一种水槽及硅片取放方法、装置及设备与流程

本发明涉及半导体加工，尤其涉及一种水槽及硅片取放方法、装置及设备。

背景技术：

1、在半导体制造中，湿法处理(wet type)设备用于进行化学蚀刻、清洗、去除氧化层等工艺。湿法处理装置通常使用液体化学品对硅片进行处理，相对于干法处理(如等离子体蚀刻)，湿法处理在某些应用中能够提供更均匀的蚀刻效果。

2、在湿法处理装置的unload端(卸料端)是通过机械臂将unload盘中的硅片转移至水槽中，然后再通过人工将水槽运送至槽式清洗机进行清洗。

3、在机械臂将unload盘中的硅片转移至水槽的过程中，由于水槽通过在底部设置垫片，来使得水槽倾斜角度与机械臂配合，以顺利将硅片转移至水槽中。然而，位于水槽底部的垫片会随着水槽使用时间的变长而出现磨损，甚至出现相对移动，致使水槽过于倾斜。unload端机械臂夹取硅片后移动到固定点位之后，沿着原设定路径将硅片放入水槽时，就可能发生机械臂夹取的硅片与水槽中的硅片之间发生机械干涉的现象，而严重影响硅片品质。

技术实现思路

1、为了解决上述现有技术中至少一种技术问题，本公开实施例提供了一种一种水槽及硅片取放方法、装置及设备。

2、本公开实施例所提供的技术方案如下：

3、第一方面，本公开实施例提供了一种水槽，其包括：

4、水槽主体；

5、片盒定位件，设置于所述水槽主体的内部，所述片盒定位件包括沿水平方向相对的第一侧和第二侧；其中，

6、在所述第一侧，所述片盒定位件的底部与所述水槽主体的底面之间铰接；

7、在所述第二侧，所述水槽主体的底面上设有升降组件，所述升降组件的底端安装至所述水槽主体的底面上，所述升降组件的顶端相对所述水槽主体的底面沿竖直方向可升降，且所述升降组件的顶端抵顶于所述片盒定位件的底部，以使所述片盒定位件的底部第二侧可升降至不同高度。

8、示例性的，在所述第二侧，所述片盒定位件的底部设置有一弹性缓冲件，所述升降组件的顶端抵顶于所述弹性缓冲件上。

9、示例性的，所述弹性缓冲件具有用于与所述升降组件的顶端接触的接触面，所述接触面被构造为半球面；其中，所述升降组件的顶端相对所述水槽主体的底面升降至不同高度时，所述升降组件的顶端与所述半球面的接触点位置不同。

10、示例性的，所述水槽主体的侧壁上设有第一传感器，所述第一传感器用于感应在其检测范围内是否存在目标障碍物。

11、示例性的，所述水槽主体包括位于所述第二侧的第二侧壁，在所述第二侧壁上设有第二传感器，所述第二传感器用于感应所述升降组件的顶端的升降高度。

12、第二方面，本公开实施例提供了一种硅片取放方法，其用于向如上所述的水槽中存放硅片；所述方法包括：

13、通过所述升降组件将所述片盒定位件的底部第二侧顶起，以使所述片盒定位件的第二侧绕所述第一侧与所述水槽主体之间的铰接点转动，直至所述片盒定位件的底部第二侧从初始高度上升至目标高度；

14、通过硅片取放机构向所述水槽中存放硅片；

15、当所述硅片取放机构向所述水槽中存放的硅片数量达到目标数值时，控制所述升降组件的顶端开始下降，直至达到所述初始高度。

16、示例性的，应用于如上所述的水槽时，所述通过所述升降组件将所述片盒定位件的底部第二侧顶起，以使所述片盒定位件的第二侧绕所述第一侧与所述水槽主体之间的铰接点转动，直至所述片盒定位件的底部第二侧从初始高度上升至目标高度，具体包括：

17、当所述第一传感器检测到其检测范围内存在目标障碍物时，所述升降组件从所述初始位置开始上升。

18、示例性的，通过所述升降组件将所述片盒定位件的底部第二侧顶起，以使所述片盒定位件的第二侧绕所述第一侧与所述水槽主体之间的铰接点转动，直至所述片盒定位件的底部第二侧从初始高度上升至目标高度，具体包括：

19、当所述第二传感器感应到所述升降组件的顶端从初始高度上升至所述目标高度时，控制所述升降组件的顶端停止运动并保持在所述目标高度；

20、所述当所述硅片取放机构向所述水槽中存放的硅片数量达到目标数值时，控制所述升降组件的顶端开始下降，直至达到所述初始高度，具体包括：

21、当所述第二传感器感应到所述升降组件的顶端从所述目标高度下降至所述初始高度时，控制所述升降组件的顶端停止运动并保持在所述初始高度。

22、第三方面，本公开实施例提供了一种湿法处理装置，包括：

23、湿法刻蚀单元，包括装料端和卸料端；

24、如上所述的水槽，所述水槽设于所述卸料端；

25、用于将硅片从所述湿法刻蚀单元转送至所述水槽内的硅片取放机构；

26、控制单元，所述控制单元用于：

27、控制所述升降组件将所述片盒定位件的底部第二侧顶起，以使所述片盒定位件的第二侧绕所述第一侧与所述水槽主体之间的铰接点转动，直至所述片盒定位件的底部第二侧从初始高度上升至目标高度；

28、当所述片盒定位件的底部第二侧处于所述目标高度时，控制硅片取放机构向所述水槽中存放硅片；

29、当所述硅片取放机构向所述水槽中存放的硅片数量达到目标数值时，控制所述升降组件的顶端开始下降，直至达到所述初始高度。

30、第四方面，本公开实施例提供了一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的一个或多个程序，当所述一个或多个程序被所述处理器执行时，使得所述电子设备执行如上所述的硅片取放方法。

31、本公开实施例所带来的有益效果如下：

32、本公开实施例所提供的水槽及硅片取放方法、装置及设备中，所述水槽包括水槽主体和设于水槽主体内部的片盒定位件，其中片盒定位件包括沿水平方向相对的第一侧和第二侧，在第一侧，片盒定位件的底部与水槽主体的底部之间铰接，在第二侧，片盒定位件的底部与水槽主体的底面之间设置升降组件，且升降组件的底端安装在水槽主体的底面上，升降组件的顶端抵顶片盒定位件的底部，升降组件的顶端可沿竖直方向升降，以带动片盒定位件的底部第二侧升降至不同高度。这样，当需要向水槽内放置硅片时，可在所述片盒定位件上放置好片盒之后，通过升降组件将所述片盒定位件的底部第二侧顶起，且此时所述片盒定位件的第二侧绕所述第一侧与所述水槽主体之间的铰接点转动，直至所述片盒定位件的底部第二侧从初始高度上升至目标高度，这样，通过精确控制所述升降组件的升降高度，可实现将所述片盒定位件的底部倾斜至预设角度的目的，从而通过硅片取放机构向所述水槽中的片盒内存放硅片时，由于所述片盒定位件的倾斜角度为与硅片取放机构适配的预设角度，可避免所述片盒内的硅片与硅片取放机构之间发生机械干涉，从而避免硅片发生损坏。

技术特征：

1.一种水槽，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的水槽，其特征在于，在所述第二侧，所述片盒定位件的底部设置有一弹性缓冲件，所述升降组件的顶端抵顶于所述弹性缓冲件上。

3.根据权利要求2所述的水槽，其特征在于，所述弹性缓冲件具有用于与所述升降组件的顶端接触的接触面，所述接触面被构造为半球面。

4.根据权利要求1所述的水槽，其特征在于，所述水槽主体的侧壁上设有第一传感器，所述第一传感器用于感应在其检测范围内是否存在目标障碍物。

5.根据权利要求1所述的水槽，其特征在于，所述水槽主体包括位于所述第二侧的第二侧壁，在所述第二侧壁上设有第二传感器，所述第二传感器用于感应所述升降组件的顶端的升降高度。

6.一种硅片取放方法，其特征在于，用于向如权利要求1至5任一项所述的水槽中存放硅片；所述方法包括：

7.根据权利要求6所述的硅片取放方法，其特征在于，应用于如权利要求4所述的水槽时，所述通过所述升降组件将所述片盒定位件的底部第二侧顶起，以使所述片盒定位件的第二侧绕所述第一侧与所述水槽主体之间的铰接点转动，直至所述片盒定位件的底部第二侧从初始高度上升至目标高度，具体包括：

8.根据权利要求6所述的硅片取放方法，其特征在于，应用于如权利要求5所述的水槽时，通过所述升降组件将所述片盒定位件的底部第二侧顶起，以使所述片盒定位件的第二侧绕所述第一侧与所述水槽主体之间的铰接点转动，直至所述片盒定位件的底部第二侧从初始高度上升至目标高度，具体包括：

9.一种湿法处理装置，其特征在于，包括：

10.一种电子设备，其特征在于：包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的一个或多个程序，当所述一个或多个程序被所述处理器执行时，使得所述电子设备执行如权利要求6至8任一项所述的硅片取放方法。

技术总结
本公开提供一种水槽及硅片取放方法、装置及设备，所述水槽包括：水槽主体；片盒定位件，设置于所述水槽主体的内部，所述片盒定位件包括沿水平方向相对的第一侧和第二侧；其中，在所述第一侧，所述片盒定位件的底部与所述水槽主体的底面之间铰接；在所述第二侧，所述水槽主体的底面上设有升降组件，所述升降组件的底端安装至所述水槽主体的底面上，所述升降组件的顶端相对所述水槽主体的底面沿竖直方向可升降，且所述升降组件的顶端抵顶于所述片盒定位件的底部，以使所述片盒定位件的底部第二侧可升降至不同高度。本公开提供的水槽及硅片取放方法、装置及设备能够减少硅片损伤，提升产能。

技术研发人员：李凡
受保护的技术使用者：西安奕斯伟材料科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2025/3/24