一种桥式LED灯结构的制作方法

本发明涉及一种桥式led灯结构，属于照明装置。

背景技术：

1、现有技术中led灯的本质是发光二极管，而发光二极管在使用时，需要严格避免电流反向击穿，并且运行时的升温较高，绝大部分led灯的损坏都在于反向击穿或者温度过高，为此一般都是分别进行处理，针对电流问题独立设置外部电路避免反向电流，针对升温问题另外设置降温装置，这种方式一来麻烦，需要更多的设计工作，时间成本和人力成本都高，二来结构复杂、体积较大，空间资源和能耗都较高。

技术实现思路

1、为解决上述技术问题，本发明提供了一种桥式led灯结构，该桥式led灯结构基于p型半导体、n型半导体和led芯片构成桥型结构的方式，能有效一体整合解决防治反向击穿和避免温度过高两个方面的问题，从而大幅降低时间成本、人力成本、空间资源占用和能耗。

2、本发明通过以下技术方案得以实现。

3、本发明提供的一种桥式led灯结构，包括p型半导体和n型半导体；所述p型半导体和n型半导体成对焊接于电路板上，每对p型半导体和n型半导体之间均有空隙且在该空隙上方有led灯芯片搭接；电路板上分布多对p型半导体和n型半导体，电路板上布有板载电路连接多对p型半导体和n型半导体构成led电路。

4、所述电路板底部有散热板用于散热。

5、所述led灯芯片下方位置有反光片位于p型半导体和n型半导体之间，用于反射led灯芯片发光。

6、所述多对p型半导体和n型半导体呈阵列均布，每对p型半导体和n型半导体的分布方向相同，且n型半导体为正相通道。

7、所述多对p型半导体和n型半导体之间的位置有中央芯片搭接于非成对的p型半导体和n型半导体之间。

8、所述中央芯片底部正对安装有反光片，用于反射中央芯片发光。

9、所述反光片为朝上弯曲的弧形镜面。

10、所述p型半导体为p型温差半导体，n型半导体为n型温差半导体。

11、所述散热板至少有一侧为梳齿状，并至少有一侧为整版条状。

12、所述p型半导体、n型半导体、电路板整体构成led灯单体，多个led灯单体阵列分布安装在基板上。

13、本发明的有益效果在于：p型半导体、n型半导体和led芯片构成桥型结构的方式，能有效一体整合解决防治反向击穿和避免温度过高两个方面的问题，从而大幅降低时间成本、人力成本、空间资源占用和能耗。

技术特征：

1.一种桥式led灯结构，包括p型半导体(11)和n型半导体(12)，其特征在于：所述p型半导体(11)和n型半导体(12)成对焊接于电路板(21)上，每对p型半导体(11)和n型半导体(12)之间均有空隙且在该空隙上方有led灯芯片(13)搭接；电路板(21)上分布多对p型半导体(11)和n型半导体(12)，电路板(21)上布有板载电路(22)连接多对p型半导体(11)和n型半导体(12)构成led电路。

2.如权利要求1所述的桥式led灯结构，其特征在于：所述电路板(21)底部有散热板(23)用于散热。

3.如权利要求1所述的桥式led灯结构，其特征在于：所述led灯芯片(13)下方位置有反光片(14)位于p型半导体(11)和n型半导体(12)之间，用于反射led灯芯片(13)发光。

4.如权利要求1所述的桥式led灯结构，其特征在于：所述多对p型半导体(11)和n型半导体(12)呈阵列均布，每对p型半导体(11)和n型半导体(12)的分布方向相同，且n型半导体(12)为正相通道。

5.如权利要求4所述的桥式led灯结构，其特征在于：所述多对p型半导体(11)和n型半导体(12)之间的位置有中央芯片(15)搭接于非成对的p型半导体(11)和n型半导体(12)之间。

6.如权利要求5所述的桥式led灯结构，其特征在于：所述中央芯片(15)底部正对安装有反光片(14)，用于反射中央芯片(15)发光。

7.如权利要求3或6所述的桥式led灯结构，其特征在于：所述反光片(14)为朝上弯曲的弧形镜面。

8.如权利要求1所述的桥式led灯结构，其特征在于：所述p型半导体(11)为p型温差半导体，n型半导体(12)为n型温差半导体。

9.如权利要求2所述的桥式led灯结构，其特征在于：所述散热板(23)至少有一侧为梳齿状，并至少有一侧为整版条状。

10.如权利要求1所述的桥式led灯结构，其特征在于：所述p型半导体(11)、n型半导体(12)、电路板(21)整体构成led灯单体(31)，多个led灯单体(31)阵列分布安装在基板(32)上。

技术总结
本发明涉及照明装置技术领域，提供了一种桥式LED灯结构，包括P型半导体和N型半导体；所述P型半导体和N型半导体成对焊接于电路板上，每对P型半导体和N型半导体之间均有空隙且在该空隙上方有LED灯芯片搭接；电路板上分布多对P型半导体和N型半导体，电路板上布有板载电路连接多对P型半导体和N型半导体构成LED电路。本发明P型半导体、N型半导体和LED芯片构成桥型结构的方式，能有效一体整合解决防治反向击穿和避免温度过高两个方面的问题，从而大幅降低时间成本、人力成本、空间资源占用和能耗。

技术研发人员：陈志明,陈昱衡,王维刚,王锦逸,刘岱忠,陈愉,朱文贲
受保护的技术使用者：陈昱衡
技术研发日：
技术公布日：2025/3/6