专利名称：用于树脂密封半导体器件的引线框和树脂密封半导体器件的制造方法
技术领域：
本发明涉及树脂密封半导体器件的引线框，以及树脂密封半导体器件的制造方法。
在已有技术中的树脂密封半导体器件的引线框中，在外引线之间设置连杆，用于在树脂模塑时检测从上下管芯之间的缝隙泄漏的树脂。通常在树脂密封之后用冲切模把连杆切掉。此外，通常用湿法搪磨装置通过高压水把已从树脂密封区边缘泄漏进入连杆之间的区域的已固化的树脂去除掉。但是，在这种情况下，引线框与密封树脂之间的粘合强度使得难以用高压水做整体去除。日本专利申请公开164356/92公开了一种解决此种问题的对策。
图1是日本专利申请公开164356/92所公开的已有技术中的树脂密封半导体器件的引线框的部分平面图。在图1所示的已有的引线框中，在位于树脂封装区的边缘5与连杆1之间的外引线2的侧表面上，形成与密封树脂的粘合性较差的材料4，从而在密封时可以容易地在树脂封装区的边缘5与连杆1之间产生的树脂。
半导体器件中外引线的引线间距的缩小也使得难以用已有技术的连杆冲切模通过切割来去除连杆。换言之，较小的引线间距要求使用较窄的冲头来切掉连杆，随之而来的冲头机械程度的降低则导致易于断裂的问题。
日本专利申请公开139868/92提出了一种解决方案，据此取消了连杆本身。
图2的平面图展示了根据由日本专利申请公开139868/92所公开的树脂密封半导体器体的已有的引线框。如图2所示，在外引线2之间形成具有与连杆相同作用的树脂(以下称为“树脂连杆3”)。进行树脂密封时，密封树脂被这些树脂连杆3所阻拦。这些树脂连杆3通常在树脂密封后被去除。如果树脂连杆3照原样留下，则在引线形成工艺中会引起引线的变形，或者在引线形成工艺中它们可能在引线之间分离出并被压入引线表面。去除树脂连杆的通常办法是采用水搪磨装置使树脂连杆承受高压水而去除。
但是，图2所示引线框存在以下缺点。图3是图2所示引线框的引线剖面图，图4是图2所示引线框的部分平面图。按通常方式采用树脂连杆的树脂密封半导体器件中，其引线间距较小，而使连杆的切割复杂化，采用蚀刻工艺代替冲压工艺来制造这种用于具有较小引线间距的树脂密封半导体器件的引线框。如图3的剖面图所示，这里展示了由蚀刻制造的引线框的引线，该引线不是矩形的，而是在各引线之间的内表面上呈曲面。
结果，当树脂密封后使其承受高压水来去除树脂连杆时，树脂连杆3在某种程度上被各引线的向内弯曲部位所支承，并且如图4所示只是在引线之间滑动并不脱落。不能去除并留在各引线之间的树脂连杆在引线形成工艺中会引起引线变形，或者树脂分离并被压入引线表面，导致存在缺陷的成品。
在采用日本专利申请公开164356/92的前述技术时，即在引线侧表面上形成粘合性较差的物质，对上述问题无法解决，这是因为无论树脂与引线框之间的粘合性如何，树脂连杆都会以相同的方式留在各引线之间。
从已有技术的上述问题出发，本发明的目的在于提供一种树脂密封半导体器件的引线框以及一种树脂密封半导体器件的制造方法，在引线框中形成有树脂用以代替连杆并提供与连杆相同的功能，在该引线框中进行树脂密封之后，可以容易地去除溢出各引线之间的树脂密封区域边缘的包括树脂连杆在内的树脂。
为了达到上述目的，本发明的特征在于，在树脂密封的半导体器件的引线框中，在从树脂封装区域伸出的各引线之间具有树脂制成的连杆，在形成有树脂连杆的部位的各引线之间的间隙不同于在此形成有树脂连杆的部位更向外去侧的部位的各引线之间的间隙，从而有助于去除引线之间的树脂连杆。
作为一个实施例，使在从形成有上述连杆的部位更向外延伸的部位处形成的引线窄于在形成有上述连杆的部位的引线宽度。
根据使用上述引线框的树脂密封半导体器件的制造方法，在树脂密封区域密封之后利用高压水除去上述连杆。
换言之，在从形成有树脂连杆的部位更向外的部位处，引线宽度窄于形成有树脂连杆的部位处的引线宽度，所以，未形成连杆的部位处的引线间距宽于连杆自身。结果，当用高压水去除时，树脂连杆在引线之间移动，同时由引线侧表面的弯曲部位所支承，然后在引线间距宽于连杆的位置从引线容易地脱落。
从以下基于展示本发明的优选实施例的附图的说明，会使本发明的上述和其它目的、特征和优点变得更加明了。
图1是日本专利申请公开164356/92所公开的已有的树脂密封半导体器件的引线框的部分平面图。
图2是日本专利申请公开139868/92所公开的已有的树脂密封半导体器件的引线框的平面图。
图3是图2所示引线框的引线剖面图。
图4是图2所示引线框的部分平面图。
图5是展示根据本发明的树脂密封半导体器件的引线框第一实施例特征部位的部分平面图。
图6是展示根据本发明的树脂密封半导体器件的引线框第二实施例的部分平面图。
图7是沿图5所示引线框的线A-A的剖面8是沿图5所示引线框的线B-B的剖面图。
图9展示了在本发明的引线框中去除树脂连杆的方式。
图10是已有的引线框的部—分平面图，用于与本发明的第一和第二实施例进行对比。
以下将结合附图，从第一实施例开始说明本发明的实施例。第一实施例的引线框用于引线间距为0.5mm的160管脚QFP(方形偏平封装)。如图5所示，在外引线11的各引线之间形成树脂，起与连杆相同的功能，因而称之为树脂连杆12。采用蚀刻工艺形成外引线11，所以各引线之间的内侧表面是弯曲状的，如图7和图8的引线剖面所示。结果，树脂连杆12处于被支承在引线侧表面的弯曲部位之间的状态(参见图7)。
从树脂密封区域向外延伸的外引线11是这样形成的，使从树脂连杆12的形成位置更向外侧的部位处的引线宽度，窄于形成有树脂连杆12的部位处的引线宽度。所以，树脂连杆12之外的外引线间距宽于形成有树脂连杆12的部位的引线间距。这种较宽的引线空隙成为去除树脂连杆12的地点。
在第一实施例内，从树脂密封区域边缘13起始的0.87mm的距离中，外引线11的宽度均为0.35mm。从此点开始到距离树脂密封区域边缘13为1.0mm的点，引线宽度减小，而且在距树脂密封区域边缘13超过1.0mm的各点，引线宽度均为0.2mm。此外，在距树脂密封区域边缘13为0.2mm的点开始，在外电极11之间形成距离为0.6mm的树脂连杆12。
在制造使用图1所示引线框的半导体器件时，由形成在外电极11之间的树脂连杆12对密封树脂进行阻挡。随后把半导体器件封装体14和外引线11固定于图9所示的支架上，把高压水16通过嘴17喷射在封装体14的侧壁和外引线11的根部。高压水冲击封装体14的侧壁并反射，把树脂连杆12推向外侧，由此，树脂连杆12通过设在支架15的排放通道被去除。
当做高压水喷射时，树脂连杆12在引线之间移动，同时被支承在因蚀刻而在引线侧表面产生的弯曲部位，但与已有的结构不同的是，树脂连杆12易于从引线上脱落，这是因为在形成有树脂连杆12的部位之外的引线间距宽于树脂连杆12的形成位置的引线间距。此外，在树脂密封区域边缘13与树脂连杆12之间出现的密封树脂也被高压水同样地除去。
以下将说明本发明的第二实施例，与第一实施例相同，图6所示的第二实施也用于引线间距为05mm的160管脚的QFP。
第二实施例中，在树脂密封区域边缘23处的外引线21宽度是0.35mm，从树脂密封区域边缘23开始，随着距离增加引线宽度逐渐减小，并在距树脂封装区域边缘23超过2mm的点之外成为定值0.2mm。此外，在距树脂封装区域边缘23为0.2mm的点开始，在各引线之间形成距离为0.6mm的树脂连杆22。
结果，与第一实施例相反，外线线在其根部与端部之间无台阶。按此方式形成引线时，如图9所示用高压水喷射时连杆的可除去性与第一实施例相同，但引线宽度无突变则有利于保证引线挠曲度的稳定性。
以下将说明对第一和第二实施例的引线框的实际评定结果。图10是已有的引线框的部分平面图，用来与第一和第二实施例进行对比。
用于评定对比的引线框是用于160管脚的QFP，而且引线间距为0.5mm，外引线31具有0.2mm的均匀宽度，如图10所示，在距树脂密封区域边缘33为0.2mm的点开始，在外引线31之间形成有距离为0.6mm的树脂连杆32。
根据已有技术、第一实施例和第二实施例的这三种引线框，均进行树脂封装，随后用200kg/cm2高压喷射的水去除外引线之间的树脂，每个半导体器件单元的树脂残余物的存在比例结果如下对于如图10所示的已有技术的引线框是100％(60个存在/60个单元)；对于如图5所示的第一实施例的引线框是0％(0个存在/60个单元)；对于如图6所示的第二实施例的引线框是0％(0个发生/60单元)。这些结果证实了本发明的效果。
根据本发明，在形成有树脂连杆的部位之外延伸的引线处的引线宽度小于形成有树脂连杆的部位处的引线宽度，在树脂连杆之外的点的外引线之间的空隙因而宽于形成有树脂连杆部位处引线之间的空隙。按此方式，即使引线框是由蚀刻工艺来形成的，也能在树脂密封之后去除引线之间的树脂，从而防止了在形成引线时因引线之的间树脂残余物而引起的引线变形或者树脂被压入引线之间。
但是，应该知道，尽管以上对本发明的特征和优点做了说明，但这种描述仅仅是例证性的，在权利要求书的范围内可以对各部件的设置做出各种变化。
权利要求
1.一种用于树脂密封半导体器件的引线框，在从树脂密封区域向外延伸的各引线之间具有树脂制成的连杆，其特征在于，在形成有所述树脂连杆的部位的各引线之间的空隙不同于从形成有所述树脂连杆的所述部位更向外侧的各点处的引线之间的空隙。
2.一种用于树脂密封半导体器件的引线框，在从树脂密封区域向外延伸的各引线之间具有树脂制成的连杆，其特征在于，在每对引线之间设置用来去除每个所述树脂连杆的空隙。
3.一种用于树脂密封半导体器件的引线框，在从树脂密封区域向外延伸的各引线之间具有树脂制成的连杆，其特征在于，从形成有所述树脂连杆的部位更向外侧的引线宽度小于形成有所述树脂连杆的部位的引线宽度。
4.一种树脂密封半导体器件的制造方法，其特征在于，采用权利要求3所述的引线框，在所述树脂密封区域密封之后，用高压水去除所述连杆。
全文摘要
在从树脂密封区域向外延伸的外引线之间形成树脂连杆。按如下方式形成外引线，使形成有树脂连杆的部位之外的各部位的引线宽度小于形成有树脂连杆的各部位的引线宽度。按此结构，连树脂密封之后，当用高压水喷射树脂连杆时，可以容易地去除掉从树脂密封区域边缘在各引线之间延伸的树脂以及树脂连杆。
文档编号H01L23/495GK1135657SQ9610430
公开日1996年11月13日 申请日期1996年1月18日 优先权日1995年1月18日
发明者西川秀幸 申请人:日本电气株式会社