半导体结构的制作方法

本揭露涉及一种半导体结构。

背景技术：

1、由于各种电子元件(晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度不断提高，半导体工业经历了快速增长。在大多数情况下，集成密度提高是由于最小结构尺寸的迭代减少而导致，这使得更多的组件可以结合到特定的区域中。随着对电子装置缩小的需求不断增长，对更小、更具创意的半导体晶粒封装技术的需求也随之出现。

技术实现思路

1、一种半导体结构包括集成电路晶粒以及密封剂，集成电路晶粒包括基板、互连结构、密封环以及保护环，基板，具有一电性装置；互连结构于基板上，其中互连结构包含介电层和导电特征，其中导电特征电耦合至电性装置；密封环于互连结构的介电层中，其中密封环在俯视图中环绕电性装置；以及保护环的至少部分嵌入基板中，其中保护环在俯视图中环绕密封环；以及密封剂，在俯视图中环绕集成电路晶粒。

2、一种半导体结构，包括：第一集成电路晶粒，其中第一集成电路晶粒包括：基板，具有装置区域；互连结构于该基板上；密封环于互连结构中；以及保护特征于互连结构和基板中，其中密封环于保护特征和装置区域之间。

3、一种半导体结构，包括第一集成电路晶粒，其中第一集成电路晶粒包括：基板具有装置区域；互连结构于基板上；密封环于互连结构中；以及保护特征于互连结构和基板中，其中密封环于保护特征和装置区域之间，其中在一俯视图中，保护特征是围绕密封环的一个或多个同心分段环。

技术特征：

1.一种半导体结构，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，其中该保护环以该电性装置电隔离。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，其中该保护环完全嵌入该基板中。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，其中该保护环在该俯视图中，位于该密封环的一外边缘和该集成电路晶粒的一第一边缘之间，其中该集成电路晶粒的该第一边缘是该集成电路晶粒距离该密封环的该外边缘最靠近的一边缘，且其中该集成电路晶粒的该第一边缘包含该集成电路晶粒的一倒角。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，其中该保护环在该俯视图中，位于该密封环的一外边缘和该集成电路晶粒的一第一边缘之间，其中该集成电路晶粒的该第一边缘是该集成电路晶粒距离该密封环的该外边缘最靠近的一边缘，其中该密封环的该外边缘与该集成电路晶粒的该第一边缘间隔开一第一距离，其中该集成电路晶粒具有一第一宽度，且其中该第一距离与该第一宽度的一比率在0.004至0.008的一范围内。

6.一种半导体结构，其特征在于，包含：

7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，还包含一密封剂，其中该第一集成电路晶粒是一个或多个集成电路晶粒的一者，其中在一俯视图中，该一个或多个集成电路晶粒具有一第一总面积，其中在该俯视图中，该密封剂具有一第二总面积，且该第一总面积与该第二总面积的一比率为2至3的一范围内。

8.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，其中该保护特征包含一第一部分，其中该第一部分的一表面与该基板的一表面齐平。

9.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，其中在一俯视图中，该保护特征是围绕该密封环的一个或多个同心连续环。

10.一种半导体结构，其特征在于，包含：

技术总结
本揭露提供一种具有保护环的半导体结构。半导体结构在俯视图中，可以包括集成电路晶粒和围绕集成电路晶粒的密封剂。集成电路晶粒可以包括具有电性装置的基板、位于基板上的互连结构并且电耦合至电性装置、在俯视图中互连结构的密封环环绕电性装置、以及至少部分嵌入基板中的保护环。在俯视图中保护环可以环绕密封环并且可以包括与基板材料不同的材料。

技术研发人员：辛柏寰,邱盈翰
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：20240423
技术公布日：2024/12/19