、栅极、栅绝缘层以及其他结构，由于与本发明的改进之处无关，在此不再赘述。
[0073] 本发明实施例还提供一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。需要说明的是，本 实施例中的显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航 仪等任何具有显示功能的产品或部件。为了实现显示或其他功能，显示装置还可以包括彩 膜基板等其他结构和器件，在此不再赘述。
[0074] 本发明实施例还提供一种制造阵列基板的方法，参见图6,包括：
[0075] 步骤601 :形成有源层，在所述有源层上形成源漏极；
[0076] 步骤602:在有源层的沟道区域形成第一钝化层，所述第一钝化层包括与所述有 源层沟道区域相接触的二氧化硅子层；
[0077] 步骤603 :在所述源漏极上形成第二钝化层，所述第二钝化层包括氮氧化硅和/或 氮化娃。
[0078] 其中，形成第一钝化层可以包括：在采用湿法刻蚀形成源漏极之后，保留源漏极上 的光刻胶，沉积第一钝化材料层，剥离所述光刻胶，从而在有源层的沟道区域形成第一钝化 层。
[0079]可选地，所沉积的第一钝化层可以为500至2000A，沉积温度为150_200°C;所沉 积的第二钝化层可以为1000-2000A;所述第二钝化层可以形成在所述第一钝化层上。
[0080] 可选地，形成第一钝化层还可以包括在二氧化硅子层形成氮氧化硅子层。
[0081] 可选地，方法还可以包括：在所述第二钝化层上沉积透明导电层。
[0082] 可选地，方法还可以包括：在所述第二钝化层上沉积树脂层进行光刻刻蚀，随后依 次沉积第一透明导电层、第三钝化层和第二透明导电层。
[0083] 可选地，光刻胶可以采用耐高温的光刻胶，以提高二氧化硅子层的沉积温度，如为 树脂。另外，光刻胶也可以为负光刻胶，以使得第一钝化层上多余的光刻胶和二氧化硅更易 剥离。
[0084] 可见，在本发明实施例提供的阵列基板及其制造方法和显示装置中，利用钝化层 中不同的材料分层，使得与例如为IGZO材料的有源层层直接接触的膜层为二氧化硅，不会 影响有源层中的氧含量，而与源漏极直接接触的膜层是氮氧化硅或氮化硅，可以防止源漏 极中的例如为铜的金属氧化和扩散，这样就达到了达到不影响有源层中的氧含量的同时、 防止源漏极金属氧化和扩散的目的。
[0085] 下面再以具体制造两种显示模式的阵列基板为例来进一步说明本发明。
[0086] 实施例1 :
[0087] 本发明实施例1提供一种TN(twisted nematic，扭曲向列）模式的阵列基板的制 造方法，参见图7,方法具体包括：
[0088] 步骤701 :在基底上形成栅极图形。
[0089] 参见图8,本步骤中，可以在阵列基板的基底1上首先沉积栅极材料，例如通过刻 蚀形成栅极2。
[0090] 步骤702 :在栅极上形成栅绝缘层，并随后形成有源层。
[0091] 参见图9,可以在栅极2上首先形成栅绝缘层3,然后在栅绝缘层3上沉积如 IGZO (铟镓锌氧化物）材料，通过刻蚀形成有源层4。
[0092] 步骤703 :在采用湿法刻蚀形成源漏极之后，保留源漏极上的光刻胶，沉积第一钝 化材料层。
[0093] 本步骤中，在湿法刻蚀形成源漏极5后，不进行光刻胶剥离工艺，而是保留源漏极 5上的光刻胶14 (见图10)，而后在上面直接沉积一层二氧化硅15 (见图11)。沉积厚度可 以为500至2000A，沉积温度为150_200°C。
[0094] 步骤704 :剥离光刻胶，从而在有源层的沟道区域形成第一钝化层。
[0095] 由于二氧化硅与光刻胶的粘附性较差，因此在沉积之后，可以通过清洗首先除去 光刻胶上的大部分二氧化硅，然后进行剥离，去除所有的光刻胶，从而光刻胶上存在的二氧 化硅也一并去除，在有源层4的沟道区域保留一层第一钝化层11以防止有源层的IGZO材 料的氧含量发生变化，参见图12,当然，没有光刻胶的其他区域、例如像素电极对应区域的 二氧化硅也会保留下来，在后续工艺中可以继续保留也可以去除。第一钝化层11除包含二 氧化硅子层外，还可以包括一层氮氧化硅子层。
[0096] 本发明实施例中的光刻胶可以为更耐高温的光刻胶，如树脂等，以提高二氧化硅 的沉积温度。另外，光刻胶也可以用负胶，以使得第一钝化层上多余的光刻胶和二氧化硅更 易剥离。
[0097] 步骤705:在源漏极上形成第二钝化层，第二钝化层包括氮氧化硅和/或氮化硅。
[0098] 本步骤中，参见图13,在源漏极5和有源层4上的第一钝化层11上形成第二钝化 层12,第二钝化层可以为1000-2000A的氮氧化硅或氮化硅或氮氧化硅/氮化硅双层膜， 以防止源漏极5的铜的氧化和扩散。
[0099] 步骤706 :在第二钝化层上形成透明导电层。
[0100] 本步骤中，如图14,可以在第二钝化层12上形成一层ITO(氧化铟锡）材料层并通 过刻蚀形成透明导电层13,以制备TN模式的阵列基板。
[0101] 实施例2:
[0102] 本实施例中，提供一种SADS(ADvanced Super Dimension Switch，高级超维场转 换）模式阵列基板的制造方法，参见图15,其中，本实施例2的方法的步骤1501-步骤1504 与实施例1中的步骤701-步骤704对应相同，均在有源层的沟道区域形成了第一钝化层 11，参见图12,因此不再赘述。下面详细介绍步骤1505-步骤1508。
[0103] 步骤1505 :在源漏极上形成第二钝化层，第二钝化层包括氮氧化硅和/或氮化硅， 之后用树脂进行曝光和刻蚀，并保留树脂层。
[0104] 本步骤中，在形成第二钝化层12后，利用树脂对其进行曝光和刻蚀，并不剥离树 脂层7,见图16。
[0105] 步骤1506:在树脂层上形成第一透明导电层。
[0106] 本步骤中，在树脂层7上形成第一透明导电层8,见图17。
[0107] 步骤1507:在第一透明导电层上形成第三钝化层。
[0108] 本步骤中，可以在第一透明导电层8上沉积第三钝化材料层并通过刻蚀形成第三 钝化材料层图形10,参见图18。
[0109] 步骤1508:在第三钝化层上形成第二透明导电层。
[0110] 本步骤中，可以在第三钝化层1〇上沉积第二透明导电材料层并通过刻蚀形成第 二透明导电层9,参见图19。
[0111] 显然，上述两种模式的阵列基板的制作方法仅为示例，本发明的精神和实质也可 以应用到其他模式的阵列基板的制作方法和层次结构中。
[0112] 最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽 管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然 可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替 换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精 神和范围。
【主权项】
1. 一种阵列基板，其特征在于，包括： 有源层，及其上形成的源漏极； 形成在所述有源层的沟道区域的第一钝化层，所述第一钝化层包括与所述有源层沟道 区域相接触的二氧化硅子层； 形成在所述源漏极上的第二钝化层，所述第二钝化层包括氮氧化硅和/或氮化硅。
2. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于： 所述第一钝化层为500至2000A; 和/或，所述第二钝化层为1000-2000人； 和/或，所述第二钝化层形成在所述第一钝化层上。
3. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于： 所述第一钝化层还包括位于所述氧化硅子层之上的氮氧化硅子层。
4. 根据权利要求1-3中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括： 形成在所述第二钝化层上的透明导电层。
5. 根据权利要求1-3中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括： 形成在所述第二钝化层上的树脂层和第一透明导电层； 形成在所述第一透明导电层上的第三钝化层； 形成在所述第三钝化层上的第二透明导电层。
6. -种制造阵列基板的方法，其特征在于，包括： 形成有源层，在所述有源层上形成源漏极； 在有源层的沟道区域形成第一钝化层，所述第一钝化层包括与所述有源层沟道区域相 接触的二氧化硅子层； 在所述源漏极上形成第二钝化层，所述第二钝化层包括氮氧化硅和/或氮化硅。
7. 根据权利要求6所述的制造阵列基板的方法，其特征在于，所述形成第一钝化层包 括： 在采用湿法刻蚀形成源漏极之后，保留源漏极上的光刻胶，沉积第一钝化材料层，剥离 所述光刻胶，从而在有源层的沟道区域形成第一钝化层。
8. 根据权利要求6所述的制造阵列基板的方法，其特征在于： 所沉积的第一钝化层为500至2000A,沉积温度为150-200°C ; 和/或，所沉积的第二钝化层为1000-2000Λ; 和/或，所述第二钝化层形成在所述第一钝化层上。
9. 根据权利要求6所述的制造阵列基板的方法，其特征在于： 所述形成第一钝化层包括形成氧化硅子层，并在所述氧化硅子层之上形成氮氧化硅子 层。
10. 根据权利要求6-9中任一项所述的制造阵列基板的方法，其特征在于，所述方法还 包括： 在所述第二钝化层上沉积透明导电层。
11. 根据权利要求6-9中任一项所述的制造阵列基板的方法，其特征在于，所述方法还 包括： 在所述第二钝化层上沉积树脂层进行光刻刻蚀，随后依次沉积第一透明导电层、第三 钝化层和第二透明导电层。
12. 根据权利要求6-9中任一项所述的制造阵列基板的方法，其特征在于： 所述光刻胶为树脂； 和/或，所述光刻胶为负光刻胶。
13. -种显示装置，包括如权利要求1-5其中任一项所述的阵列基板。
【专利摘要】本发明提供一种阵列基板及其制造方法和显示装置，所述阵列基板包括：有源层，及其上形成的源漏极；形成在所述有源层的沟道区域的第一钝化层，所述第一钝化层包括与所述有源层沟道区域相接触的二氧化硅子层；形成在所述源漏极上的第二钝化层，所述第二钝化层包括氮氧化硅和/或氮化硅。本发明能够利用钝化层中不同的材料分层，取得既不影响有源层中的氧含量，又防止源漏极金属(如铜)的氧化和扩散的技术效果。
【IPC分类】H01L27-12, H01L23-29, H01L21-77
【公开号】CN104538405
【申请号】CN201510002322
【发明人】周婷婷, 张斌, 徐晓娜, 杨添
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年4月22日
【申请日】2015年1月4日