半导体结构及其制造方法、转接板与流程

本公开涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体结构及其制造方法、转接板。

背景技术：

1、近年来，半导体集成电路行业经历了快速发展。随着消费市场对于电子产品在小型化、功能多样化等方面的要求越来越高，将多个芯片集成在一起的先进封装技术应运而生。

2、在2.5d或3d先进封装中，转接板(interposer)通常被用于集成多个芯片并实现多个芯片之间的互联，常见的转接板包括硅转接板、有机转接板和玻璃转接板等。其中，玻璃转接板具有绝缘性优良、成本低廉等优势，而如何简化玻璃转接板的制造工艺并提高工艺良率，成为了业界亟待解决的问题。

技术实现思路

1、本公开提供一种半导体结构及其制造方法、转接板。

2、第一方面，本公开提供了一种半导体结构，包括：

3、玻璃基板；

4、导电结构，贯穿所述玻璃基板；

5、玻璃介质层，位于所述玻璃基板与所述导电结构之间；所述玻璃基板的熔点高于所述玻璃介质层的熔点。

6、在一些实施例中，所述玻璃基板和/或所述玻璃介质层的材料包括硅酸盐玻璃。

7、在一些实施例中，所述导电结构包括：

8、导电柱，贯穿所述玻璃基板；

9、阻挡层，位于所述导电柱与所述玻璃介质层之间。

10、第二方面，本公开提供了一种半导体结构的制造方法，所述制造方法包括：

11、提供玻璃基板，所述玻璃基板包括沿厚度方向延伸的孔；

12、在所述孔中填充熔融的玻璃介质材料；所述玻璃基板的熔点高于所述玻璃介质材料的熔点；

13、将导电结构置于所述孔中；其中，位于所述玻璃基板与所述导电结构之间的所述玻璃介质材料凝固形成玻璃介质层；

14、减薄所述玻璃基板，使所述导电结构的两端分别从所述玻璃基板的两侧显露。

15、在一些实施例中，所述玻璃基板的材料和/或所述玻璃介质材料包括硅酸盐玻璃。

16、在一些实施例中，所述提供玻璃基板包括：

17、提供初始玻璃基板；

18、在所述初始玻璃基板中形成沿厚度方向延伸的盲孔。

19、在一些实施例中，所述制造方法还包括：

20、在载板上形成所述导电结构；

21、所述将导电结构置于所述孔中，包括：

22、将所述载板上的所述导电结构置于所述玻璃基板上的所述盲孔中，使所述导电结构远离所述载板的一端与所述盲孔的底部间隔预设距离。

23、在一些实施例中，所述玻璃基板包括相对的第一表面和第二表面，所述盲孔从所述第一表面显露；所述减薄所述玻璃基板，使所述导电结构的两端分别从所述玻璃基板的两侧显露，包括：

24、去除所述载板；

25、在所述第一表面上形成覆盖所述导电结构的介质层；

26、去除所述介质层和高于所述第一表面的部分所述导电结构，以显露所述导电结构的一端；

27、从所述第二表面去除部分所述玻璃基板，以显露所述导电结构的另一端。

28、在一些实施例中，所述在载板上形成所述导电结构，包括：

29、在所述载板上形成导电柱；

30、形成覆盖所述导电柱的阻挡层。

31、第三方面，本公开提供了一种转接板，所述转接板包括上述实施例中任一项所述的制造方法形成的半导体结构。

32、本公开实施例中，玻璃介质层位于玻璃基板与导电结构之间，玻璃基板的熔点高于玻璃介质层的熔点，即玻璃介质层可以由熔融的玻璃介质材料冷却凝固形成。如此，玻璃介质层使得导电结构与玻璃基板之间的粘附力较强，有利于提高工艺良率。

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述玻璃基板和/或所述玻璃介质层的材料包括硅酸盐玻璃。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导电结构包括：

4.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述玻璃基板的材料和/或所述玻璃介质材料包括硅酸盐玻璃。

6.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述提供玻璃基板包括：

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述玻璃基板包括相对的第一表面和第二表面，所述盲孔从所述第一表面显露；所述减薄所述玻璃基板，使所述导电结构的两端分别从所述玻璃基板的两侧显露，包括：

9.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述在载板上形成所述导电结构，包括：

10.一种转接板，其特征在于，所述转接板包括由权利要求4至9中任一项所述的制造方法形成的半导体结构。