专利名称：耐蚀永磁体及其制备方法
技术领域：
本发明涉及一种具有耐蚀涂层的R-Fe-B永磁体，表现出高的磁学性能，突出的抗盐水喷刷性能、耐酸性、耐碱性、耐磨性和结合性，更具体地涉及一种耐蚀永磁体，及其制备方法，该永磁体具有非常稳定的磁学性能，表现出偏离初始磁学特性的很小的性能恶化，并表现出突出的抗盐水喷刷性能。
已经提出的以B和Fe作为其主要成分的R-Fe-B永磁体(特开昭No.S59-46008/1984和特开昭No.S59-89401/1984的公报中)，使用具有丰富资源的轻稀土元素，如Nd和Pr，其中不含高成本的Sm或Co，该永磁体提供了新型的高性能永磁体，其性能超过了传统稀土钴永磁体的最高性能。
上述磁性合金的居里温度一般在300℃-370℃范围内。但是，通过用Co取代部分Fe，获得了更高居里温度的R-Fe-B永磁体(特开昭No.59-64733/1984，特开昭No.S59-132104/1984)。(在特开昭No.60-34005/1985中)还提出了一种含Co的R-Fe-B稀土永磁体，其居里温度至少与上述的含Co的R-Fe-B稀土永磁体一样高，并具有更高的(BH)max，其中，为了提高温度特性，尤其是改善iHc，在其中主要用Nd和Pr等轻稀土元素作为稀土元素(R)的含Co的R-Fe-B稀土永磁体的部分R中含有至少一种重稀土元素，如Dy或Tb，从而在保持非常该的(BH)max(25MGOe或更大)的同时，提高iHc。
但是，仍然存在问题，在上述的用表现出突出的磁学性能的R-Fe-B磁学各向异性的烧结体制备的永磁体中，作为其主要成分，含有一种含有稀土元素和铁的活性化合物组分，因此，把这些永磁体制成磁回路时，由于在磁体表面产生氧化物，磁回路输出降低并在磁回路之间诱发偏差，并且周围的设备被从磁体表面分离出的氧化物所污染。
因此，(在特公平H3-74012/1991中)提出了一种永磁体，其中，为了改善上述的R-Fe-B磁体的耐蚀性能，该磁体的表面用电镀或非电镀的方法涂敷了一个耐蚀镀层。但是，这种永磁体是一种多孔的烧结体，因此，在用这些镀层方法进行预镀过程中，酸性溶液或碱性溶液保留在气孔中，导致性能随时间而降低并导致腐蚀，以及该磁体耐化学腐蚀性的降低，因此在镀层过程中腐蚀磁体表面，从而降低了结合性和耐蚀性能。
即使提供了一种耐蚀镀层，在耐蚀试验中，其中，把试样在60℃的温度下，90％的相对湿度下暴露100小时，也证明其磁学性能是非常不稳定的，从其初始磁学性能降低10％或更大。
因此，为了改善R-Fe-B永磁体的耐蚀性能，(在特公平5-15043/1993中)提出了一种用离子镀或离子溅射法等向上述的磁体表面涂敷AlN、Al、TiN或Ti的方法。但是，AlN和TiN涂层具有不同于R-Fe-B磁体的晶体结构、热膨胀系数和延展性，因此，结合性差，虽然Al和Ti的结合性和耐蚀性能良好，但是它们的耐磨性差。
为了解决这些问题，(在特开昭63-9919/1988的公报中)已经提出了用层叠的Ti和TiN薄膜涂敷R-Fe-B永磁体的表面。但是，Ti和TiN涂层的晶体结构、热膨胀系数和延展性不同，所以结合性差，产生剥离，耐蚀性能降低。
由于这些原因，对于表现出与基体具有优异结合性的优异的耐蚀永磁体，(在特开平6-349619/1994中)提出了一种耐蚀永磁体，其中，在形成具有特定薄膜厚度的Ti涂层作为R-Fe-B永磁体表面上的基础膜之后，通过一种薄膜形成方法，在特定条件下，在引入Ar气和N2气的混合气体时，在该Ti涂层表面的特定薄膜厚度内，形成N浓度随着靠近表面而增大的N扩散层，然后，通过离子镀等薄膜形成方法，在N2气中，涂敷特定薄膜厚度的TiN涂层，(在特开平7-249509/1995中)提出了具有特定薄膜厚度的Al涂层作为基础薄膜的耐蚀永磁体。
但是，虽然上述耐蚀永磁体在80℃的温度90％的相对湿度下的耐蚀试验中表出除了优异的耐蚀性能，但是，在严酷的耐蚀试验中，如盐水喷刷实验(在34℃-36℃下，在JIS Z2371的实验条件下用5％的中性NaCl溶液进行的喷刷实验)，防腐性能仍然不够。因此，需要抗盐水喷刷并且即使在盐水喷刷是严重仍然表现出足够的耐蚀性能的磁体，以用于，例如，暴露在大气中的波动器。
本发明的一个目的是提供一种R-Fe-B永磁体及其制备方法，该永磁体表现出与R-Fe-B永磁体基础具有优异结合性、耐磨性和稳定的高磁学性能，以及即使在34-36℃的温度范围内，用5％的中性NaCl溶液进行的盐水喷刷实验(JIS Z2371)这样的严酷的耐蚀试验中也表现出从初始磁学性能下降非常小的性能，耐磨性和耐盐水喷刷性能。
为了实现表现出稳定的磁学性能R-Fe-B永磁体，本发明对在永磁体表面形成AlN涂层、TiN涂层或Ti1-xAlxN涂层的方法进行了各种研究，因为与基体表现出优异结合性的耐蚀涂层的耐磨性和抗盐水喷刷性能，在34-36℃的温度范围内经受5％的中性NaCl溶液的盐水喷雾时发生腐蚀所需的时间可以延长。因此，他们发现，当基础涂层仅为上述的Ti涂层或Al涂层时，R-Fe-B磁体整体的电位“高”，位于存在Nd等的磁体内部的部分的电位非常“低”，因此，容易通过AlN涂层、或TiN涂层、或Ti1-xAlxN涂层中的非常小的针孔发生腐蚀。
因此，本发明人对形成AlN涂层、TiN涂层和Ti1-xAlxN涂层的方法进行了进一步的研究。结果发现，通过先在永磁体的表面上提供一个Ti涂层，然后提供一个Al涂层，作为AlN涂层、或TiN涂层或Ti1-xAlxN涂层的基础，由于Al在电化学上电位略“低于”Ti，该Al涂层成为Ti涂层的消耗层，因此，只要在基础涂层中的Ti涂层与AlN涂层、或TiN涂层、或Ti1-xAlxN涂层之间存在作为中间层的Al涂层，即使从表面层内的AlN涂层、或TiN涂层、或Ti1-xAlxN涂层中的非常小的针孔发生腐蚀，也不会立即穿透基础薄膜以及磁体的基础材料，从而防护了在基础涂层中Ti涂层涂敷的R-Fe-B永磁体。
本发明人还发现导致本发明成功的另两个地方。首先，他们发现通过在Al涂层上产生一个AlN涂层，在Al和AlN之间的界面上产生AlNx，使得有可能明显改善在Al涂层与AlN涂层之间的结合性。其次，他们发现通过在Al涂层上形成AlN涂层、或TiN涂层、或Ti1-xAlxN涂层，产生组成为Ti1-αAlαNβ(其中，0＜α＜1,0＜β＜1)的Ti、Al和N的复杂涂层，其组成和薄膜厚度的变化取决于基体温度、偏置电压、薄膜形成速度和Ti1-xAlxN的组成等，因此，在Al涂层与AlN涂层、或TiN涂层、或Ti1-xAlxN涂层之间的界面上产生AlNx，可以明显改善Al和AlN涂层之间的结合性。
更具体地，本发明是一种永磁体及其制备方法，该永磁体抗盐水喷刷，其中，通过一种薄膜形成方法，在主晶相为四方相的R-Fe-B永磁体的清洁表面，形成薄膜厚度为0.1-0.3μm的Ti涂层，然后，在Ti涂层上形成薄膜厚度为0.1-5μm的Al涂层，在Al涂层上形成薄膜厚度为0.5-10μm的AlN涂层、或TiN涂层、或Ti1-xAlxN涂层(其中，0.03＜x＜0.70)。
现在详细描述本发明中的制备一种抗盐水喷刷的永磁体的方法的一个实施例，其特征在于通过一种薄膜形成方法在其主晶相为四方相的R-Fe-B永磁体的清洁表面上形成一个Ti涂层，然后，通过在Ti涂层上形成一个Al涂层，提供一个AlN涂层。
1)例如，使用一种电弧离子镀设备，在把真空容器抽真空达到1×10-3Pa或更低的真空度后，通过在10Pa的Ar气压力和-500V下用Ar离子轰击表面来清洗R-Fe-B磁体表面。然后，在0.1Pa的Ar气压力和-80V的偏置电压下蒸发Ti靶，通过电弧离子镀在磁体表面上形成薄膜厚度为0.1-3.0μm的Ti涂层。
2)然后，在0.1Pa的Ar气压力和-50V的偏置电压下，蒸发Al靶，通过电弧离子镀形成薄膜厚度为1-5μm的Al涂层。
3)然后，用Al作为靶材，在基体磁体温度保持在250℃,N2压力为1Pa、和偏置电压为-100V的条件下，在Al涂层上形成某一特定厚度的AlN涂层。
下面详细描述制备抗盐水喷刷的永磁体的方法的一个实施例，其特征在于在R-Fe-B永磁体表面上形成一个Ti涂层后，通过在该Ti涂层上形成一个Al涂层，提供一个TiN涂层。
1)例如，使用一种电弧离子镀设备，在把真空容器抽真空达到1×10-3Pa或更低的真空度后，通过在10Pa的Ar气压力和-500V下用Ar离子轰击表面来清洗R-Fe-B磁体表面。
然后，在0.1Pa的Ar气压力和-80V的偏置电压下蒸发Ti靶，通过电弧离子镀在磁体表面上形成薄膜厚度为0.1-3.0μm的Ti涂层。
2)然后，在0.1Pa的Ar气压力和-50V的偏置电压下，蒸发Al靶，通过电弧离子镀形成薄膜厚度为1-5μm的Al涂层。
3)然后，用Ti作为靶材，在基体磁体温度保持在250℃,N2压力为1Pa、偏置电压为-100V和电弧电流为100A的条件下，在Al涂层上形成特定厚度的TiN涂层。
下面详细描述制备抗盐水喷刷的永磁体的方法的一个实施例，其特征在于在R-Fe-B永磁体表面上形成一个Ti涂层后，通过在该Ti涂层上形成一个Al涂层，提供一个Ti1-xAlxN涂层(0.03＜x＜0.70)。
1)例如，使用一种电弧离子镀设备，在把真空容器抽真空达到1×10-3Pa或更低的真空度后，通过在10Pa的Ar气压力和-500V下用Ar离子轰击表面来清洗R-Fe-B磁体表面。
然后，在0.1Pa的Ar气压力和-80V的偏置电压下蒸发Ti靶，通过电弧离子镀在磁体表面上形成薄膜厚度为0.1-3.0μm的Ti涂层。
2)然后，在0.1Pa的Ar气压力和-50V的偏置电压下，蒸发Al靶，通过电弧离子镀形成薄膜厚度为1-5μm的Al涂层。
3)然后，用Ti1-xAlxN(其中，0.03＜x＜0.70)作为靶材，在基体磁体温度保持在250℃,N2压力为3Pa、偏置电压为-120V的条件下，在Al涂层上形成特定厚度的Ti1-xAlxN(其中，0.03＜x＜0.70)涂层。
在本发明中，关于形成结合在R-Fe-B永磁体表面上的Ti涂层、Al涂层、AlN涂层、或TiN涂层或者Ti1-xAlxN涂层的方法，可以适当地选择离子镀或汽相沉积等已知的薄膜形成方法。但是，由于涂层的精细程度、均匀性和涂层形成速度等因素，离子镀和离子反应镀是优选的。
希望的是，在涂层形成过程中，基体磁体的温度设定在200-500℃。在低于200℃的温度下，与基体磁体的反应结合性不够，而在高于500℃的温度下，与室温(+25℃)的温度差增大，在处理后的冷却过程中，在涂层中产生细微的裂纹，并且有部分从基体上剥离下来。因此基体磁体的温度设定在200-500℃的范围内。
在本发明中，限制磁体表面上的Ti涂层的厚度在0.1-3.0μm范围内的原因是厚度低于0.1μm时与磁体的结合性不够，而当厚度超过3.0μm时，虽然不存在效果问题，但是基础涂层的成本增大，成为不实用的并且是不希望的。因此，Ti涂层的厚度为0.1μm-3.0μm。
此外，在本发明中，限制在Ti涂层表面上的Al涂层的厚度在0.1-5μm范围内的原因是，当厚度小于0.1μm时，Al难以均匀结合在Ti涂层的表面上，在为中间层的效果不够，而当厚度大于5μm时，虽然不存在效果问题，但是中间层的成本增大，这是不希望的。因此，Al涂层的厚度为0.1-5μm。
限制AlN涂层、TiN涂层或Ti1-xAlxN(其中，0.03＜x＜0.70)的厚度在0.5-10μm范围内的原因是，当厚度小于0.5μm时，AlN涂层、TiN涂层或Ti1-xAlxN涂层的抗盐水喷刷性和耐磨性不够，而在或镀大于10μm时，虽然不存在效果问题，但是制备成本增大，这是不希望的。
限制在Ti1-xAlxN涂层中的x值的原因是，在该值小于0.03时，在Ti1-xAlxN涂层中不能得到希望的性能(抗盐水喷刷性能、耐磨性)，而当该值超过0.70时，没有实现性能的提高。
在本发明中的永磁体中所用的稀土元素R占组成的10原子％-30原子％，但是希望的是，或者含有选自Nd、Pr、Dy、Ho和Tb中的至少一种元素，或者除了这些元素之外，还含有选自La、Ce、Sm、Gd、Er、Eu、Tm、Yb、Lu和Y中的至少一种元素。通常，有这些R元素的一种就足够了，但是在实践中，为了容易获得，可能使用两种或多种元素(稀土混合物金属，钕镨混合物等)。这种R也不必是纯稀土元素；其中含有在制造中不可避免的工业加工范围内的杂质是不成问题的。
在上述的永磁体中，R是必需的元素。在低于10原子％时，晶体结构变成与α-铁结构相同的立方晶系，因此不能获得高的磁学性能，尤其是高的矫顽力。在超过30原子％时，富R的非磁相增多，残余磁通量密度(Br)降低，不能获得表现出优异性能的永磁体。因此，希望R在10-30原子％范围内。
在上述的永磁体中，B是必需的元素。在低于2原子％时，斜方结构成为主晶相，不能获得高的矫顽力(iHc)。在超过28原子％时，富B的非磁性相增多，残余磁通量密度(Br)降低，因此不能获得优异的永磁体。因此，希望B在2-28原子％范围内。
在上述永磁体中，Fe是必需的元素。在低于65原子％时，残余磁通量密度(Br)降低。在超过80原子％时，不能获得高的矫顽力。因此，希望Fe在65-80原子％范围内。通过用Co代替部分Fe，可以改善温度特性而不降低所得的磁体的磁学特性。另一方面，在Co的替代量超过Fe的20％时，磁学特性恶化，这是不希望的。当Co的替代量是Fe和Co总量的5-15原子％时，与无替代时相比Br提高，且可以实现高的磁通密度，这是希望的。
除了R、B和Fe元素以外，在工业生产过程中的不可避免的杂质的存在是允许的。通过用C、P、S和Cu中的至少一种元素替代部分B，即C为4.0wt％或更少，P为2.0wt％或更少，S为2.0wt％或更少，和/或Cu为2.0wt％或更少，例如，使替代的总量为2.0wt％或更少，有可能改善永磁体的生产率并降低成本。
为了改善矫顽力或退磁曲线的矩形特性或降低成本，也有可能向R-Fe-B永磁材料中加入Al、Ti、V、Cr、Mn、Bi、Nb、Ta、Mo、W、Sb、Ge、Sn、Zr、Ni、Si、Zn和HF。至于这些添加剂的加入量的上限，为了使磁性材料的(BH)max为20MGOe以上，Br必须至少为9kG或更大，所以，应该在可以满足该条件的范围内。
本发明的永磁体特征在于使其主晶相为具有四方晶体结构的化合物，其中，主晶相晶粒直径在1-80μm范围内，含有体积百分比为1-50％范围内的非磁性相(不包括氧化物相)。
根据本发明的永磁体表现出矫顽力iHc≥1kOe，残余磁通量密度Br＞4kG，最大能量输出(BH)max≥10MGOe，且其最大值为25MGOe或更高。
实施方案1破碎并细碾常见的铸块，然后经过模压成型、烧结和热处理，得到磁体试件，组成为14Nd-0.5Dy-7B-78.5Fe，直径为12mm，厚度为2mm。其磁学特性列于表1。
把一个真空容器抽真空至1×10-3或更低，在10Pa的Ar气压，-500V下进行20分钟的表面溅射，清洗了磁体的表面。然后，在基体磁体温度为280℃,Ar气压力为0.1Pa，偏置电压为-80V下，使金属Ti靶经过电弧离子镀在磁体表面上形成厚度为1μm的Ti涂层。
然后，在基体磁体温度为250℃,Ar气压力为0.1Pa，偏置电压为-50V下，用金属Al靶经过电弧离子镀在Ti涂层表面上形成厚度为2μm的Al涂层。
然后，在基体磁体温度为350℃，偏置电压为-100V下，N2气压力为1Pa，使金属Al靶经过2小时的电弧离子镀在Al涂层表面上形成薄膜厚度为2μm的AlN涂层。
然后，在冷却之后，使在其表面上带有AlN涂层的所得的永磁体经过在35℃的温度下，用5％的中性NaCl溶液进行的喷刷实验(JISZ2371)，测量发生腐蚀的时间。结果与磁学性能一起列于表2。
对比方案1用与第一个实施方案相同组成的磁体试件，在与第一个实施方案相同的条件下，在该磁体试件上形成3μm的Ti涂层，然后，在与第一个实施方案相同的条件下，形成相同厚度(2μm)的AlN涂层，然后在与第一个实施方案相同的条件下进行盐水喷刷实验，测量发生腐蚀的时间。结果与磁学性能一起列于表2。
对比方案2用与第一个实施方案相同组成的磁体试件，在与第一个实施方案相同的条件下，在该磁体试件上形成3μm的Al涂层，然后，在与第一个实施方案相同的条件下，形成相同厚度的AlN涂层，然后在与第一个实施方案相同的条件下进行盐水喷刷实验，测量发生腐蚀的时间。结果与磁学性能一起列于表2。
实施方案2破碎并细碾常见的铸块，然后经过模压成型、烧结和热处理，得到磁体试件，组成为15Nd-77Fe-8B，直径为12mm，厚度为2mm。其磁学特性列于表3。
把一个真空容器抽真空至1×10-3或更低，在10Pa的Ar气压，-500V下进行20分钟的表面溅射，清洗了磁体的表面。然后，在基体磁体温度为280℃,Ar气压力为0.1Pa，偏置电压为-80V，电弧电流为100A下，使金属Ti靶经过电弧离子镀在磁体表面上形成厚度为1μm的Ti涂层。
然后，在基体磁体温度为250℃,Ar气压力为0.1Pa，偏置电压为-50V，电孤电流为50A下，用金属Al作为靶材，经过电弧离子镀在Ti涂层表面上形成厚度为2μm的Al涂层。
然后，在基体磁体温度为350℃，偏置电压为-100V，电弧电流为100A,N2气压力为1Pa下，使金属Ti靶经过2小时的电弧离子镀在Al涂层表面上形成薄膜厚度为2μm的TiN涂层。
然后，在冷却之后，使在其表面上带有TiN涂层的所得的永磁体经过在35℃的温度下，用5％的中性NaCl进行的喷刷实验(JISZ2371)，测量发生腐蚀的时间。结果与磁学性能一起列于表4。
对比方案3用与第二个实施方案相同组成的磁体试件，在与第二个实施方案相同的条件下，在该磁体试件上形成3μm的Ti涂层，然后，在与第二个实施方案相同的条件下，形成相同厚度(2μm)的TiN涂层，然后在与第二个实施方案相同的条件下进行盐水喷刷实验，测量发生腐蚀的时间。结果与磁学性能一起列于表4。
对比方案4用与第二个实施方案相同组成的磁体试件，在与第二个实施方案相同的条件下，在该磁体试件上形成3μm的Al涂层，然后，在与第二个实施方案相同的条件下，形成相同厚度的AlN涂层，然后在与第二个实施方案相同的条件下进行盐水喷刷实验，测量发生腐蚀的时间。结果与磁学性能一起列于表4。
实施方案3破碎并细碾常见的铸块，然后经过模压成型、烧结和热处理，得到磁体试件，组成为15Nd-1Dy-76Fe-8B，直径为12mm，厚度为2mm。其磁学特性列于表1。
把一个真空容器抽真空至1×10-3或更低，在10Pa的Ar气压，-500V下进行20分钟的表面溅射，清洗了磁体的表面。然后，在基体磁体温度为280℃,Ar气压力为0.1Pa，偏置电压为-80V下，使金属Ti靶经过电弧离子镀在磁体表面上形成厚度为1μm的Ti涂层。
然后，在基体磁体温度为250℃,Ar气压力为0.1Pa，偏置电压为-50V下，用金属Al靶经过电弧离子镀在Ti涂层表面上形成厚度为2μm的Al涂层。然后，在基体磁体温度为350℃，偏置电压为-100V下，N2气压力为1Pa，使Ti0.45Al0.55合金靶经过2小时的电弧离子镀，在Al涂层表面上形成薄膜厚度为2μm的Ti1-xAlxN涂层。所产生的涂层组成为Ti0.45Al0.55N。
然后，在冷却之后，使在其表面上带有TiN涂层的所得的永磁体经过在35℃的温度下，用5％的中性NaCl进行的喷刷实验(JISZ2371)，测量发生腐蚀的时间。结果与磁学性能一起列于表5。
对比方案5用与第三个实施方案相同组成的磁体试件，在与第一个实施方案相同的条件下，在该磁体试件上形成3μm的Ti涂层，然后，在与第一个实施方案相同的条件下，形成相同厚度(2μm)的Ti0.5Al0.5N涂层，然后在与第三个实施方案相同的条件下进行盐水喷刷实验，测量发生腐蚀的时间。结果与磁学性能一起列于表6。
对比方案6用与第三个实施方案相同组成的磁体试件，在与第一个实施方案相同的条件下，在该磁体试件上形成3μm的Al涂层，然后，在与第一个实施方案相同的条件下，形成相同厚度的Ti0.5Al0.5N涂层，然后在与第三个实施方案相同的条件下进行盐水喷刷实验，测量发生腐蚀的时间。结果与磁学性能一起列于表6。
表1
表2
表3
表4
表5
表权利要求
1.一种耐蚀永磁体，其中在R-Fe-B磁体表面上，通过基础Ti涂层制备Al涂层作为中间层；并在其最外边的表面上涂敷TiN涂层、或AlN涂层、或Ti1-xAlxN涂层(其中，0.03＜x＜0.70)。
2.如权利要求1所述的耐蚀永磁体，其中，该永磁体表现出优异的抗盐水喷刷性。
3.如权利要求1所述的耐蚀永磁体，其中，所述基础Ti涂层的厚度为0.1-3.0μm。
4.如权利要求1所述的耐蚀永磁体，其中，所述中间层Al涂层的厚度为0.1-5.0μm。
5.如权利要求1所述的耐蚀永磁体，其中，作为所述的最外边的表面层的所述TiN涂层、AlN涂层、或Ti1-xAlxN涂层的厚度为0.5-10μm。
6.如权利要求1所述的耐蚀永磁体，其中，在所述中间层Al涂层与所述最外边的表面层TiN涂层之间的界面上形成Ti1-αAlαNβ层(其中，0＜α＜1,0＜β＜1)。
7.如权利要求1所述的耐蚀永磁体，其中，在所述中间层Al涂层与所述最外表面层AlN涂层之间的界面上形成AlNx层(其中，0＜x＜1)。
8.如权利要求1所述的耐蚀永磁体，其中，在所述的中间层Al涂层与所述最外边的表面层Ti1-xAlxN涂层之间的界面上形成Ti1-αAlαNβ层(其中，0.03＜α＜1,0＜β＜1)。
9.一种耐蚀永磁体的制备方法，其中包括清洗含有作为其主晶相的四方相的R-Fe-B磁体的表面；通过薄膜形成方法形成Ti涂层作为基础涂层；通过所述薄膜形成方法形成Al涂层作为中间层；以及在其最外边的表面通过薄膜形成方法形成TiN涂层、或AlN涂层、或Ti1-xAlxN涂层(其中，x=0.03-0.70)。
10.如权利要求9所述的耐蚀永磁体的制备方法，其中，该永磁体表现出优异的抗盐水喷刷性。
11.如权利要求9所述的耐蚀永磁体的制备方法，其中，所述薄膜形成方法是离子镀。
12.如权利要求9所述的耐蚀永磁体的制备方法，其中，所述基础层Ti涂层的厚度为0.1-3.0μm。
13.如权利要求9所述的耐蚀永磁体的制备方法，其中，所述中间层Al涂层的厚度为0.1-5.0μm。
14.如权利要求9所述的耐蚀永磁体的制备方法，其中，所述最外边的表面的所述TiN涂层、AlN涂层、或Ti1-xAlxN涂层(其中，x=0.03-0.70)的厚度为0.5-10μm。
全文摘要
一种即使在磁体经过盐水喷刷耐久实验时其初始磁性能也难以降低并且具有稳定的磁学性能、稳定的高耐磨性和稳定的耐腐蚀性的R－Fe－B永磁体以及制造该磁体的方法。在通过例如离子溅射法清洗该永磁体的表面以后,通过在N
文档编号H01F41/02GK1231756SQ9719813
公开日1999年10月13日 申请日期1997年7月25日 优先权日1996年8月30日
发明者菊井文秋, 池上雅子, 吉村公志 申请人:住友特殊金属株式会社