本技术属于半导体加工领域,具体涉及一种晶圆缓存装置。
背景技术:
1、半导体加工的过程中,晶圆需要在不同的处理设备之间输送以经过不同的处理工艺。由于各个工艺的用时以及工艺腔的数量是不同的,晶圆在经历一道处理工序后,后一道工序的处理腔内可能仍有待处理的晶圆,因此需要对晶圆进行临时存放。现有的晶圆临时存放装置仅起到了临时存储晶圆的作用,然而,尽管缓存装置能为晶圆提供一个相对洁净的存放场所,缓存装置内仍存在少量漂浮在空气中的颗粒物以及amc污染物,当晶圆在缓存装置内放置一段时间后,漂浮在缓存腔内的污染物在重力作用或自由扩散而粘附在晶圆表面,对晶圆造成污染,随着半导体加工工艺的提升,对于晶圆表面洁净度的要求也越来越高,因此对缓存装置中晶圆的洁净度提出的更高的要求。
技术实现思路
1、针对上述技术问题,本实用新型提供一种改进的晶圆缓存装置。
2、为达到上述目的,本实用新型采用如下技术方案:
3、一种晶圆缓存装置,用于提供晶圆在处理设备之间流转过程中的临时储存空间,所述晶圆缓存装置包括壳体,所述壳体内形成有用于存放晶圆的缓存腔,所述缓存腔内设有用于支撑晶圆的晶圆座;所述晶圆缓存装置还包括用于维持所述晶圆表面洁净的喷淋机构。
4、优选地,所述缓存腔内设有多个所述晶圆座,多个所述晶圆座沿上下方向排布;所述晶圆座包括支撑板以及设置在所述支撑板上的多个定位销,所述晶圆被配置为放置在所述定位销上且和所述支撑板之间具有间隙;所述支撑板将所述缓存腔分隔形成上下排布的多个晶圆放置位。
5、进一步地,所述喷淋机构被配置为向晶圆的上下表面喷淋液体,以保持晶圆表面的湿润状态。
6、进一步地,所述喷淋机构被配置为向晶圆的上下表面喷扫清洗液,以去除晶圆表面的污染物。
7、进一步地,所述喷淋机构包括多个角度可调的喷头,每个晶圆放置位至少对应两个喷头。
8、进一步地,每个所述支撑板上还设有供气流通过的通孔。
9、更进一步地,所述壳体的顶部设有和所述缓存腔连通的进气口,所述缓存腔的底部设有出气口,所述缓存腔和所述壳体之间设有供气流通过的流道,所述流道和外部处理设备连通。
10、进一步地,每个所述支撑板上设有引流机构,所述引流机构用于收集所述支撑板表面的液体后排出晶圆缓存装置。
11、进一步地,所述支撑板上设有多个调节孔,所述定位销可拆卸地设置在所述调节孔内。
12、优选地,所述缓存腔的一侧还设有可移动的门板,所述门板通过无接触的方式驱动。
13、本实用新型采用以上方案,相比现有技术具有如下优点:
14、本实用新型中,通过在晶圆缓存装置内设置用于维持晶圆表面洁净的喷淋机构,喷淋机构可以向晶圆的表面喷淋水或清洗液,即该晶圆缓存装置提供缓存空间的同时还具有清洗功能,省去了晶圆转运至下一道工序后的初步清洗环节,简化了晶圆的处理工艺,提高了晶圆加工的效率。
1.一种晶圆缓存装置,用于提供晶圆在处理设备之间流转过程中的临时储存空间,其特征在于,所述晶圆缓存装置包括壳体,所述壳体内形成有用于存放晶圆的缓存腔,所述缓存腔内设有用于支撑晶圆的晶圆座;所述晶圆缓存装置还包括用于维持所述晶圆表面洁净的喷淋机构。
2.根据权利要求1所述的晶圆缓存装置,其特征在于,所述缓存腔内设有多个所述晶圆座,多个所述晶圆座沿上下方向排布;所述晶圆座包括支撑板以及设置在所述支撑板上的多个定位销,所述晶圆被配置为放置在所述定位销上且和所述支撑板之间具有间隙;所述支撑板将所述缓存腔分隔形成上下排布的多个晶圆放置位。
3.根据权利要求2所述的晶圆缓存装置,其特征在于,所述喷淋机构被配置为向晶圆的上下表面喷淋液体,以保持晶圆表面的湿润状态。
4.根据权利要求2所述的晶圆缓存装置,其特征在于,所述喷淋机构被配置为向晶圆的上下表面喷扫清洗液,以去除晶圆表面的污染物。
5.根据权利要求2所述的晶圆缓存装置,其特征在于,所述喷淋机构包括多个角度可调的喷头,每个晶圆放置位至少对应两个喷头。
6.根据权利要求2所述的晶圆缓存装置,其特征在于,每个所述支撑板上还设有供气流通过的通孔。
7.根据权利要求6所述的晶圆缓存装置,其特征在于,所述壳体的顶部设有和所述缓存腔连通的进气口,所述缓存腔的底部设有出气口,所述缓存腔和所述壳体之间设有供气流通过的流道,所述流道和外部处理设备连通。
8.根据权利要求2所述的晶圆缓存装置,其特征在于,每个所述支撑板上设有引流机构,所述引流机构用于收集所述支撑板表面的液体后排出晶圆缓存装置。
9.根据权利要求2所述的晶圆缓存装置,其特征在于,所述支撑板上设有多个调节孔,所述定位销可拆卸地设置在所述调节孔内。
10.根据权利要求1所述的晶圆缓存装置,其特征在于,所述缓存腔的一侧还设有可移动的门板,所述门板通过无接触的方式驱动。