专利名称：介质滤波器和介质双工器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种介质滤波器和介质双工器，更具体些说，本发明尤其涉及一种用于通信设备中的双波段(微波波段和毫米波波段)的介质滤波器和介质双工器。
在用于通信设备的微波波段或毫米波波段的高频率电路部分的结构中，这样的电路部分通过组合两个带通滤波器101、121(示于
图11和12)而构成。示于图10中的带通滤波器101设有三个利用TEM模式的谐振器。
在图10中，高频电路部分包括介质块102；在其内壁表面上设置内导体的通孔103；电极图案104，用于调节TEM模式谐振器的各个谐振频率和与谐振器的电磁耦合、设置在介质块102的外表面(开路端面102a除外)上的外导体105以及TEM模式的输入/输出电极106。
图11所示的带通滤波器121设有三个利用TE模式的谐振器。在图11中，带通滤波器设有介质块122；用于TE模式耦合的线导体123；设置在介质块122的上表面和下表面上并通过线导体123相互电气连接的外导体124a、124b以及TE模式的输入/输出电极125。
除了上述结构之外，有一些情况，其中用于双波段的高频电路部分包括利用双工器的一输入/二输出型的带通滤波器。
但是，在任何一种情况下，有一个问题，即，当把上述滤波器安装在印刷电路板等上时需要有一个让两个带通滤波器占据的空间。
为了解决这个问题，能够设计一种复合部分，它通过将TEM模式带通滤波器101和TE模式带通滤波器121(分别示于图10和11)一体化而小型化。但是，仅仅通过将TEM模式带通滤波器101和TE模式带通滤波器121一体化，需要在形成于TEM模式带通滤波器101开路端面102a上的电极图案104之间得到用于TE模式耦合的线导体123，并且TEM模式谐振器相互电磁耦合受线导体123的影响。因此，难以独立设计TEM模式带通滤波器和TE模式带通滤波器。另外，电极图案104设置在开路端面102a上，并且线导体123的形成位置限于开路端面102a的规定部分，这产生一个新问题，即，TE模式的谐振器的谐振频率和谐振器数量的设定是受到限制的。
提供本发明的较佳实施例以克服上述问题，并提供双波段的小型化的介质滤波器和小型化的介质双工器，其中能够独立设计每一种模式的内装的谐振器。
本发明的较佳实施例提供了一种介质滤波器，包括大致上为矩形的介质块，所述介质块包括相互面对的第一和第二表面和相互面对，并在所述第一和第二表面之间延伸的第三和第四表面；多个在所述第一和第二表面之间延伸的通孔；除了不导电部分之外设置在所述通孔的内表面上的内导体，所述不导电部分设置在所述通孔接近于所述介质块的所述第一表面的内表面上；设置在所述介质块的第三和第四表面上的外导体；以及设置在所述介质块的所述第一表面上的线导体，设置在所述介质块的所述第三表面上的外导体的一部分以及设置在所述介质块的所述第四表面上的外导体的一部分通过所述线导体相互连接；由此可以提供多个包括TEM模式谐振器和TE模式谐振器组合的谐振器，或者TEM模式谐振器和TM模式谐振器的组合的谐振器。
在上述的介质滤波器中，不用线导体，可以提供耦合装置或耦合凹槽中的至少一种。所述耦合装置在所述介质块的所述第三和第四表面之间延伸，并且设置在所述介质块的所述第三表面上的所述外导体一部分和设置在所述介质块的所述第四表面上的所述外导体的一部分通过所述耦合装置相互连接。所述耦合凹槽设置在所述介质块的所述第一和第二表面上，并在所述介质块的所述第三和第四表面之间延伸；由此提供了包括TEM模式谐振器和TE模式谐振器组合或TEM模式谐振器和TM模式谐振器的组合的多个谐振器。
上述耦合装置可以包括在所述介质块的所述第三和第四表面之间延伸的用于耦合的通孔，以及设置在通孔内表面上的内导体。设置在所述介质块的所述第四表面上的所述外导体的一部分通过所述内导体相互连接。
在上述介质滤波器中，所述不导电部分也可以设置在所述通孔接近于所述第二表面的所述介质块的所述内表面上。
上述介质滤波器还可以包括相互面对，并在所述第一和第二表面之间延伸的第五和第六表面；而输入/输出外部电极可以设置在所述介质块的所述第五和第六表面上。
上述介质滤波器的结构也可以应用到介质双工器中。
根据上述结构，多个通孔和它们的内导体，连同外导体和介质块构成了多个TEM模式谐振器。另一方面，线导体、诸如用于耦合的通孔之类耦合装置和用作耦合电纳的凹槽，连同外导体和介质块构成多个TE模式谐振器或TM模式谐振器，它们被线导体、耦合装置和凹槽划分。
另外，设置在通孔的内表面上的内导体还在接近于介质块的第二表面处提供有不导电部分，并且TEM模式谐振器成为1/2波长谐振器。
因为把用于调节TEM模式介质谐振器的各个谐振频率和它们的电磁耦合的不导电部分设置在通孔中，故抑制了由线导体、耦合装置和凹槽产生的电磁影响。结果，可以得到小型化的双波段介质滤波器或介质双工器，能够独立设计它们的每种模式的内装谐振器。
从下面参照附图对本发明的较佳实施例的描述，本发明的其它特点和优点是显而易见的，其中相似的标号表示系统的元件，以表面重复地描述。
图1是本发明的介质滤波器的第一较佳实施例的透视图。
图2是图1中的介质滤波器的等效电路图。
图3是指出图1中的介质滤波器的衰减特性的曲线图。
图4是本发明的介质滤波器的第二较佳实施例的透视图。
图5是图4中的介质滤波器的等效电路图。
图6是本发明的介质滤波器的第三较佳实施例的透视图。
图7是图6中的介质滤波器的等效电路图。
图8是本发明的介质双工器的较佳实施例的透视图。
图9是图8中的介质双工器的等效电路图。
图10是传统的TEM模式的介质滤波器的透视图。
图11是描述传统的TE模式的介质滤波器的透视图。如图1中所示，介质滤波器1设置有由介质材料制成的长方体的介质块2。多个通孔3(在第一实施例中为两个通孔)在第一表面2a和对着所述介质块2的第一表面2a的第二表面2b之间延伸。分别在通孔3的内表面上设置内导体4，并且在接近于第一表面2a处内导体4提供有不导电部分4a。
在介质块2的外壁表面(除了第一表面2a之外)上设置外导体5。即，外导体5和介质块2的第一表面2a(下面称为“开路端面”)上的内导体4电气上断开路(断开)，并且在第二表面2b(下面称为“短路端面2b”)上与内导体4电气上短路(导电)。
另外，从介质块2的第一表面2a引至第二表面2b的线导体7设置在通孔3之间的开路端面2a上。在开路端面上线导体7将设置在介质块2的上表面(第三表面)上的外导体部分5a电气连接到设置在其下表面(第四表面)上的外导体部分5b。TE模式输入电极11a、TEM模式输入电极12a、TE模式输出电极11b和TEM模式输出电极12b分别形成在介质块2的右侧和左侧表面(第五和第六表面)上，其中在它们和外导体5之间有间隙。
两个通孔3和它们的内导体4，以及外导体5和介质块2，构成两个1/4波长的TEM模式的介质谐振器16a、16b，介质块2的开路端面2a和短路端面2b用作开路端面和短路端面。TEM模式介质谐振器16a、16b相互电磁耦合，以形成TEM模式的两级带通滤波器。
设置在介质块2的开路端面2a上的线导体7用作耦合电纳。由此，外导体5和介质块2构成两个TE模式介质谐振器15a、15b(最好是诸如TE101、TE102之类的低次模式)。TE模式介质谐振器15a、15b通过线导体7电磁耦合，以形成TE模式的二级带通滤波器。即，线导体7不只是电磁耦合TE模式的介质谐振器15a、15b，也用作电磁边界部分，它具有谐振器15a、15b的大的反射系数。
图2是介质滤波器1的等效电路。介质滤波器1是二输入和二输出的双波段介质滤波器，其中，装入TEM模式带通滤波器和TE模带通滤波器。即，如图3中所示，介质滤波器1具有两个通带，并且例如，通带A是TEM模式带通滤波器的通带，而通带B是TE模式带通滤波器的通带。
在上述结构的介质滤波器1中，设置在每一个通孔3中的内导体4设置有不导电部分4a，并且能够通过适当地设置不导电部分4a的尺寸和安排位置而调节TEM模式介质谐振器16a和16b的各自的谐振频率以及其电磁耦合。因此，能够改变TEM模式的带通滤波器的带通宽度和中心频率。
另一方面，能够通过适当地设置提供在介质块2的开路端面2a上的线导体7的数量和尺寸或在开路端面2a上的安排位置等等调节TE模式介质谐振器15a、15b之间的电磁耦合。因此，能够改变TE模式带通滤波器的带通宽度和中心频率。
因此，在介质滤波器1中，由形成在开路端面2a上的线导体7产生的电磁影响被抑制，因为用于调节TEM模式介质谐振器16和16b的各自的谐振频率以及其电磁耦合的不导电部分4a设置在通孔3中。另外，除了线导体7之外，在介质块2的开路端面2a上，没有形成电极图案，并且对于形成线导体7位置的限制不严格，并且设定TE模式的介质谐振器15a、15b的谐振频率的自由度较大。结果，能够得到可独立地设计TEM模式带通滤波器和TE模式带通滤波器的小型化的介质滤波器1。[第二较佳实施例，图4和图5]如图4中所示，在介质滤波器21中，在介质块2中形成在开路端面(第一表面)2a和短路端面(第二表面)2b之间延伸的三个通孔3。在通孔3的内壁表面上内导体4形成，并且内导体4在开路端面2a上设有不导电部分4a。除了开路端面2a和右侧以及左侧表面2c、2d之外，在介质块2的外壁表面上形成外导体25。
把从介质块2的第一表面2a引至第二表面2b的线导体7设置在开路端面2a上，并和位于中心的通孔3重叠，在开路端面2a上，线导体7把设置在介质块2的上表面(第三表面)上的外导体部分25a电气连接到设置的下表面(第四表面)上的外导体部分25b。为TE模式和TEM模式共有的输入电极27、TE模式输出电极28和TEM模式输出电极29设置在介质块2的右侧和左侧表面(第五和第六表面)2c、2d上，与外导体25之间有一间隙，三个通孔3和它们的内导体4以及外导体25和介质块2构成三个1/4波长TEM模式介质谐振器16a、16b、16c。TEM模式介质谐振器16a-16c相互电磁耦台，以形成三级TEM模式带通滤波器。外导体5和介质块2构成两个由线导体7分开的TE模式介质谐振器15a、15b。
图5是介质滤波器21的等效电路图。介质滤波器21是双波段的一输入/二输出型介质滤波器，其中装有TEM模式带通滤波器和TE模式带通滤波器。
双波段的一输入/二输出型上述结构的介质滤波器21和第一较佳实施例中的介质滤波器1的功能相似，并且用作大反射系数的电磁壁，因为在介质块2的右侧和左侧表面2c、2d上没有形成外导体。由此，可以使TE模式介质谐振器15a、15b小型化，因而可减小介质块2的尺寸。另外，即使当线导体7重叠在，要形成在开路端面2a上的通孔3上，内导体4在接近于开路端面2a处设有不导电部分4a，因而不必担心TEM模式介质谐振器16b的开路端面被线导体7短路。因此，在开路端面2a上形成线导体7的应置不受限制，因而设定TE模式介质谐振器15a和15b的谐振频率的自由度较高。[第三较佳实施例，图6和图7]如图6中所示，介质滤波器31设有大致为长方体的介质块32。在开路端面32a到开路端面32b之间延伸的两个通孔3分别设置在介质块32的右侧和左侧表面上。内导体4分别设置在通孔3的内壁表面上，并且内导体4在开路端面32a附近和开路端面32b附近处设置有不导电部分4a和4b。
用于耦合的凹槽37a、37b相互面对地设置在介质块32的开路端面32a、32b的中心部分。用于耦合的凹槽37a、37b从介质块32上表面延伸到下表面。另外，作为耦合装置用于耦合的孔38设置在介质块32的中心部分，即，在用于耦合的凹槽37a和37b之间。内导体设置在用于耦合的孔38的内壁表面上。
外导体35设置在介质块32的大致整个的外部的壁表面上。外导体35设置在用于耦合的凹槽37a、37b的壁表面上，而把用于耦合的孔38的内导体在每一端被通至外导体35。形成TE模式和TEM模式共有的输入电极39、TE模式输出电极40、和TEM模式输出电极40，与外导体35有一间隙。
两个通孔3和它们的内导体4以及外导体35和介质块32构成两个1/2波长的TEM模式介质谐振器16a、16b，介质块32的开路端面32a和开路端面32b为开路。TEM模式介质谐振器16a、16b相互电磁耦合，以构成TEM模式的二级带通滤波器。
用于耦合的凹槽37a、37b设置在介质块32上，并且其上设置有内导体的通孔38用作耦合电纳。因此，外导体35和介质块32构成两个TE模式介质谐振器15a、15b，它们由用于耦合的凹槽37a、37b以及通孔38分开。TE模式的介质谐振器15a、15b通过由介质块32的耦合的凹槽37a和37b变窄的部分以及用于耦合的通孔38相互电磁耦合，以形成TE模式的二级带通滤波器。即，用于耦合的凹槽37a、37b和用于耦合的孔38不只电磁耦合TE模式的介质谐振器15a、15b，也用作谐振器15a、15b的大反射系数电磁边界部分。不是必需同时提供用于耦合的凹槽37a、37b和通孔38，对于设置有用于耦合的凹槽37a、37b或通孔38的器件，可以得到类似的效果。
图7是介质滤波器31的等效电路。介质滤波器31是一输入/二输出型双波段介质滤波器，其中装有TEM模式带通滤波器和TE模式带通滤波器。
在上述结构的介质滤波器31中，设置在各个通孔3上的内导体4设置有不导电部分4a、4b，并且通过适当地设置不导电部分4a、4b的尺寸和安排的位置，能够调节TEM模式介质谐振器16a、16b的各个谐振频率和它们的电磁耦合。因此，能够改变TEM模式带通滤波器的通带宽度、中心频率等等。
另一方面，通过适当地设定用于耦合的凹槽37a、37b，(它们分别设置在介质块32开路端面32a、32b上)的数量、尺寸或安排的位置，以及用于耦合的通孔38(它设置在介质块32的中心部分)，能够调节TE模式介质谐振器15a、15b的电磁耦合。于是能够改变TE模式带通滤波器的通带宽度和中心频率。
由于介质滤波器31在通孔3中设置有不导电部分4a、4b，以调节TEM模式的介质谐振器16a、16b的各个谐振频率和它们的电磁耦合，抑制了由开路端面32a、32b、用于耦合的凹槽37a、37b和用于耦合，并设置在介质块32的中心部分的通孔38所引起的电磁影响。结果，能够得到可独立设计TEM模式带通滤波器和TE模式带通滤波器的介质滤波器31。[第四较佳实施例，图8和图9]第四较佳实施例描述了用于诸如移动电话和便携式电话之类的移动通信设备中的介质双工器。如图8中所示，介质滤波器51设置有长方体的介质块52，该介质块52由介质材料制成。在开路端面52a和开路端面52b之间延伸的四个通孔53a、53b、53c、53d设置在介质块52中，排成一排。内导体52分别形成在通孔53a-53d的内壁表面上，并且的内导体54在开路端面52a一侧设置有不导电部分54a。另外，在介质块52的开路端面52a的中心部分和开路端面52b的中心部分之间延伸的外部耦合孔63设置在通孔53b、53c之间。内导体设置在外部耦合孔63的内壁表面上。
除了开路端面52a之外，在介质块52的外壁表面上设置外导体55。即，在外导体55中，外导体部分55a、55c设置在，介质块52的上表面上隔有间隙的右半部和左半部，而外导体部分55b、55d设置在介质块52的下表面上隔有规定间隙的右半部和左半部。在介质块52的开路端面52a上，外导体55和通孔53a-53d的内导体4电气上开路(断开)。而在短路侧端面52b上，外导体55和内导体4电气上短路(接通)。
从介质块52的上表面引至其下表面的线导体57设置在通孔53a、53b之间的开路端面52a上，并且从介质块52的上表面引至下表面的线导体58、59设置在开路端面52a上，并与通孔53c、53d重叠。在开路端面52a上，线导体57把设置在介质块52的上表面上的外导体部分55a电气连接到设置在下表面上的外导体55b。在开路端面52a上，线导体58、59分别将设置在介质块52的上表面上的外导体部分56a电气连接到设置在下表面上的外导体部分56b。
接收电极Rx和发射电极Tx(它们是TE模式和TEM模式共有的输入电极)设置在介质块52的右侧部分和左侧部分，与外导体55之间有一间隙。天线电极ANT(是TE模式和TEM模式共有的输入电极)以与外耦合孔63内的内导体电气上接通的方式设置在介质块52的开路端面52a的中心部分。即，外耦合孔63中的内导体与开路端面52a上的外导体55电气上断开，并和短路端面52b上的外导体55电气上接通。
两个通孔53a、53b以及它们的内导体54、(介质块52的开路端面52a和短路端面52b是开路表面和短路表面连同外导体55和介质块52的各个左半部分构成两个1/4波长TEM模式介质谐振器16a、16b。TEM模式介质谐振器16a、16b相互电磁耦合，以形成TEM模式的二级带通滤波器。
设置在介质块52的开路端面52a上的线导体57用作耦合电纳。由此，外导体55和介质块52的各个左半部分构成两个TE模式介质谐振器15a、15b，它们由线导体57分开。TE模式介质谐振器15a、15b通过线导体57相互电磁耦合，以形成TE模式的二级带通滤波器。即，线导体57不仅电磁耦合TE模式介质谐振器15a、15b，还用作谐振器15a、15b的大反射系数的电磁边界部分。
两个通孔53c、53d和它们的内导体54(介质块52的开路端面52a和短路端面52b是开路端面和开路端面)连同外导体55和介质块52的各自的右半部分构成两个1/4波长的TEM模式介质谐振器16a、16d。TEM模式介质谐振器16c、16d相互电磁耦合，以形成TEM模式的二级带通滤波器。
设置在介质块52的开路端面52a上的线导体58、59用作耦合电纳。由此，外导体55和介质块52的各自的右半部分构成三个TE模式介质谐振器15c、15d、15e，它们由线导体58、59分开。TE模式介质谐振器15c-15e通过线导体58、59相互电磁耦合，以形成TE模式的三级带通滤波器。
在上述结构的介质双工器51中，安排在介质块52的右半部分的谐振器15c-15e、16c、16d形成发射滤波器60A。安排在介质块52的左半部分的谐振器15a、15b、16a、16b形成发射滤波器60B。介质双工器51由天线电极ANT通过发射滤波器60A输出发射信号，该信号由发射电极Tx从发射电路系统(图中未示出)接收，介质双工器51通过接收滤波器60B还输出接收信号至接收电路系统(图中未示出)，该信号由天线电极ANT从接收电极Rx接收。图9是介质双工器51的等效电路。
在介质双工器51中，设置在通孔53a-53d中的内导体54设置有不导电部分54a，通过适当设置不导电部分54a的尺寸和安排位置，能够调节TEM模式介质谐振器16a-16d的各个谐振频率和其电磁耦合。由此，能够改变TEM模式带通滤波器的通带宽度和中心频率。另一方面，通过适当设定在开路端面52a上提供的线导体57-59的数量和尺寸和在开路端面52上的安排位置，能够调节规定TE模式的介质谐振器15a-15e的电磁耦合。由此，能够改变TE模式的带通滤波器的通带宽度和中心频率。
介质双工器51在通孔中设置有不导电部分54a，用于调节TEM模式的介质谐振器16a-16d的各个谐振频率和其电磁耦合，以及受在开路端面52a上进行的线导体57-59困难电磁影响，以调节TE模式介质谐振器之间的电磁耦合的。另外，在介质块523的开路端面52a上，线导体57-59的形成位置的界限不严格，因此设定TE模式介质谐振器15a-15e的谐振频率的自由度较高。结果，能够得到可独立设计TEM模式的带通滤波器和TE模式的带通滤波器的小型化的介质双工器。[其他较佳实施例]本发明的介质滤波器和介质双工器不限于上述实施例，而能在本发明的主题范围内作各种变化。
在上述实施例中，描述了其中建立了TEM模式带通滤波器和TE模式带通滤波器的介质滤波器和介质双工器。但是，由于TE模式带通滤波器的结构和TM模式带通滤波器的结构相同，故每一个实施例中的介质滤波器和介质双工器可以处理成这样的介质滤波器和介质双工器，其中通过输入TM模式信号而不是TE模式信号而建立TM模式带通滤波器和TEM模式带通滤波器。
另外，在第四实施例的介质双工器51中，可以提供用于耦合的通孔或用于耦合的凹槽以替代线导体57-59，并且通孔53a-53d中的内导体54可在接近于短路侧端面52b处具有不导电部分。
虽然已经参照本发明的较佳实施例特别示出和描述了本发明，但熟悉本领域的人应该知道，可以作出上述和其它的形式上和细节上的变化，而不背离本发明的主旨。
权利要求
1.一种介质滤波器，其特征在于包括大致上为矩形的介质块，所述介质块包括相互面对着的第一和第二表面，以及相互面对着，并在所述第一和第二表面之间延伸的第三和第四表面；多个在所述第一和第二表面之间延伸的通孔；设置在所述通孔除不导电部分之外的内表面上的内导体，所述不导电部分设置在所述通孔接近于所述介质块的所述第一表面处的所述内表面上；设置在所述介质块的所述第三和第四表面上的外导体；及设置在所述介质块的所述第一表面上的线导体，设置在所述介质块的所述第三表面上的所述外导体的一部分和设置在所述介质块的第四表面上的所述外导体的一部分通过所述线导体相互连接；因此，提供了包括TEM模式谐振器和TE模式谐振器的组合，或TEM模式谐振器和TM模式谐振器的组合的多个谐振器。
2.一种介质滤波器，其特征在于具有大致上为矩形的介质块，所述介质块包括相互面对着的第一和第二表面，以及相互面对着，并设置在所述第一和第二表面之间的第三和第四表面；多个在所述第一和第二表面之间延伸的通孔；设置在所述通孔除了不导电部分之外的内表面上的内导体，所述不导电部分设置在所述通孔接近于所述介质块的所述第一表面的所述内表面上；设置在所述介质块的所述第三和第四表面上的外导体；及耦合装置和耦合凹槽中的至少一种；所述耦合装置在所述介质块的所述第三和第四表面之间延伸，设置在所述介质块的所述第三表面上的所述外导体的一部分和设置在所述介质块的所述第四表面上的所述外导体的一部分通过所述耦合装置相互连接；所述耦合凹槽设置在所述介质块的所述第一和第二表面上，并在所述介质块的所述第三和第四表面之间延伸；由此，提供了包括TEM模式谐振器和TE模式谐振器的组合，或TEM模式和TM模式谐振器的组合的多个谐振器。
3.如权利要求2所述的介质滤波器，其特征在于所述不导电部分也设置在接近于所述介质块的所述第二表面处的所述通孔的内表面上。
4.如权利要求1到3所述的介质滤波器，其特征在于所述介质滤波器还包括相互面对着，并在所述第一和第二表面之间延伸的第五和第六表面；及输入/输出外部电极设置在所述介质块的所述第五和第六表面上。
5.一种介质双工器，其特征在于包括大致上为矩形的介质块，所述介质块包括相互面对着的第一和第二表面，以及相互面对着，并在所述第一和第二表面之间延伸的第三和第四表面；多个在所述第一和第二表面之间延伸的通孔；设置在所述通孔除了不导电部分之外的内表面上的内导体，所述不导电部分设置在所述通孔接近于所述介质块的所述第一表面的所述内表面上；设置在所述介质块的所述第三和第四表面上的外导体；和设置在所述介质块的所述第一表面上的线导体，设置在所述介质块的所述第三表面上的所述外导体的一部分和设置在所述介质块的所述第四表面上的所述外导体的一部分通过所述线导体相互连接；由此提供了包括TEM模式谐振器和TE模式谐振器的组合，或TEM模式谐振器和TM模式谐振器组合的多个谐振器。
6.一种介质双工器，其特征在于包括大致上为矩形的介质块，所述介质块包括相互面对着的第一和第二表面，和相互面对着，并在所述第一和第二表面之间延伸的第三和第四表面；在所述第一和第二表面之间延伸的多个通孔；设置在所述通孔除了不导电部分之外的内表面上的内导体，所述不导电部分设置在所述通孔接近于所述介质块的所述第一表面的所述内表面上；设置在所述介质块的所述第三和第四表面上的外导体；及耦合装置和耦合凹槽中的至少一种；所述耦合装置在所述介质块的所述第三和第四表面之间延伸，设置在所述介质块的所述第三表面上的所述外导体的一部分和设置在所述介质块的第四表面上的所述外导体的一部分通过所述耦合装置相互连接；所述耦合凹槽设置在所述介质块的所述第一和第二表面上，并且在所述介质块的第三和第四表面之间延伸；由此，提供了包括TEM模式谐振器和TE模式谐振器的组合或TEM模式谐振器和TM模式谐振器的组合的多个谐振器。
7.如权利要求6所述的介质双工器，其特征在于所述不导电部分也设置在接近于所述介质块的所述第二表面的处所述通孔的所述内表面上。
8.如权利要求5到7所述的介质双工器，其特征在于所述介质滤波器还包含相互面对着，并在所述第一和第二表面之间延伸的第五和第六表面；及将输入/输出外部电极设置在所述介质块的所述第五和第六表面上。
全文摘要
本发明提供了一种介质滤波器,包括:大致上为矩形的介质块,所述介质块包括相互面对着的第一和第二表面,和相互面对着,并在所述第一和第二表面之间延伸的第三和第四表面;在所述第一和第二表面之间延伸的多个通孔;除了不导电部分之外,设置在所述通孔的内表面上的内导体,所述不导电部分设置在接近于所述介质块的所述第一表面处所述通孔的所述内表面上;设置在所述介质块的所述第三和第四表面上的外导体;和设置在所述介质块的所述第一表面上的线导体,设置在所述介质块的所述第三表面上的外导体的一部分和设置在所述介质块的所述第四表面上的所述外导体的一部分通过所述线导体相互连接;由此提供了包括TEM模式谐振器和TE模式谐振器的组合,或TEM模式谐振器和TM模式谐振器组合的多个谐振器。
文档编号H01P1/213GK1229286SQ9812606
公开日1999年9月22日 申请日期1998年12月25日 优先权日1997年12月25日
发明者远田淳, 加藤英幸, 松本治雄 申请人:株式会社村田制作所