专利名称：一种电释放器件的制作方法
技术领域：
本实用新型属于固体器件，涉及一种由火花隙放电的固体器件。
电释放器件或称放电管是近几年来发展起来的用途广泛的防静电干扰和清除电浪涌干扰及尖脉冲干扰的器件，被广泛的应用在计算机、通讯设备和广播电视等设备中，该类器件的电参数主要是由放电电极之间的间隙即绝缘层的厚度所决定，通常要求在30μm左右，由于以机械加工的手段不可能将绝缘层加工成如此厚度，因此只能采取增大相对电极面积以等效减小绝缘层厚度的办法，来提高电释放管的参数指标，宝塔式结构代表了该器件当今的水平，就其管芯而言它是将AL2O3机械加工成“圭”形绝缘瓷芯，在各层瓷台两表面镀有半金属导电层，各导电层分别与相应电极及引线相接，其不足之处在于，体积较大、制造成本高，电参数精度低，对称性较差。
本实用新型的目的是提供一种体积小，加工成本低，电参数度高，对称性好的电释放器件，以弥补现有技术的不足。
上述目的由以下技术方案获得封装在玻璃管中的上下电极之间夹装具有难熔金属氧化物表层的半导体芯粒，玻璃管与芯粒之间设有封闭隋性气体的空间。
在难熔金属氧化物表层表面复合有金属导电层；上下电极与贴片固定连接；玻璃管一端涂复有环状色标。
下面以附图和实施例进一步说明本技术方案附图1实施例之一结构剖面示意图附图2实施例之二结构剖面示意图附图3贴片式封装结构示意图
1上电极引线，2上电极，3金属导电层，4难熔金属氧化物，5基片，6空间，7玻璃管，8下电极，9下电极引线，10贴片，11色标。
本实用新型的基本结构如图1所示，其半导体芯粒是按常规的物理沉积法将含MoO2的TiO2或SiO2溅射到N型单晶硅基片5表面，形成厚度为30μm左右的难溶金属氧化物4表层，经分割成为边长400μm的半导体芯粒，采用模具转换法工艺，在石墨模板中将玻璃管7，下电极8及引线9，由基片5、难熔金属气化物4组成的芯粒4、5，上电极2及引线1依次装配完毕，在密封烧结炉中真空处理后，充以氩气、氖气或氪气，加热烧结使玻璃管端口熔封即可。本实用新型的玻璃管、电极及轴向引线均采用DO-34，DO-35或DO-41国际标准。
图2的实施例之二与之一的区别在于，半导体芯粒上按前述工艺将金属Mo溅射在金属氧化物表层即绝缘层表面，形成金属导电层3，以提高上电极与金属氧化层之间接触的可靠性，从而使本器件的工作电压对称性大大提高，可达到≤10，优于国际同类产品水平。
图3示出了本实用新型超小型贴片10式封装的外形，适宜超小型电子产品使用，玻璃管采用φ1.74×2.0国际标准。
本实用新型的工作原理与现有电释放器件相同，但由于采用适合器件加工方法的结构，因此具有以下优点体积小，重量轻，仅为同规格现有产品的十一—二十分之一；制造成本低，仅为现有产品的十分之一，电参数指标特别是工作电压精度和对称性都优于现有同类产品。
权利要求1.一种电释放器件，由上、下电极、引线、玻璃管所组成，其特征是封装在玻璃管中的上、下电极之间夹装具有难熔金属氧化物表层的半导体芯粒，玻璃管与芯粒之间设有封闭隋性气体的空间。
2.如权利要求1所述的电释放器件，其特征是在难熔金属氧化物表层的上面复合有金属导电层。
3.如权利要求1所述的电释放器件，其特征是上、下电极分别与贴片固定连接。
专利摘要本实用新型涉及一种火花隙放电的固体器件，封装在玻璃管中的上、下电极之间夹装具有难熔金属氧化物表层的半导体芯粒，玻璃管与芯粒之间设有封闭惰性气体的空间，本实用新型具有如下优点体积小，仅为现有产品的十至二十分之一；制造成本低，仅为现有产品的十分之一；电参数指标特别是工作电压精度和对称性优于现有同类产品。
文档编号H01T1/00GK2235663SQ95216340
公开日1996年9月18日 申请日期1995年7月20日 优先权日1995年7月20日
发明者杜长景 申请人:杜长景