一种半导体蚀刻用石英一体环的制作方法

本技术涉及石英环，具体为一种半导体蚀刻用石英一体环。

背景技术：

1、在半导体存储器件的生产中，确保蚀刻过程的精准度，以提高存储容量和数据读写速度，在光电半导体器件的生产过程中，保证蚀刻的均匀性和一致性，优化器件的光学和电学性能，保障产品的高质量和高性能，总之，半导体蚀刻用石英一体环在各类半导体器件的制造中都有着广泛且重要的应用，是提升半导体产品品质和性能的重要支撑。

2、在蚀刻的具体过程中，蚀刻针头沿着石英环的侧壁部位，有条不紊地对晶圆体的侧壁展开精细的加工操作，在此过程中，位于针头和石英环侧壁之间被磨削下来的晶圆体粉末，会不可避免地挤压在石英环和晶圆体之间狭小的空间内，并且，随着针头持续不断地向前推动，这种挤压的态势极有可能会引发晶圆体粉末之间的相互摩擦，不仅会影响蚀刻的精度和效果，还可能对晶圆体的表面质量产生一定程度的损害，从而给整个半导体蚀刻工艺带来潜在的不利影响。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于：为解决随针头推动可能引发粉末摩擦，影响蚀刻精度和效果及晶圆体表面质量的问题，本实用新型提供了一种半导体蚀刻用石英一体环。

2、本实用新型为了实现上述目的具体采用以下技术方案：

3、一种半导体蚀刻用石英一体环，包括石英保护环，所述石英保护环的底侧活动插接有晶圆承载盘，所述晶圆承载盘的底端活动连接有接地承载盘，所述石英保护环的底侧设置有支撑槽，所述晶圆承载盘的顶端插接于所述支撑槽处，所述接地承载盘的侧壁处设置有固定孔，所述石英保护环包括石英外壁和石英内壁，所述支撑槽设置于所述石英外壁的底部，所述石英内壁设置于所述石英外壁的内侧，所述石英外壁包括外斜角和外弧角，所述外斜角位于所述石英保护环的外侧上半角，所述外弧角位于所述石英保护环的外侧下端，所述石英内壁包括内斜角和内弧角，所述内斜角位于所述石英保护环的内圈上端，所述内弧角位于所述石英保护环的内圈下端，所述接地承载盘包括凸齿圈，所述凸齿圈位于所述接地承载盘的顶侧依次由外至内多层设置。

4、进一步地，所述石英外壁还包括外环壁，所述外斜角位于所述外环壁的上端，所述外弧角位于所述外环壁的下端，针头的部位可分别顺着外环壁和内环壁的侧壁对晶圆体进行蚀刻；

5、进一步地，所述石英内壁还包括内环壁，所述内斜角位于所述内环壁的上端，所述内弧角位于所述内环壁的下端，外斜角、内斜角位于蚀刻针头的上端，偏移外环壁、内环壁的角度可减少和针头的顶部之间的摩擦。

6、进一步地，所述晶圆承载盘包括支撑盘和定位柱，所述支撑盘的顶侧活动连接于所述石英保护环的底侧，所述定位柱的顶端插接于所述支撑槽处，所述定位柱的底部活动连接于所述接地承载盘的顶侧，石英保护环的底侧设置的支撑槽可套在晶圆承载盘的顶部，也就是支撑槽处套接在定位柱处。

7、进一步地，所述定位柱的侧壁中部贯穿连接于所述支撑盘的侧壁中部，石英保护环的底侧设置的支撑槽可套在晶圆承载盘的顶部，也就是支撑槽处套接在定位柱处。

8、进一步地，所述接地承载盘还包括承载体和连接盘，所述晶圆承载盘的底端活动连接于所述承载体的顶侧，所述固定孔设置于所述承载体的侧壁处，不同尺寸的晶圆体放置在承载体的顶侧都会受到外侧的凸齿圈的限制，不会在加工时被推出至承载体以外的地方。

9、进一步地，所述连接盘的顶部固定连接于所述承载体的底部，所述凸齿圈设置于所述承载体的顶侧，固定孔的地方可协助承载体以及连接盘的部位实现整个一体环与蚀刻设备的接地连接，用于消除静电和稳定电场。

10、与现有技术相比，本实用新型提供了一种半导体蚀刻用石英一体环，具备以下有益效果：

11、该半导体蚀刻用石英一体环，通过石英外壁的外斜角以及石英内壁的内斜角，能够显著减少与针头顶部的摩擦，从而大幅度削减阻力，使得蚀刻操作更加顺畅高效，而外弧角和内弧角的独特设计，为蚀刻过程中避让那些极为细小的颗粒提供了充足的空间，有效避免了颗粒对蚀刻进程的干扰和阻碍，再者，凸齿圈的存在有力地保障了晶圆体在整个加工过程中始终处于稳定的位置，不会出现被推出移位的情况，从而确保了蚀刻加工的精度和准确性，极大地提高了半导体蚀刻的质量和成品率。

技术特征：

1.一种半导体蚀刻用石英一体环，包括石英保护环（1），其特征在于：所述石英保护环（1）的底侧活动插接有晶圆承载盘（2），所述晶圆承载盘（2）的底端活动连接有接地承载盘（3），所述石英保护环（1）的底侧设置有支撑槽（4），所述晶圆承载盘（2）的顶端插接于所述支撑槽（4）处，所述接地承载盘（3）的侧壁处设置有固定孔（5），所述石英保护环（1）包括石英外壁（11）和石英内壁（12），所述支撑槽（4）设置于所述石英外壁（11）的底部，所述石英内壁（12）设置于所述石英外壁（11）的内侧，所述石英外壁（11）包括外斜角（1101）和外弧角（1103），所述外斜角（1101）位于所述石英保护环（1）的外侧上半角，所述外弧角（1103）位于所述石英保护环（1）的外侧下端，所述石英内壁（12）包括内斜角（1201）和内弧角（1203），所述内斜角（1201）位于所述石英保护环（1）的内圈上端，所述内弧角（1203）位于所述石英保护环（1）的内圈下端，所述接地承载盘（3）包括凸齿圈（33），所述凸齿圈（33）位于所述接地承载盘（3）的顶侧依次由外至内多层设置。

2.根据权利要求1所述的一种半导体蚀刻用石英一体环，其特征在于：所述石英外壁（11）还包括外环壁（1102），所述外斜角（1101）位于所述外环壁（1102）的上端，所述外弧角（1103）位于所述外环壁（1102）的下端。

3.根据权利要求1所述的一种半导体蚀刻用石英一体环，其特征在于：所述石英内壁（12）还包括内环壁（1202），所述内斜角（1201）位于所述内环壁（1202）的上端，所述内弧角（1203）位于所述内环壁（1202）的下端。

4.根据权利要求1所述的一种半导体蚀刻用石英一体环，其特征在于：所述晶圆承载盘（2）包括支撑盘（21）和定位柱（22），所述支撑盘（21）的顶侧活动连接于所述石英保护环（1）的底侧，所述定位柱（22）的顶端插接于所述支撑槽（4）处，所述定位柱（22）的底部活动连接于所述接地承载盘（3）的顶侧。

5.根据权利要求4所述的一种半导体蚀刻用石英一体环，其特征在于：所述定位柱（22）的侧壁中部贯穿连接于所述支撑盘（21）的侧壁中部。

6.根据权利要求1所述的一种半导体蚀刻用石英一体环，其特征在于：所述接地承载盘（3）还包括承载体（31）和连接盘（32），所述晶圆承载盘（2）的底端活动连接于所述承载体（31）的顶侧，所述固定孔（5）设置于所述承载体（31）的侧壁处。

7.根据权利要求6所述的一种半导体蚀刻用石英一体环，其特征在于：所述连接盘（32）的顶部固定连接于所述承载体（31）的底部，所述凸齿圈（33）设置于所述承载体（31）的顶侧。

技术总结
本技术涉及石英环技术领域，且公开了一种半导体蚀刻用石英一体环，包括石英保护环，所述石英保护环的底侧活动插接有晶圆承载盘，所述晶圆承载盘的底端活动连接有接地承载盘，所述石英保护环的底侧设置有支撑槽，所述晶圆承载盘的顶端插接于所述支撑槽处，所述接地承载盘的侧壁处设置有固定孔。通过石英外壁的外斜角以及石英内壁的内斜角，能够显著减少与针头顶部的摩擦，从而大幅度削减阻力，使得蚀刻操作更加顺畅高效，而外弧角和内弧角的独特设计，为蚀刻过程中避让那些极为细小的颗粒提供了充足的空间，有效避免了颗粒对蚀刻进程的干扰和阻碍，再者，凸齿圈的存在有力地保障了晶圆体在整个加工过程中始终处于稳定的位置。

技术研发人员：周小琳
受保护的技术使用者：苏州金琳芯半导体科技有限公司
技术研发日：20240621
技术公布日：2025/3/24