一种提升散热性能的DIP半导体器件的制作方法

本技术涉及半导体封测，具体为一种提升散热性能的dip半导体器件。

背景技术：

1、dip半导体器件是最早出现的集成电路封装形式之一，由于其成本低、产品结构简单、应用安装方便、可靠性高和易于维护及适用范围广等特点，一开始便得到广泛的应用与推广；早期由于受集成电路设计、晶圆加工工艺和封装的限制封装成品尺寸体积较大但对抗湿气侵入的可靠性较好；

2、dip封装技术的产品结构主要由芯片承载的die pad、实现与外部电路互联的引线脚和保护内部电路的emc材料，

3、dip产品广泛应用于各种电子产品中，如计算机、电视机、手机等。随着电子技术的发展，dip双列直插式封装技术也在不断发展和改进。此外，随着smt技术的发展，dip封装技术部分产品也逐步向smt技术转型，主要原因是dip技术产品安装方法主要是波峰焊工艺成本相对smt技术的回流峰焊高，且smt技术更适合电子元器件贴装的大批量作业；由于dip封装技术产品的由于其成本低、产品结构简单、应用安装方便、可靠性高和易于维护及适用范围广等特点目前仍处于广泛应用还无法完全被smt技术产品替代，dip虽具有自身安装稳定紧固和高可靠性的特点但在自身散热方面也存在不足，主要表面在dip封装产品包封体较厚体积较大且无外露的散热结构。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提高散热性能，用以改善目前dip封装技术存在的不足，提高产品的应用领域和更高的可靠性的一种提升散热性能的dip半导体器件。

2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

3、一种提升散热性能的dip半导体器件，包括包封体，所述的包封体的内部设置有芯片，所述的包封体的两侧固定设置有引脚，所述的引脚与芯片通过金属线进行连接，其特征在于，所述的芯片的一侧固定设置有基岛，所述的基岛的散热片裸露在包封体的外侧。

4、优选的技术方案，所述的芯片通过粘接胶与基岛进行固定连接。

5、优选的技术方案，所述的基岛的两侧设置有折弯端，所述的折弯端包封在包封体的内部。

6、优选的技术方案，所述的基岛的散热片位于包封体的上侧，且引脚向包封体的下侧方向折弯。

7、优选的技术方案，所述的基岛的散热片位于包封体的下侧，且引脚向包封体的下侧方向折弯。

8、优选的技术方案，所述的引脚和基岛的材料厚度选择0.254mm-0.50mm。

9、优选的技术方案，所述的包封体厚度为1.40mm-3.5mm。

10、优选的技术方案，所述的包封体下侧中间位置或包封体下侧两对角间位置设置有e-pin。

11、优选的技术方案，所述的包封体下侧两对角间位置设置有e-pin。

12、与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

13、本实用新型可以提高散热性能，用以改善目前dip封装技术存在的不足，提高产品的应用领域和更高的可靠性，同时dip封装技术产品的应用也可以更为广泛。

技术特征：

1.一种提升散热性能的dip半导体器件，包括包封体(1)，所述的包封体(1)的内部设置有芯片(2)，所述的包封体(1)的两侧固定设置有引脚(3)，所述的引脚(3)与芯片(2)通过金属线(4)进行连接，其特征在于，所述的芯片(2)的一侧固定设置有基岛(5)，所述的基岛(5)的散热片裸露在包封体(1)的外侧。

2.根据权利要求1所述一种提升散热性能的dip半导体器件，其特征在于：所述的芯片(2)通过粘接胶(6)与基岛(5)进行固定连接。

3.根据权利要求1或2所述一种提升散热性能的dip半导体器件，其特征在于：所述的基岛(5)的两侧设置有折弯端(51)，所述的折弯端(51)包封在包封体(1)的内部。

4.根据权利要求1所述一种提升散热性能的dip半导体器件，其特征在于：所述的基岛(5)的散热片位于包封体(1)的上侧，且引脚(3)向包封体(1)的下侧方向折弯。

5.根据权利要求1所述一种提升散热性能的dip半导体器件，其特征在于：所述的基岛(5)的散热片位于包封体(1)的下侧，且引脚(3)向包封体(1)的下侧方向折弯。

6.根据权利要求1所述一种提升散热性能的dip半导体器件，其特征在于：所述的引脚和基岛的材料厚度选择0.254mm-0.50mm。

7.根据权利要求1所述一种提升散热性能的dip半导体器件，其特征在于：所述的包封体厚度为1.40mm-3.5mm。

8.根据权利要求4所述一种提升散热性能的dip半导体器件，其特征在于：所述的包封体下侧中间位置或包封体两对角间位置设置有e-pin(7)。

9.根据权利要求5所述一种提升散热性能的dip半导体器件，其特征在于：所述的包封体下侧两对角间位置设置有e-pin(7)。

技术总结
一种提升散热性能的DIP半导体器件，涉及半导体封测技术领域，包括包封体，所述的包封体的内部设置有芯片，所述的包封体的两侧固定设置有引脚，所述的引脚与芯片通过金属线进行连接，其特征在于，所述的芯片的一侧固定设置有基岛，所述的基岛的散热片裸露在包封体的外侧。本技术可以提高散热性能，用以改善目前DIP封装技术存在的不足，提高产品的应用领域和更高的可靠性，同时DIP封装技术产品的应用也可以更为广泛。

技术研发人员：黄乙为,饶锡林,易炳川,曾庆果,斯毅平,李立
受保护的技术使用者：气派科技股份有限公司
技术研发日：20240130
技术公布日：2025/2/17