用于有机电子器件的基板的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种用于有机电子器件的基板。
【背景技术】
[0002] 有机电子器件（OED;OrganicElectronicDevice)可为一种在电极层和有机材料 之间通过电荷交换呈现功能的器件。有机电子器件可为有机发光器件（0LED)、有机太阳能 电池、有机光导体（0PC)、或有机晶体管等。
[0003] 有机发光器件，其是一种代表性的有机电子器件，通常依次包括基板、第一电极 层、包括发光层的有机层和第二电极层。
[0004] 在已知的底部发光型器件（bottomemittingdevice)的结构中，所述第一电极层 可形成为透明电极层，且所述第二电极层可形成为反射电极层。此外，在已知的顶部发光型 器件（topemittingdevice)的结构中，所述第一电极层可形成为反射电极层，且所述第二 电极层可形成为透明电极层。
[0005] 通过两个电极层分别注入电子（electron)和空穴（hole)，且所注入的电子和空 穴在发光层中再结合（recombination)以产生光。该光在底部发光型器件中可发射至基板 侦牝在顶部发光型器件中可发射至第二电极层侧。
[0006] 在所述有机发光器件的结构中，通常使用铟锡氧化物（IT0)作为透明电极层、有 机层、以及通常由玻璃形成的基板，其折射率分别为约2. 0、1. 8和1. 5。在上述折射率的关 系中，例如，在底部发光型器件的有机发光层中所产生的光由于全内反射（totalinternal reflection)而被捕集在有机层与第一电极层之间的界面处或者被捕集在基板内，仅发射 出非常少量的光。
【发明内容】
[0007] 技术问题
[0008] 本发明提供一种用于有机电子器件的基板和一种有机电子器件。
[0009] 技术方案
[0010] 本发明的一个方面提供一种用于有机电子器件的基板，其包括基底层和平整层。 例如，该平整层可在基底层上形成。图1示出了示例性基板100,该基板100包括基底层101 和形成于基底层顶部的平整层102。本文所用的术语"平整层"可指能够提供可形成有机电 子器件的平坦表面层。例如，该有机电子器件可形成于与基底层接触的面成相反侧的平整 层的表面上，且形成有机电子器件的表面的最大高度粗糙度（maximumheightroughness) 可为1或〇. 5ym以下。最大高度粗糙度可以是指通过粗糙度曲线最高点的直线与通过粗 糙度曲线最低点的直线之间的距离，且这些直线在截距（cutoff)内平行于该粗糙度曲线 的中心线，例如最大高度粗糙度可以为一个在平整表面上对于面积为100ym2的任意区域 所测得的数值。例如，所述平整层可与所述基底层接触形成。
[0011] 所述平整层可为高折射层。本文所用的术语"高折射层"可指折射率约为1. 8至 2. 5、1. 8至2. 2或1. 8至2. 0的层。除非另有定义，否则本文所用的术语"折射率"可指对 于波长约为550或633nm的折射率。此外，该平整层可具有光散射特性。也就是说，平整层 可以散射、漫射或折射入射光。
[0012] 作为基底层，可使用合适的材料而无特别限制。例如，当制造底部发光（bottom emission)型有机发光器件时，对于透明基底层，可使用相对于可见光区域具有50%以上 透光率的基底层。对于透明基底层，可使用玻璃基底层或透明聚合物基底层。对于玻璃基 底层，可使用包含钠钙玻璃、含钡/锶的玻璃、铅玻璃、铝硅酸盐玻璃、硼硅酸盐玻璃、硼硅 酸钡玻璃或石英等基底层；对于聚合物基底层，可使用包括聚酰亚胺（polyimide(PI))、聚 萘二甲酸乙二醇醋（polyethylenenaphthalate(PEN))、聚碳酸醋（polycarbonate(PC))、 丙稀酸树脂、聚对苯二甲酸乙二醋（poly(ethyleneterephthalate) (PET))、聚硫醚 (poly(ethersulfide) (PES))或聚砜（polysulfone(PS))等的基底层，但本发明不限于 此。根据需要，所述基底层可为具有驱动用薄膜电晶体（TFT)的薄膜电晶体基板。
[0013] 例如，当提供使用基板的顶部发光（topemission)型器件时，该基底层并不是必 须为透光基底层，根据需要，可使用在基底层表面形成有使用铝等而形成反射层的反射基 底层。
[0014] 例如，所述平整层可包括粘合剂、高折射颗粒（以下可称为"第一颗粒"）和散射颗 粒（以下可称为"第二颗粒"）。例如，可使用组合物来形成该平整层，所述组合物是通过将 第一颗粒和第二颗粒与粘合剂混合而制备的。这种平整层可提供可形成包括电极层的有机 电子器件的表面，并且由于具有光散射特性而改善该器件的光提取效率。在一个实例中，该 平整层的折射率可大于或等于邻近电极层，例如为1. 8以上。该平整层的折射率可为，例如 3. 5以下、3. 0以下、2. 5以下或2. 0以下。
[0015] 在本发明中，对于粘合剂，可使用已知的材料而无特别限制。对于粘合剂，例如， 可使用本领域已知的各种有机粘合剂、无机粘合剂、或有机/无机粘合剂。考虑到该器件 的寿命或在制造过程中所进行的高温工艺、光刻工艺或蚀刻工艺中的优异的耐受性等，可 使用具有良好的耐热性和耐化学性的无机或有机/无机粘合剂，但根据需要，也可使用有 机粘合剂。所使用的粘合剂的折射率可为，例如约1. 4以上、约1. 45以上、约1. 5以上、约 1.6以上、约1.65以上或约1.7以上。所述粘合剂的折射率的上限可选自满足所述平整 层的折射率的范围。对于粘合剂，可使用，例如有机材料，聚酰亚胺、含有芴环的卡多树脂 (caldoresin)、氨基甲酸酯、环氧树脂、聚酯或聚丙烯酸酯基可热固化或可光固化的单体、 低聚物或聚合物；无机材料，例如氧化娃、氮化娃（siliconnitride)、氮氧化娃（silicon oxynitride)或聚娃氧烧；或有机/无机复合材料等。
[0016] 对于粘合剂，可使用例如聚硅氧烷、聚酰胺酸或聚酰亚胺。此处的聚硅氧烷可通过 例如可缩合的硅烷化合物或硅氧烷低聚物的缩聚形成，且基于硅与氧之间的（Si-0)键，该 粘合剂可形成基体。在粘合剂形成的过程中，通过调节缩合条件等可形成聚硅氧烷仅基于 硅与氧之间的键（Si-0)的粘合剂基体，或可形成保留一些有机官能团（如烷基）或可缩合 官能团（如烷氧基）的基体。
[0017] 对于聚酰胺酸或聚酰亚胺粘合剂，可使用对于550或633nm波长的光的折射率为 约1.5以上、1.6以上、1.65以上或1.7以上的粘合剂。例如，可使用引入了氟以外的卤素 原子、硫原子或磷原子的单体制备聚酰胺酸或聚酰亚胺。
[0018] 对于粘合剂，例如，可使用具有能够键合颗粒的部位（如羧基）以增强颗粒分散稳 定性的聚酰胺酸。
[0019] 对于聚酰胺酸，例如，可使用包含如下述化学式1所示的重复单元的化合物。
[0020] [化学式1]
[0021]
【主权项】
1. 一种用于有机电子器件的基板，包括： 基底层；和 平整层，其设置于所述基底层上，并包括粘合剂、第一颗粒和第二颗粒，其中，所述第一 颗粒的折射率为1. 8以上且平均粒径为50nm以下，所述第二颗粒的折射率小于所述粘合剂 和第一颗粒的折射率且平均粒径为IOOnm以上，所述第一颗粒的重量（A)与所述第二颗粒 的重量⑶的比例（A/B)为0. 8至8。
2. 根据权利要求1所述的基板，其中平整层中与基底层接触的面成相反侧的表面的最 大高度粗糙度在Iym以下。
3. 根据权利要求1所述的基板，其中平整层与基底层接触。
4. 根据权利要求1所述的基板，其中第一颗粒的折射率在2. 2以上。
5. 根据权利要求1所述的基板，其中第一颗粒的重量（A)和第二颗粒的重量（B)的总 和与粘合剂的重量（C)的比例（(A+BV(C))为1至5。
6. 根据权利要求1所述的基板，其中粘合剂为聚硅氧烷、聚酰胺酸或聚酰亚胺。
7. 根据权利要求1所述的基板，其中粘合剂的折射率为1. 4以上且小于1. 7。
8. 根据权利要求7所述的基板，其中第一颗粒的重量（A)和第二颗粒的重量（B)的总 和与粘合剂的重量（C)的比例（(A+BV(C))为2至5。
9. 根据权利要求1所述的基板，其中粘合剂的折射率为1. 7以上。
10. 根据权利要求9所述的基板，其中第一颗粒的重量（A)和第二颗粒的重量（B)的总 和与粘合剂的重量（C)的比例（(A+BV(C))为1以上且小于2。
11. 根据权利要求1所述的基板，其中第二颗粒为中空颗粒或具有核/壳结构的颗粒。
12. 根据权利要求1所述的基板，还包括设置于平整层的顶部的电极层。
13. 根据权利要求12所述的基板，平整层的投影面积小于电极层的投影面积，电极层 形成在所述平整层的顶部和未形成有所述平整层的基底层的顶部。
14. 一种有机电子器件，包括： 权利要求1所述的基板；和 依次形成在所述基板上的第一电极层、包括发光层的有机层、及第二电极层。
15. 根据权利要求14所述的有机电子器件，其中有机层包括发光层。
16. 根据权利要求14所述的有机电子器件，其中基板的平整层的投影面积小于第一电 极层的投影面积，第一电极层形成在平整层的顶部和未形成有平整层的基底层的顶部。
17. -种照明装置，其包括权利要求14的有机电子器件。
【专利摘要】本申请涉及用于有机电子器件的基板、有机电子器件以及照明装置。本申请可提供能够形成有机电子器件的基板，所述基板由于具有优异的包括光提取效率的性能，且可以切断来自外部环境的水分和气体的渗入，并抑制暗点(dark spot)等的生长，因此能够确保优异性能和可靠性。
【IPC分类】H05B33-22, H01L51-52
【公开号】CN104521020
【申请号】CN201380041149
【发明人】朴珉春, 孙世焕, 李渊, 安庸植, 金正斗, 金智嬉, 朴祥准, 金勇男
【申请人】株式会社Lg化学
【公开日】2015年4月15日
【申请日】2013年7月31日
【公告号】EP2882007A1, US20150137109