一种石墨舟卡点的制作方法

本技术属于石墨舟领域，特别涉及一种石墨舟卡点。

背景技术：

1、pecvd(plasma enhanced chemical vapor deposition，等离子体增强化学气相沉积法)其原理为借助微波或射频等方法使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，由于等离子提化学性很强，很容易发生反应，因此在基片上沉积出所期待的薄膜。

2、pecvd在镀膜过程中利用石墨为材料制备的石墨舟盛装硅片，为了将硅片稳定的固定在石墨舟内，在石墨舟壁上设有用于固定硅片的石墨舟卡点。

3、随着原始硅片切割技术的提高及太阳能电池制造设备技术的提高，原始硅片市场存在不同厚度规格的硅片出现，导致产线经常切换不同规格硅片进行生产，pecvd工序自动化在对石墨舟进行插取片时会对石墨舟卡点造成划伤、损伤，导致石墨舟卡点槽内部会出现磕痕及凹槽，若切换不同厚度规格的硅片会导致自动化插曲片困难，石墨舟卡点使用寿命降低，碎片率增加，影响产能。

技术实现思路

1、针对上述问题，本实用新型公开一种石墨舟卡点，包括依次连接为一体结构的卡点帽、缓冲部位、卡接部和底座；

2、所述卡点帽与所述缓冲部位相接形成钝角，所述缓冲部位与所述卡接部相接形成钝角；

3、处于一侧的所述卡点帽与所述缓冲部位、以及处于另一侧的所述底座与处于中间的所述卡接部形成凹槽。

4、进一步的，所述缓冲部位为缓冲面，所述缓冲面分别于所述卡点帽、卡接部的表面连接。

5、进一步的，所述缓冲面与所述卡点帽的表面直接的夹角不小于150°。

6、进一步的，所述的缓冲面为高强度、耐高温且具有良好抗磨损能力的材料。

7、进一步的，所述缓冲面为陶瓷材料。

8、进一步的，所述的缓冲部位为弧面。

9、进一步的，将所述弧面与所述卡点帽的连接点、卡接部的连接点连接辅助线，所述辅助线与所述缓冲部位之间的夹角不小于150°。

10、进一步的，所述的缓冲部位包括第一缓冲面与第二缓冲面，所述第一缓冲面与第二缓冲面之间的夹角不小于175°。

11、进一步的，所述第一缓冲面与所述卡点帽连接，所述第二缓冲面与所述第一缓冲面、卡接部连接；

12、将所述第一缓冲面与所述卡点帽的连接点、所述第二缓冲面与所述卡接部的连接点连接辅助线，所述辅助线与所述缓冲面之间的夹角不小于150°。

13、进一步的，所述第一缓冲面为弹性材料，所述第二缓冲面为刚性材料。

14、本实用新型的有益效果在于，在所述的卡点帽与卡接座之间设置所述缓冲部位，可以显著提高硅片处理的效率和安全性。这种缓冲部位的减少了硅片直接与卡点帽和卡接座接触时的冲击，从而减轻了这些部位的磨损，延长了石墨舟卡点的使用寿命，还降低了硅片在处理过程中破损的风险。

15、并且，缓冲部位的存在使得硅片在自动化设备插取时更加平稳地滑入卡接座，降低了硅片卡在卡点帽与卡接座的连接处的可能性。

16、本实用新型的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本实用新型而了解。本实用新型的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所指出的结构来实现和获得。

技术特征：

1.一种石墨舟卡点，其特征在于：包括依次连接为一体结构的卡点帽、缓冲部位、卡接部和底座；

2.根据权利要求1所述的石墨舟卡点，其特征在于：所述缓冲部位为缓冲面，所述缓冲面分别于所述卡点帽、卡接部的表面连接。

3.根据权利要求2所述的石墨舟卡点，其特征在于：所述缓冲面与所述卡点帽的表面直接的夹角不小于150°。

4.根据权利要求2所述的石墨舟卡点，其特征在于：所述的缓冲面为高强度、耐高温且具有良好抗磨损能力的材料。

5.根据权利要求4所述的石墨舟卡点，其特征在于：所述缓冲面为陶瓷材料。

6.根据权利要求1所述的石墨舟卡点，其特征在于：所述的缓冲部位为弧面。

7.根据权利要求6所述的石墨舟卡点，其特征在于：将所述弧面与所述卡点帽的连接点、卡接部的连接点连接辅助线，所述辅助线与所述缓冲部位之间的夹角不小于150°。

8.根据权利要求1所述的石墨舟卡点，其特征在于：所述的缓冲部位包括第一缓冲面与第二缓冲面，所述第一缓冲面与第二缓冲面之间的夹角不小于175°。

9.根据权利要求8所述的石墨舟卡点，其特征在于：所述第一缓冲面与所述卡点帽连接，所述第二缓冲面与所述第一缓冲面、卡接部连接；

10.根据权利要求8所述的石墨舟卡点，其特征在于：所述第一缓冲面为弹性材料，所述第二缓冲面为刚性材料。

技术总结
本技术公开一种石墨舟卡点，依次连接为一体结构的卡点帽、缓冲部位、卡接部和底座24；所述卡点帽与所述缓冲部位相接形成钝角，所述缓冲部位与所述卡接部相接形成钝角；处于一侧的所述卡点帽与所述缓冲部位、以及处于另一侧的所述底座24与处于中间的所述卡接部形成凹槽。本技术在所述的卡点帽与卡接座之间设置所述缓冲部位，可以显著提高硅片处理的效率和安全性。这种缓冲部位的减少了硅片直接与卡点帽和卡接座接触时的冲击，从而减轻了这些部位的磨损，延长了石墨舟卡点的使用寿命，还降低了硅片在处理过程中破损的风险。

技术研发人员：赵有栋,雷有林,赵慧林
受保护的技术使用者：青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司
技术研发日：20240204
技术公布日：2025/2/13