一种具有防压坏结构的MOS管固定结构的制作方法

本技术涉及mos管固定，具体为一种具有防压坏结构的mos管固定结构。

背景技术：

1、mos管是金属（metal）、氧化物（oxide）、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体，在多数情况下，这两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，采用固定结构与pcb进行固定，现有的mos管固定结构在使用时还存在一定缺陷，就比如；

2、现有的mos管大多采用螺钉，贴片等方式与pcb接进行固定，在用螺丝与压板进行固定时，力度过大容易将mos管压坏，安装也比较慢，并且只能适应特点大小的mos管，不能适应不同mos管等问题。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种具有防压坏结构的mos管固定结构，以解决上述背景技术提出的目前市场上的mos管固定结构固定时容易压坏，且适应性较差的问题。

2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种具有防压坏结构的mos管固定结构，包括：底座、固定机构和mos管本体；

3、所述底座上方连接有固定机构，所述固定机构下方设置有mos管本体，所述mos管本体设置在底座上方，且底座作为连接基础；

4、所述底座内设置有调节机构，所述固定机构包括：u形架、导热硅胶、散热片、立杆、提杆、弹簧、橡胶垫和挡板，所述底座上表面固定连接有u形架。

5、优选的，所述mos管本体上方抵接有导热硅胶，所述导热硅胶上方连接有散热片，所述散热片上方连接有立杆，所述立杆贯穿滑动在u形架内，且立杆上方连接有提杆。

6、优选的，所述立杆外侧套接有弹簧，所述弹簧连接在散热片与u形架之间。

7、优选的，所述mos管本体一侧抵接有橡胶垫，所述橡胶垫一侧连接有挡板，所述挡板滑动连接在底座上表面。

8、优选的，所述调节机构包括：滑槽、衔接杆、通孔、滑杆、空槽、挤压块和手柄螺栓，所述底座背部开设有滑槽，所述滑槽内滑动连接有衔接杆，所述衔接杆固定连接在挡板背部。

9、优选的，所述衔接杆内开设有通孔，所述通孔内贯穿滑动有滑杆，所述滑杆连接在滑槽内壁上。

10、优选的，所述通孔背部开设有空槽，所述空槽内滑动连接有挤压块，所述挤压块抵接在滑杆背部。

11、优选的，所述挤压块背部连接有手柄螺栓，所述手柄螺栓螺纹连接在空槽内壁上。

12、与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：通过上拉提杆带动散热片挤压弹簧，将mos管本体放置在两组橡胶垫之间，进行缓冲，然后缓慢松开提杆，弹簧将导热硅胶抵接在mos管本体上方，进行缓冲，将mos管本体固定住，进而防压坏，通过旋转手柄螺栓然后根据mos管本体的大小，滑动手柄螺栓带动衔接杆沿着滑杆滑动，调节一侧的挡板与旁边挡板之间的距离，然后反向旋转手柄螺栓带动挤压块挤压在滑杆背部，进而适应不同mos管本体，具体内容如下：

13、1.通过上拉提杆带动立杆在u形架内滑动，带动散热片挤压弹簧，将mos管本体放置在两组橡胶垫之间，然后缓慢松开提杆，弹簧推动散热片，将导热硅胶抵接在mos管本体上方，将mos管本体固定住，进而防压坏；

14、2.通过旋转手柄螺栓带动挤压块从滑杆背部移开，然后根据mos管本体的大小，滑动手柄螺栓带动衔接杆沿着滑杆滑动，带动滑动，调节一侧的挡板与旁边挡板之间的距离，然后反向旋转手柄螺栓带动挤压块挤压在滑杆背部，固定挡板所在位置，进而适应不同mos管本体。

技术特征：

1.一种具有防压坏结构的mos管固定结构，包括：底座(1)、固定机构(2)和mos管本体(3)，其特征在于；

2.根据权利要求1所述的一种具有防压坏结构的mos管固定结构，其特征在于：所述立杆(204)外侧套接有弹簧(206)，所述弹簧(206)连接在散热片(203)与u形架(201)之间。

3.根据权利要求1所述的一种具有防压坏结构的mos管固定结构，其特征在于：所述mos管本体(3)一侧抵接有橡胶垫(207)，所述橡胶垫(207)一侧连接有挡板(208)，所述挡板(208)滑动连接在底座(1)上表面。

4.根据权利要求1所述的一种具有防压坏结构的mos管固定结构，其特征在于：所述挤压块(406)背部连接有手柄螺栓(407)，所述手柄螺栓(407)螺纹连接在空槽(405)内壁上。

技术总结
本技术涉及MOS管固定技术领域，具体为一种具有防压坏结构的MOS管固定结构，包括：底座、固定机构和MOS管本体；所述底座上方连接有固定机构，所述固定机构下方设置有MOS管本体，所述MOS管本体设置在底座上方，通过上拉提杆带动散热片挤压弹簧，将MOS管本体放置在两组橡胶垫之间，进行缓冲，然后缓慢松开提杆，弹簧将导热硅胶抵接在MOS管本体上方，进行缓冲，将MOS管本体固定住，进而防压坏，通过旋转手柄螺栓然后根据MOS管本体的大小，滑动手柄螺栓带动衔接杆沿着滑杆滑动，调节一侧的挡板与旁边挡板之间的距离，然后反向旋转手柄螺栓带动挤压块挤压在滑杆背部，进而适应不同MOS管本体。

技术研发人员：原小明,胡敬全,费悦,高玉翠
受保护的技术使用者：南京江智科技有限公司
技术研发日：20240311
技术公布日：2024/12/30