本技术涉及芯片封装,具体涉及一种芯片高密度布线封装结构。
背景技术:
1、随着科技的不断发展,电子设备的功能越来越丰富,对芯片的集成度和性能要求也越来越高。传统的芯片封装技术已经无法满足现代电子设备的需求。
2、现今芯片封装技术虽已成熟,但面对更复杂的芯片封装需求时,皆普遍存在电路布线设计上的难度与困扰,往往需要通过更多的载板布线层数(2层、4层、6层、8层),通过加厚载板的厚度来换取更好的布线面积,但同时增加载板的制作难度及制作成本等,也减少了裸芯片封装时的可用空间,导致芯片封装制程中无法发挥更大的效益,或集成更多的芯片功能并造成封装片的体积无法缩小。
3、因此,现如今急需提供一种芯片高密度布线封装结构,以此来解决上述问题。
技术实现思路
1、本实用新型的目的是克服现有技术的不足和缺陷,提供一种芯片高密度布线封装结构,减少信号运行时的干扰,提升产品多样化功能,形成更多功能的集成芯片。
2、本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的:
3、一种芯片高密度布线封装结构,其特征在于,包括:
4、线路基板;
5、上载板,设于所述线路基板的上方,所述上载板包括多组载板,相邻两组所述载板之间通过引线键合进行连通;多组所述载板均连接与所述线路基板上端;
6、芯片,包括第一芯片和第二芯片,多组所述第一芯片堆叠设于所述线路基板的上端,且所述第一芯片电性连接于所述线路基板;所述第二芯片设于所述载板上端,所述第二芯片电性连接于所述载板。
7、可选地,所述第二芯片上端设有布线路层,所述布线路层布设于所述第二芯片远离所述载板的一端,相邻两所述第二芯片通过所述布线路层进行引线键合连通。
8、可选地,所述芯片高密度布线封装结构还包括导线,所述布线路层通过所述导线电性连接于所述线路基板。
9、可选地,所述上载板邻近所述第一芯片设置。
10、可选地,所述第二芯片通过集成电路封装后固定于所述载板上。
11、可选地,所述集成电路封装配置为bga封装。
12、可选地,所述第二芯片包括倒装芯片,所述第二芯片通过所述倒装芯片与所述载板连接。
13、可选地,所述第二芯片还包括射频芯片。
14、与现有技术相比,本实用新型具有如下的有益效果:
15、本实用新型通中,该芯片高密度布线密封结构包括线路基板和上载板,其中上载板设于线路基板的上方,并且可分离式的连接于该线路基板,该上载板设有多组载板,两组相邻的载板之间通过引线键合进行连通,使得相邻的载板之间能够实现连通,实现信号的连接;芯片包括第一芯片和第二芯片,第一芯片和第二芯片均设有多组,第一芯片电性连接与线路基板,即使得第一芯片之间相互堆叠形成的第一芯片堆叠也能够于线路基板之间进行信号连接和交换,第二芯片设于载板的上端,实现第二芯片和线路基板的信号连接和导通;通过多组载板的分离设置,实现了多功能芯片的封装设计,减少信号运行时的干扰,提升产品多样化功能,形成更多功能的集成芯片。
1.一种芯片高密度布线封装结构,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的一种芯片高密度布线封装结构,其特征在于,所述第二芯片上端设有布线路层,所述布线路层布设于所述第二芯片远离所述载板的一端,相邻两所述第二芯片通过所述布线路层进行引线键合连通。
3.根据权利要求2所述的一种芯片高密度布线封装结构,其特征在于,所述芯片高密度布线封装结构还包括导线,所述布线路层通过所述导线电性连接于所述线路基板。
4.根据权利要求1所述的一种芯片高密度布线封装结构,其特征在于,所述上载板邻近所述第一芯片设置。
5.根据权利要求1所述的一种芯片高密度布线封装结构,其特征在于,所述第二芯片通过集成电路封装后固定于所述载板上。
6.根据权利要求5所述的一种芯片高密度布线封装结构,其特征在于,所述集成电路封装配置为bga封装。
7.根据权利要求1所述的一种芯片高密度布线封装结构,其特征在于,所述第二芯片包括倒装芯片,所述第二芯片通过所述倒装芯片与所述载板连接。
8.根据权利要求1所述的一种芯片高密度布线封装结构,其特征在于,所述第二芯片还包括射频芯片。