一种双沟槽型碳化硅MOSFET器件

本技术涉及mosfet器件，具体为一种双沟槽型碳化硅mosfet器件。

背景技术：

1、碳化硅n型mosfet器件是一种关键的功率半导体器件，具有在高温、高频和高电压条件下工作的能力，碳化硅n型mosfet器件由碳化硅衬底、氧化层、金属栅极、沟道和漏源极组成，在这个结构中，碳化硅衬底是主要的半导体材料，氧化层用于隔离栅极和半导体之间，金属栅极用于控制沟道的导电性，沟道负责电荷输运，漏源极则是器件的电流输入输出端口，碳化硅n型mosfet器件的作用是作为功率开关，控制电流的流动，它可以在电路中实现开关功能，从而控制电路中的功率流动；

2、如授权公告号为cn219591409u所公开的一种沟槽型碳化硅mosfet器件，包括：上下堆叠的开关部分和分压部分，开关部分位于分压部分的顶部；开关部分包括p阱，p阱上设有贯穿开关部分的栅极沟槽，所述栅极沟槽的侧壁光滑；所述栅极沟槽顶部外围设有n+环，n+环的边缘设有p+极，其光滑的碳化硅沟槽能够提高沉积的氧化硅厚度均匀性和质量，同时提高载流子迁移率，进而可以有效降低场强集中引起的击穿问题，但是该技术方案中的mosfet器件塑封壳体中并未增设相应的电磁屏蔽结构，而未增设电磁屏蔽结构的碳化硅n型mosfet器件在恶劣的电磁环境下容易受到外界电磁干扰的影响，即外部电磁干扰易导致器件内部产生电压、电流的异常变化，从而影响器件的正常工作，特别是在一些高温、高频、高压等苛刻工作条件下，电磁干扰直接对器件的性能和寿命造成影响。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种双沟槽型碳化硅mosfet器件，在外封装壳体的顶端一体成型一个呈拱形的上塑封壳，上塑封壳的内壁上c口屏蔽罩，且c口屏蔽罩的内部增加铜箔，以解决上述背景技术中提出的问题。

2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种双沟槽型碳化硅mosfet器件，包括外封装壳体以及外封装壳体顶端一体成型的呈拱形的上塑封壳，所述外封装壳体的底部安装有p型衬底，且所述p型衬底顶端的中心位置处设置有二氧化硅绝缘层，且所述二氧化硅绝缘层的上表面安装有多晶硅栅极，所述p型衬底顶端的两侧皆设置有扩散区n+，两个所述扩散区n+的顶端分别安装有源极s、漏极d，所述上塑封壳顶部的两侧皆粘接有c口屏蔽罩，且所述c口屏蔽罩的内部安装有铜箔。

3、优选的，所述p型衬底的底端安装有碳化硅衬底，所述扩散区n+包括设置在p型衬底顶端的下沟槽，以及设置在下沟槽中的碳化硅n+。

4、优选的，所述多晶硅栅极的顶端安装有源极g，所述源极g的上表面与上塑封壳的顶壁相互接触。

5、优选的，所述上塑封壳顶部的两侧皆开设有储胶槽，所述储胶槽的内部填充有热熔胶。

6、优选的，所述c口屏蔽罩的内部开设有镂空槽，所述镂空槽的厚度与铜箔的厚度相等。

7、优选的，所述c口屏蔽罩采用镍铁合金材质的构件制得。

8、优选的，所述c口屏蔽罩靠近源极s的一侧内壁上等间距设置有若干个散热翅片。

9、与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：该一种双沟槽型碳化硅mosfet器件通过设置c口屏蔽罩和增加铜箔，在一定程度上隔离外部的电磁干扰，以保护器件内部免受外界干扰的影响，从而提高器件的稳定性和可靠性，且器件在高频、高温、高压等苛刻工作条件下工作时，c口屏蔽罩和铜箔可以有效提高器件的抗干扰能力，保证器件在复杂工作环境下的稳定性和可靠性。

技术特征：

1.一种双沟槽型碳化硅mosfet器件，其特征在于：包括外封装壳体(1)以及外封装壳体(1)顶端一体成型的呈拱形的上塑封壳(10)，所述外封装壳体(1)的底部安装有p型衬底(2)，且所述p型衬底(2)顶端的中心位置处设置有二氧化硅绝缘层(7)，且所述二氧化硅绝缘层(7)的上表面安装有多晶硅栅极(8)，所述p型衬底(2)顶端的两侧皆设置有扩散区n+(4)，两个所述扩散区n+(4)的顶端分别安装有源极s(5)、漏极d(6)，所述上塑封壳(10)顶部的两侧皆粘接有c口屏蔽罩(11)，且所述c口屏蔽罩(11)的内部安装有铜箔(1102)。

2.根据权利要求1所述的一种双沟槽型碳化硅mosfet器件，其特征在于：所述p型衬底(2)的底端安装有碳化硅衬底(3)，所述扩散区n+(4)包括设置在p型衬底(2)顶端的下沟槽(401)，以及设置在下沟槽(401)中的碳化硅n+(402)。

3.根据权利要求1所述的一种双沟槽型碳化硅mosfet器件，其特征在于：所述多晶硅栅极(8)的顶端安装有源极g(9)，所述源极g(9)的上表面与上塑封壳(10)的顶壁相互接触。

4.根据权利要求1所述的一种双沟槽型碳化硅mosfet器件，其特征在于：所述上塑封壳(10)顶部的两侧皆开设有储胶槽(1001)，所述储胶槽(1001)的内部填充有热熔胶。

5.根据权利要求1所述的一种双沟槽型碳化硅mosfet器件，其特征在于：所述c口屏蔽罩(11)的内部开设有镂空槽(1101)，所述镂空槽(1101)的厚度与铜箔(1102)的厚度相等。

6.根据权利要求1所述的一种双沟槽型碳化硅mosfet器件，其特征在于：所述c口屏蔽罩(11)采用镍铁合金材质的构件制得。

7.根据权利要求1所述的一种双沟槽型碳化硅mosfet器件，其特征在于：所述c口屏蔽罩(11)靠近源极s(5)的一侧内壁上等间距设置有若干个散热翅片(12)。

技术总结
本技术公开了一种双沟槽型碳化硅MOSFET器件，包括外封装壳体以及外封装壳体顶端一体成型的呈拱形的上塑封壳，所述外封装壳体的底部安装有P型衬底，且所述P型衬底顶端的中心位置处设置有二氧化硅绝缘层，且所述二氧化硅绝缘层的上表面安装有多晶硅栅极，所述P型衬底顶端的两侧皆设置有扩散区N+。本技术通过设置C口屏蔽罩和增加铜箔，在一定程度上隔离外部的电磁干扰，以保护器件内部免受外界干扰的影响，从而提高器件的稳定性和可靠性，且器件在高频、高温、高压等苛刻工作条件下工作时，C口屏蔽罩和铜箔也可以有效提高器件的抗干扰能力。

技术研发人员：孙响,俞承吟,章璧怡,张腾飞,周莉,朱丽萍
受保护的技术使用者：宁波工程学院
技术研发日：20240423
技术公布日：2024/12/10