微型三相无刷电机驱动电路块的制作方法

本技术涉及半导体，尤其涉及小型家用电器内部无刷电机微型驱动电路块。

背景技术：

1、小型三相无刷电机以其高转速、低噪声、平滑性佳、使用寿命长被广泛的应用到小型家用电器中，如：电动剃须刀、电动牙刷等等。随着产品的小型化、精细化要求越来越高，对小型家用电器内部的控制电路板及电机驱动电路也提出了较高的要求。

2、现有技术的电机驱动电路，一般采用六只贴片mos三极管分立器件，通过pcb线路板进行电路连接，实现三相电机驱动功能。分立器件需要在线路板上通过较多、较长的线路排布来完成驱动电路的功能，驱动电路占用了较大的pcb板面积，影响了电器产品小型化的实现；而且贴片分立器件需要在线路板通过焊接完成电路安装，较多的焊接点，使产品的良品率和可靠性受到影响。

技术实现思路

1、本实用新型针对以上问题，提供了一种结构精巧、满足产品小型化要求的微型三相无刷电机驱动电路块。

2、本实用新型的技术方案是：

3、微型三相无刷电机驱动电路块，包括：

4、相位基岛，设有若干，间隔固定包裹在塑封体内；

5、p型mos管，设有若干，与所述相位基岛一一对应，电性设置在所述相位基岛的p型安装位上；

6、n型mos管，设有若干，与所述p型mos管一一对应，电性设置在所述相位基岛的n型安装位上，与同一所述相位基岛上的p型mos管形成开关驱动电路。

7、具体的，所述相位基岛包括u基岛、v基岛和w基岛。

8、具体的，所述n型mos管包括n型m1管、n型m2管和n型m3管；

9、所述p型mos管包括p型m4管、p型m5管和p型m6管；

10、所述n型m1管的“d”极和p型m6管的“d”极分别电性设置在u基岛上；

11、所述n型m2管的“d”极和p型m5管的“d”极分别电性设置在v基岛上；

12、所述n型m3管的“d”极和p型m4管的“d”极分别电性设置在w基岛上。

13、具体的，所述相位基岛的底部设有外露的铜质端子。

14、具体的，所述铜质端子的底面与塑封体的底面在同一平面。

15、具体的，所述相位基岛宽度方向的截面呈t型结构。

16、具体的，所述相位基岛的两端分别设有若干在同一平面内的引出端子。

17、具体的，所述相位基岛为铜质基岛。

18、具体的，三相无刷电机驱动电路块通过锂电池供电。

19、具体的，所述p型mos管和n型mos管分别与相位基岛之间设有用于连接固定的焊接层。

20、本实用新型微型驱动电路块内部由6颗mos三极管芯片、铜质基岛和塑料封装体组成；其中由三颗p沟道mos三极管芯片和三颗n沟道mos三极管芯片，分别组成上管电路和下管电路；微型驱动电路块采用无引脚5mm×6 mm dfn封装形式。应用mos三极管芯片“d”极均是衬底焊接面的特点，根据电路工作原理，“p”沟道mos三极管芯片“d”极与“n”沟道mos三极管芯片“d”极作为对三相无刷电机的相输出，是相互连接的，因此驱动电路块输出点，可以将m6和m1芯片焊接在同一个基岛上作为对电机“u”相的输出；m5和m2芯片焊接在同一个基岛上作为对电机“v”相的输出；m4和m3芯片焊接在同一个基岛上作为对电机“w”相的输出；这一设计可减少芯片承台基岛数量，实现驱动电路块的微型化。

技术特征：

1.微型三相无刷电机驱动电路块，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的微型三相无刷电机驱动电路块，其特征在于，所述相位基岛包括u基岛（21）、v基岛（22）和w基岛（23）。

3.根据权利要求2所述的微型三相无刷电机驱动电路块，其特征在于，所述n型mos管（31）包括n型m1管、n型m2管和n型m3管；

4.根据权利要求1所述的微型三相无刷电机驱动电路块，其特征在于，所述相位基岛的底部设有外露的铜质端子。

5.根据权利要求4所述的微型三相无刷电机驱动电路块，其特征在于，所述铜质端子的底面与塑封体（1）的底面在同一平面。

6.根据权利要求1或4所述的微型三相无刷电机驱动电路块，其特征在于，所述相位基岛宽度方向的截面呈t型结构。

7.根据权利要求1所述的微型三相无刷电机驱动电路块，其特征在于，所述相位基岛的两端分别设有若干在同一平面内的引出端子。

8.根据权利要求1所述的微型三相无刷电机驱动电路块，其特征在于，所述相位基岛为铜质基岛。

9.根据权利要求1所述的微型三相无刷电机驱动电路块，其特征在于，三相无刷电机驱动电路块通过锂电池（6）供电。

10.根据权利要求1所述的微型三相无刷电机驱动电路块，其特征在于，所述p型mos管（32）和n型mos管（31）分别与相位基岛之间设有用于连接固定的焊接层（5）。

技术总结
微型三相无刷电机驱动电路块，涉及半导体技术领域。包括：相位基岛，设有若干，间隔固定包裹在塑封体内；P型MOS管，设有若干，与所述相位基岛一一对应，电性设置在所述相位基岛的P型安装位上；N型MOS管，设有若干，与所述P型MOS管一一对应，电性设置在所述相位基岛的N型安装位上，与同一所述相位基岛上的P型MOS管形成开关驱动电路。具体的，所述相位基岛包括U基岛、V基岛和W基岛。具体的，所述N型MOS管包括N型M1管、N型M2管和N型M3管；所述P型MOS管包括P型M4管、P型M5管和P型M6管；本技术这一设计可减少芯片承台基岛数量，实现驱动电路块的微型化。

技术研发人员：郭剑,蒋李望,高定健
受保护的技术使用者：扬州市扬晶电子科技有限公司
技术研发日：20240326
技术公布日：2024/11/11