太阳光能电池的制作方法

本技术涉及光伏领域，尤其涉及一种保证背面钝化性能的前提下提高背面光利用率的太阳光能电池。

背景技术：

1、近年来，topcon(tunnel oxide passivated contact，隧穿氧化层钝化接触)太阳能电池的市场份额迅速上升，已逐渐成为太阳能电池的主流技术。topcon电池的背面具有遂穿氧化层和掺杂多晶硅层构成的钝化接触结构，提高了背面的钝化性能，还与传统的工业生产相兼容，具有广阔的发展前景。

2、然而，背面掺杂多晶硅层对光产生寄生吸收，会降低光的利用率，影响电池背面的光利用率和电池效率。

3、有鉴于此，有必要提供一种改进的太阳光能电池，以解决上述技术问题。

技术实现思路

1、本实用新型旨在能够至少解决现有技术存在的技术问题之一，本实用新型提供一种太阳光能电池。

2、为实现上述实用新型目的之一，本实用新型采用如下技术方案：

3、一种太阳光能电池，其背面设有图案化的钝化接触结构、位于所述钝化接触结构上的背面电极，所述钝化接触结构具有位于非栅线区的镂空区，且所述镂空区至所述背面电极的距离不小于50μm。

4、可选地所述背面电极包括沿第一方向延伸的若干主栅，所述主栅的端部具有鱼叉结构，所述镂空区位于所述鱼叉结构外。

5、可选地，所述背面电极包括沿第一方向延伸的若干主栅，所述主栅的端部具有鱼叉结构，所述镂空区至所述鱼叉结构的距离为50μm～200μm。

6、可选地，所述背面电极包括沿第一方向排布的若干副栅，所述副栅沿与第一方向垂直的第二方向延伸，所述镂空区在第二方向上的长度小于所述副栅的长度。

7、可选地，所述镂空区在第二方向上的端部至所述副栅的端部的距离不小于所述镂空区在第一方向至所述副栅的距离。

8、可选地，所述镂空区至电池边缘的距离不小于300μm。

9、可选地，背面电极包括沿硅衬底边缘设置的边框栅线，所述镂空区位于所述边框栅线内部。

10、可选地，倒角处镂空区至电池边缘的距离不小于非倒角处镂空区至电池边缘的距离。

11、一种太阳光能电池，其背面设有图案化的钝化接触结构、位于所述钝化接触结构上的背面电极，所述钝化接触结构仅位于栅线区，且所述背面电极至所述钝化接触结构的至少部分边缘的距离不小于50μm。

12、可选地，所述背面电极包括沿第一方向延伸的若干主栅，所述主栅的端部具有鱼叉结构，所述鱼叉结构整体位于所述钝化接触结构上，优选地，所述鱼叉结构至所述钝化接触结构边缘的距离为50μm～200μm。

13、可选地，所述背面电极包括边框栅线，位于所述边框栅线下方的所述钝化接触结构向外延伸至电池边缘。

14、本实用新型的有益效果是：本实用新型通过在钝化接触结构的非栅线区设置镂空区，去除了非栅线区的掺杂多晶硅层，减少对光线的寄生吸收作用，提高电池的效率；进一步将所述镂空区至所述背面电极的距离设计为不小于50μm，保证镂空区与背面电极具有足够的间隔，避免了镂空区开槽时对栅线区造成损伤，也避免烧穿型电极浆料扩至所述镂空区影响电池片的钝化性能。

技术特征：

1.一种太阳光能电池，其背面设有图案化的钝化接触结构、位于所述钝化接触结构上的背面电极，其特征在于，所述钝化接触结构具有位于非栅线区的镂空区，且所述镂空区至至少部分所述背面电极的距离不小于50μm。

2.根据权利要求1所述的太阳光能电池，其特征在于：所述背面电极包括沿第一方向延伸的若干主栅，所述主栅的端部具有鱼叉结构，所述镂空区位于所述鱼叉结构外。

3.根据权利要求2所述的太阳光能电池，其特征在于：所述镂空区至所述鱼叉结构的距离为50μm～200μm。

4.根据权利要求1所述的太阳光能电池，其特征在于：所述背面电极包括沿第一方向排布的若干副栅，所述副栅沿与第一方向垂直的第二方向延伸，所述镂空区在第二方向上的长度小于所述副栅的长度；和/或，所述镂空区在第二方向上的端部至所述副栅的端部的距离不小于所述镂空区在第一方向至所述副栅的距离。

5.根据权利要求1～4任意一项所述的太阳光能电池，其特征在于：所述镂空区至电池边缘的距离不小于300μm。

6.根据权利要求5所述的太阳光能电池，其特征在于：背面电极包括沿硅衬底边缘设置的边框栅线，所述镂空区位于所述边框栅线内部。

7.根据权利要求5所述的太阳光能电池，其特征在于：倒角处镂空区至电池边缘的距离不小于非倒角处镂空区至电池边缘的距离。

8.一种太阳光能电池，其背面设有图案化的钝化接触结构、位于所述钝化接触结构上的背面电极，其特征在于：所述钝化接触结构仅位于栅线区，且所述背面电极至所述钝化接触结构的至少部分边缘的距离不小于50μm。

9.根据权利要求8所述的太阳光能电池，其特征在于：所述背面电极包括沿第一方向延伸的若干主栅，所述主栅的端部具有鱼叉结构，所述鱼叉结构整体位于所述钝化接触结构上，或所述鱼叉结构至所述钝化接触结构边缘的距离为50μm～200μm。

10.根据权利要求8所述的太阳光能电池，其特征在于：所述背面电极包括边框栅线，位于所述边框栅线下方的所述钝化接触结构向外延伸至电池边缘。

技术总结
一种太阳光能电池，其背面设有图案化的钝化接触结构、位于所述钝化接触结构上的背面电极，所述钝化接触结构具有位于非栅线区的镂空区，且所述镂空区至所述背面电极的距离不小于50μm。本技术通过在钝化接触结构的非栅线区设置镂空区，去除了非栅线区的掺杂多晶硅层，减少对光线的寄生吸收作用，提高电池的效率；进一步将所述镂空区至所述背面电极的距离设计为不小于50μm，保证镂空区与背面电极具有足够的间隔，避免了镂空区开槽时对栅线区造成损伤，也避免烧穿型电极浆料扩至所述镂空区影响电池片的钝化性能。

技术研发人员：请求不公布姓名,陈海燕,叶晓亚,邓伟伟
受保护的技术使用者：扬州阿特斯太阳能电池有限公司
技术研发日：20240412
技术公布日：2024/12/19