14、作为本发明的进一步改进，所述壳体为管状，其采用硬质绝缘材料制成。

15、作为本发明的进一步改进，两个所述电极组均是由多个电极环同心间隔排列而成，并且两个所述电极组的电极环由内到外交替间隔排列分布，同时两个所述电极组的电极环具有至少部分延伸至彼此之中。

16、本发明的有益效果是：本发明提供一种可精确控制容值的真空电容器，通过在电极盘与壳体之间采用带有形变部位的连接件进行密封连接，当对真空电容器施加轴向作用力时，连接件受力使得形变部位产生变形，以增大或是减小连接件沿轴向上的长度，从而改变与连接件相连的电极盘与壳体之间的间距，也即改变了两个电极组的耦合高度，通过控制施加的轴向作用力来调控两个电极组之间的耦合面积，实现容值的精确调节，使真空电容器的容值精度调节至±0.5％以内，满足了半导体制造设备对于真空电容器的精确容值的需求。

技术特征：

1.一种可精确控制容值的真空电容器，包括：

2.根据权利要求1所述的可精确控制容值的真空电容器，其特征在于：所述连接件(4)为闭合环状，其沿轴向上的两端分别固定连接于所述壳体(1)和对应的所述电极盘(2)，所述形变部位(401)处在所述连接件(4)的中部。

3.根据权利要求2所述的可精确控制容值的真空电容器，其特征在于：所述连接件(4)与所述壳体(1)及对应的所述电极盘(2)之间均是以焊接方式进行固定连接。

4.根据权利要求2所述的可精确控制容值的真空电容器，其特征在于：所述形变部位(401)为所述连接件(4)沿中部一圈经折弯处理而形成的具有一定夹角的折角，所述折角的尖角朝向所述连接件(4)的内部或外部设置。

5.根据权利要求2所述的可精确控制容值的真空电容器，其特征在于：所述形变部位(401)是由所述连接件(4)沿中部一圈向内凹进或向外凸起而形成，且其纵截面为弧形。

6.根据权利要求2所述的可精确控制容值的真空电容器，其特征在于：所述形变部位(401)呈波纹管状。

7.根据权利要求1所述的可精确控制容值的真空电容器，其特征在于：所述连接件(4)设置有两个，两个所述连接件(4)分别密封连接于两个所述电极盘(2)与所述壳体(1)之间。

8.根据权利要求1所述的可精确控制容值的真空电容器，其特征在于：所述连接件(4)由屈服强度高于100mpa的金属材料制成。

9.根据权利要求1所述的可精确控制容值的真空电容器，其特征在于：所述壳体(1)为管状，其采用硬质绝缘材料制成。

10.根据权利要求1所述的可精确控制容值的真空电容器，其特征在于：两个所述电极组(3)均是由多个电极环同心间隔排列而成，并且两个所述电极组(3)的电极环由内到外交替间隔排列分布，同时两个所述电极组(3)的电极环具有至少部分延伸至彼此之中。

技术总结
本发明公开了一种可精确控制容值的真空电容器，包括：壳体、两个电极盘以及两个电极组，两个电极盘分别密封连接于壳体的两端，以在壳体的内部形成真空腔室；两个电极组分别一一对应固定连接于两个电极盘，同时两个电极组相互耦合地容置在真空腔室内；两个电极盘中至少有一个通过连接件与壳体密封连接，且连接件设有形变部位，当对真空电容器施加轴向作用力时，连接件受力使得形变部位能够产生变形，以增大或是减小连接件沿轴向上的长度，从而改变与连接件相连的电极盘与壳体之间的间距，以控制两个电极组之间的耦合面积。本发明能够调控两个电极组之间的耦合面积，实现容值的精确调节，满足了半导体制造设备对于真空电容器的精确容值的需求。

技术研发人员：王舒舒,刘哲,曹明,覃奀垚,胡滨
受保护的技术使用者：昆山国力电子科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2025/3/13