一种低损耗耐高温的同轴波导转换器的制作方法

本技术属于微波无源器件，尤其涉及一种低损耗耐高温的同轴波导转换器。

背景技术：

1、常规波导同轴转换器有两种形式，一种连接器端部连接波导腔，一种连接器垂直耦合波导腔。耦合波导腔形式是在连接器内导体端增加匹配块或直接插入腔体。为实现频段内的电性能指标，波导腔再增加匹配台阶，使得波导腔体内部加工难度增大。随着微波行业发展，产品的工作频率越来越高，损耗性越来越大；为实现小型化和轻量化，对于波导类产品腔体尺寸的使用也越来越小。这样对于零件加工精度、难度、成本也大幅度增加。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种低损耗耐高温的同轴波导转换器，采用内导体直接插入腔体的形式，不再使用任何绝缘介质，即采用全金属材料保证超高温的使用环境，解决损耗大的问题，同时实现耐高温的要求。

2、本实用新型所采用的技术方案是：

3、一种低损耗耐高温的同轴波导转换器，包括连接器壳体，在连接器壳体内压配有衬套；在连接器壳体下端一体化连接有波导腔体，在波导腔体与连接器壳体的连接处开设有上下贯穿的圆孔，在圆孔内插设有内导体，内导体一端设计为插孔，另一端设置数级台阶；所述插孔穿入衬套内。

4、进一步的，所述内导体的台阶数量为3-10级。

5、进一步的，所述内导体的台阶数量为5级，第一级台阶为压配限位台阶，用于装配定位，相应的，在圆孔内设有内导体定位台阶；第二级台阶侧壁加工为正公差，相应的，在圆孔内壁设有负公差台阶，作为内导体装配时与波导腔体压配使用，保证内导体压配固定后的稳定性；第三级台阶、第四级台阶和第五级台阶作为与波导腔体匹配电性能使用。

6、进一步的，在衬套内壁设有匹配电性能台阶一，与内导体插孔的匹配电阻为50ω；在衬套外壁一端设有正公差台阶，用于衬套压配固定后的稳定性，对应的，在连接器壳体内壁设有与所述正公差台阶相匹配的凹槽；在波导腔体与连接器壳体的连接处设有匹配电性能台阶二。

7、进一步的，所述内导体的台阶部分为圆柱形或多边棱柱形。还可因为性能调节而变成其它立体形式。

8、进一步的，所述内导体的固定方式为结构压配，或胶粘，或焊接方式。

9、本实用新型的有益效果：

10、（1）将匹配电性能台阶设置在内导体上，波导腔体内无需设置匹配台阶，零件加工简单、方便、经济；（2）连接器和波导腔体一体化，无需使用螺钉、螺纹等分体形式的额外固定连接机构，使得腔体尽可能做到轻量化和小型化；（3）匹配衬套设置独立台阶保证连接器端性能匹配；（4）内导体固定孔与连接器壳体加工在同一轴线上，保证了连接器内外导体的同轴度；（5）连接器无绝缘子，全空气介质，电磁损耗小，进而产品所有零件采用全金属材料，保证结构可靠性，更能保证产品在高温环境下使用。

技术特征：

1.一种低损耗耐高温的同轴波导转换器，其特征在于，包括连接器壳体(1)，在连接器壳体(1)内压配有衬套(2)；在连接器壳体(1)下端一体化连接有波导腔体(3)，在波导腔体(3)与连接器壳体(1)的连接处开设有上下贯穿的圆孔，在圆孔内插设有内导体(4)，内导体(4)一端设计为插孔(401)，另一端设置数级台阶；所述插孔(401)穿入衬套(2)内。

2.如权利要求1所述的一种低损耗耐高温的同轴波导转换器，其特征在于，所述内导体(4)的台阶数量为3-10级。

3.如权利要求1所述的一种低损耗耐高温的同轴波导转换器，其特征在于，所述内导体(4)的台阶数量为5级，第一级台阶(402)为压配限位台阶，用于装配定位，相应的，在圆孔内设有内导体定位台阶；第二级台阶(403)侧壁加工为正公差，相应的，在圆孔内壁设有负公差台阶，作为内导体(4)装配时与波导腔体(3)压配使用，保证内导体(4)压配固定后的稳定性；第三级台阶(404)、第四级台阶(405)和第五级台阶(406)作为与波导腔体(3)匹配电性能使用。

4.如权利要求1所述的一种低损耗耐高温的同轴波导转换器，其特征在于，在衬套(2)内壁设有匹配电性能台阶一(201)，与内导体(4)插孔(401)的匹配电阻为50ω；在衬套(2)外壁一端设有正公差台阶(202)，用于衬套(2)压配固定后的稳定性，对应的，在连接器壳体(1)内壁设有与所述正公差台阶(202)相匹配的凹槽；在波导腔体(3)与连接器壳体(1)的连接处设有匹配电性能台阶二(101)。

5.如权利要求1所述的一种低损耗耐高温的同轴波导转换器，其特征在于，所述内导体(4)的台阶部分为圆柱形或多边棱柱形。

6.如权利要求1所述的一种低损耗耐高温的同轴波导转换器，其特征在于，所述内导体(4)的固定方式为结构压配，或胶粘，或焊接方式。

技术总结
本技术公开了一种低损耗耐高温的同轴波导转换器，属于波导产品领域。包括连接器壳体，在连接器壳体内压配有衬套；在连接器壳体下端一体化连接有波导腔体，在波导腔体与连接器壳体的连接处开设有上下贯穿的圆孔，在圆孔内插设有内导体，内导体一端设计为插孔，另一端设置数级台阶；所述插孔穿入衬套内。本技术采用内导体直接插入腔体的形式，不再使用任何绝缘介质，即采用全金属材料保证超高温的使用环境，解决损耗大的问题，同时实现耐高温的要求。

技术研发人员：雍雄,陈继超,梁佩,张磊
受保护的技术使用者：西安瑞新通微波技术有限公司
技术研发日：20240102
技术公布日：2024/8/16