影像传感器的制作方法

本技术实施例涉及影像传感器。

背景技术：

1、包括影像传感器的集成电路(integrated circuit；ic)广泛用于现代电子装置中，诸如摄影机及蜂巢式电话。互补金属氧化物半导体(complementary metal-oxidesemiconductor；cmos)影像传感器(complementary metal-oxide semiconductor imagesensor；cis)以变得普遍。与电荷耦接装置(charge-coupled device；ccd)相比较，cis由于低功耗、小像素大小、快速数据处理以及低制造成本而愈来愈有利。随着像素大小变得较小，制造变得愈来愈困难，此是由于其限制像素之间的串扰。此等为唯一解决方案可提供改良效能的持续挑战。

技术实现思路

1、在一些实施例中，一种影像传感器，包括：半导体衬底，具有前侧及背侧；光侦测器，位于所述半导体衬底内；一或多个钝化层，位于所述背侧上；以及背侧深沟槽隔离(bdti)结构，延伸至所述背侧中以横向地围绕所述光侦测器，其中在第一区域内，所述bdti结构展现对应于所述bdti结构的宽度相对于所述bdti结构的深度在所述半导体衬底内及高于所述bdti结构底部的高度处的不连续变化的突然变窄。

2、在一些实施例中，一种影像传感器，包括；半导体衬底，包含前侧及背侧；光侦测器，排阵列于所述半导体衬底内；以及背侧隔离结构，延伸至所述光侦测器之间的所述背侧中，其中在第一区域中，所述背侧隔离结构具有皆位于所述半导体衬底内的上部部分及下部部分；其中所述下部部分比所述上部部分更窄且具有更高纵横比；以及所述半导体衬底在所述上部部分与所述下部部分之间的接合点处形成突出部分。

技术特征：

1.一种影像传感器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的影像传感器，其特征在于，在第二区域内，所述背侧深沟槽隔离结构比在所述第一区域中更浅且不展现所述突然变窄。

3.根据权利要求1所述的影像传感器，其特征在于，还包括具有深度的切割道，其中宽度的所述突然变窄在所述深度处出现。

4.根据权利要求1所述的影像传感器，其特征在于：

5.根据权利要求4所述的影像传感器，其特征在于，所述上部钝化层下降至所述半导体衬底中以形成所述背侧深沟槽隔离结构的部分。

6.根据权利要求4所述的影像传感器，其特征在于，所述上部钝化层下降至所述半导体衬底中以形成所述背侧深沟槽隔离结构的核心。

7.根据权利要求1所述的影像传感器，其特征在于，所述背侧深沟槽隔离结构包括衬底嵌入金属栅格。

8.一种影像传感器，其特征在于，包括：

9.根据权利要求8所述的影像传感器，其特征在于，在所述第一区域内，所述背侧隔离结构以较大深度连续变窄至所述半导体衬底中。

10.根据权利要求8所述的影像传感器，其特征在于，还包括具有等于所述突出部分的深度的深度的切割道。

技术总结
本技术提供用于背侧深沟槽隔离(BDTI)结构的沟槽，所述沟槽使用两种蚀刻形成：高纵横比蚀刻及口部蚀刻。沟槽具有较宽的上部部分(口部)及沟槽的下部部分。下部部分比上部部分更窄且具有更高纵横比。沟槽展现上部部分与下部部分之间的宽度的步进改变。可固定下部部分的深度以提供高纵横比，但将所述纵横比限制于可始终填充下部部分而不产生空隙的纵横比。沟槽的整体深度可通过调整口部区域的深度来变化。所得BDTI结构为影像传感器提供比可使用单一沟槽蚀刻达成的更佳的光学效能特性。

技术研发人员：黄信耀,庄圣颉,孔书砚,黄信盛
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：20240109
技术公布日：2024/12/19