晶圆去胶装置及方法与流程

本发明涉及半导体，特别涉及一种晶圆去胶装置及方法。

背景技术：

1、在半导体工艺过程中，去胶是一个至关重要的步骤，去胶的目的是去除晶圆表面的多余胶层，使晶圆以清洁的状态进入下一段工艺流程。

2、目前半导体行业的去胶方式主要有以下两种：

3、1.湿法去胶：晶圆表面胶层与晶圆表面之间黏附力较强，胶层不易脱落，因此会将带有胶层的晶圆放置在有机溶剂中浸泡，使晶圆表面胶层软化、溶解或分解，但通常该方法的周期较长，速率较低；

4、2.干法去胶：该方法主要是等离子去胶，通常主要通过氧原子核和胶层在等离子体环境中发生反应来去除胶层，氧原子与胶层发生化学反应生成一氧化碳、二氧化碳和水，产生的气体被泵抽走，由此完成晶圆表面胶层的去除，但该方法目前成本较高。

技术实现思路

1、有鉴于此，本发明实施例提供了一种晶圆去胶装置，以解决现有技术中湿法去胶存在去胶效率低的技术问题。该装置包括：

2、槽体1，用于放置液体介质，所述液体介质用于去除晶圆表面的胶层；

3、夹具2，设置在所述槽体1内，用于放置待去胶晶圆0，以使所述待去胶晶圆0浸泡在所述液体介质中；

4、加热垫4，置于所述槽体1的底部外侧，用于对所述液体介质进行加热；

5、超声装置3，置于所述槽体1的侧壁外侧，用于向所述液体介质传递超声能量，使得在所述液体介质、热能和超声能量的共同作用下去除所述待去胶晶圆0表面的胶层。

6、本发明实施例还提供了一种晶圆去胶方法，以解决现有技术中湿法去胶存在去胶效率低的技术问题。该方法包括：

7、在槽体内放置液体介质，所述液体介质用于去除晶圆表面的胶层；

8、将待去胶晶圆放置在槽体内的夹具上，以使所述待去胶晶圆浸泡在所述液体介质中；

9、通过置于所述槽体的底部外侧的加热垫对所述液体介质进行加热；

10、通过置于所述槽体的侧壁外侧的超声装置向所述液体介质传递超声能量，在所述液体介质、热能和超声能量的共同作用下去除所述待去胶晶圆表面的胶层。

11、与现有技术相比，本说明书实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到的有益效果至少包括：提出了在槽体1内放置液体介质，并在槽体1的底部外侧设置加热垫对所述液体介质进行加热，同时，在所述槽体1的侧壁外侧设置超声装置3向所述液体介质传递超声能量，将待去胶晶圆0放置在所述槽体1内的夹具2上之后，以使所述待去胶晶圆0浸泡在所述液体介质中，使得在所述液体介质、热能和超声能量（超声震荡）三重作用下共同作用去除所述待去胶晶圆0表面的胶层，有利于提高晶圆表面胶体去除效率，提高了晶圆处理速率。

技术特征：

1.一种晶圆去胶装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的晶圆去胶装置，其特征在于，所述超声装置（3）包括：

3.如权利要求2所述的晶圆去胶装置，其特征在于，所述超声波换能器（301）的数量为多个，均匀地设置在所述槽体（1）的侧壁外侧。

4.如权利要求3所述的晶圆去胶装置，其特征在于，所述槽体（1）为八边形结构，所述超声波换能器（301）均匀地设置在所述槽体（1）的4个相互间隔的外侧面上，每个所述外侧面上设置4个超声波换能器（301）。

5.如权利要求3所述的晶圆去胶装置，其特征在于，多个所述超声波换能器（301）支持分批工作、间歇工作或同时工作。

6.如权利要求3所述的晶圆去胶装置，其特征在于，多个所述超声波换能器（301）并联连接在所述超声波发生器（302）上。

7.如权利要求2所述的晶圆去胶装置，其特征在于，所述超声装置（3）还包括：

8.如权利要求1至7中任一项所述的晶圆去胶装置，其特征在于，还包括：

9.如权利要求1至7中任一项所述的晶圆去胶装置，其特征在于，所述槽体（1）的底面（12）为倾斜面，排放口（9）被设置在所述底面（12）的最低位置。

10.一种晶圆去胶方法，其特征在于，包括：

技术总结
本发明实施例提供了一种晶圆去胶装置及方法，涉及半导体技术领域，其中，该装置包括：槽体，用于放置液体介质，所述液体介质用于去除晶圆表面的胶层；夹具，设置在所述槽体内，用于放置待去胶晶圆，以使所述待去胶晶圆浸泡在所述液体介质中；加热垫，置于所述槽体的底部外侧，用于对所述液体介质进行加热；超声装置，置于所述槽体的侧壁外侧，用于向所述液体介质传递超声能量，使得在所述液体介质、热能和超声能量的共同作用下去除所述待去胶晶圆表面的胶层。该方案在液体介质、热能和超声能量三重作用下共同作用去除待去胶晶圆表面的胶层，有利于提高晶圆表面胶体去除效率，提高了晶圆处理速率。

技术研发人员：周宏杰,李帅臣,濮超义,吴志远,周军奎,朱学新
受保护的技术使用者：苏州芯慧联半导体科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2025/2/17