减轻芯片组件的热界面材料的泄漏的具有开口的盖结构的制作方法

本技术涉及一种具有开口的盖结构以减轻芯片组件的热界面材料的泄漏。

背景技术：

1、半导体集成电路(ic)业经历了指数增长。ic材料与设计方面的技术进步产生了好几世代的ic，每一代都具有比上一代更小、更复杂的电路。在ic发展过程中，功能密度(即每个晶片面积的内连器件数量)普遍增加，而几何尺寸(即可用制造工艺制作的最小组件(或线))减小。这种按比例缩小的工艺通常通过提高生产效率与降低相关成本来提供益处。

2、然而，随着半导体制造发展到更先进的技术节点，可能会出现额外的制造挑战。例如，ic装置可以在芯片组件上施加热界面材料(tim)来散热。但是，在某些条件下，tim可能会膨胀然后泄漏到相邻的组件上，例如电阻器、电容器、电感器等，这可能导致不良的电性短路。

3、因此，尽管现有的ic装置及其制造方法通常能满足其预期目的，但在各个方面并不能完全令人满意。

技术实现思路

1、根据本实用新型的一实施例，一种装置包括衬底、芯片组件、热界面材料(tim)、黏着剂坝以及盖结构。所述芯片组件设置在衬底上方。所述tim设置在芯片组件上方。所述黏着剂坝设置在衬底上，其中所述黏着剂坝横向围绕所述芯片组件与所述tim。所述盖结构设置于所述衬底上并将所述芯片组件封装于其中，其中所述盖结构包括一个或多个开口，以暴露出部分的所述tim。

2、根据本实用新型的另一实施例，一种装置包括印刷电路板(pcb)衬底、芯片组件、热界面材料(tim)、黏着结构、金属盖以及一个或多个开口。所述芯片组件在横截面侧视图中是设置在所述pcb衬底上。所述芯片组件包括集成电路(ic)、耦合到所述ic的多个电子存储器组件以及一个或多个非发热区域，所述一个或多个非发热区域在上视图中是共同环绕所述ic与所述电子存储器组件。在所述横截面侧视图中，所述tim是设置在芯片组件上方。所述tim被配置为受热时膨胀。在所述横截面侧视图中，所述黏着结构是设置在衬底上。在所述上视图中，所述黏着结构围绕芯片组件与tim。在所述横截面侧视图中，所述金属盖是设置在衬底、tim与黏着结构上。所述一个或多个开口是分别垂直对齐于所述一个或多个非发热区域，其中所述一个或多个开口被配置为容纳热膨胀的tim。

技术特征：

1.一种具有开口的盖结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的具有开口的盖结构，其特征在于，所述芯片组件包括：

3.根据权利要求2所述的具有开口的盖结构，其特征在于：

4.根据权利要求1所述的具有开口的盖结构，其特征在于，所述一个或多个开口包括部分垂直延伸到所述盖结构中的沟槽。

5.根据权利要求1所述的具有开口的盖结构，其特征在于，所述一个或多个开口垂直延伸至完全穿过所述盖结构。

6.根据权利要求1所述的具有开口的盖结构，其特征在于，所述部分的所述热界面材料至少部分地膨胀到所述一个或多个开口中。

7.一种具有开口的盖结构，其特征在于，包括：

8.根据权利要求7所述的具有开口的盖结构，其特征在于，所述一个或多个开口包括部分垂直延伸到所述金属盖中的沟槽。

9.根据权利要求7所述的具有开口的盖结构，其特征在于，所述一个或多个开口包括垂直延伸至完全穿过所述金属盖的洞。

10.根据权利要求7所述的具有开口的盖结构，其特征在于：

技术总结
一种具有开口的盖结构包括衬底，例如印刷电路板(PCB)板。芯片组件设置在衬底上。所述芯片组件包括IC、耦合到IC的多个电子存储器组件以及在上视图中周向环绕IC与电子存储器组件的模塑化合物材料。热界面材料(TIM)设置在芯片组件上方。TIM包括铟合金、镓合金或含有铋、铟与锡的合金。黏着剂坝设置在衬底上方。所述黏着剂坝横向围绕芯片组件与TIM。盖结构设置于衬底上方，并将芯片组件封装于其中。所述盖结构包括一个或多个开口，暴露出部分的TIM。所述一个或多个开口容纳TIM的扩展。

技术研发人员：谢秉颖,施应庆,郑礼辉,王卜
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：20240308
技术公布日：2025/3/10