发光二极管封装元件及其制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种半导体发光元件及其制造方法，尤其涉及一种发光二极管封装元 件及其制造方法。
【背景技术】
[0002] 发光二极管（Li曲t血ittingDiode,LED)是一种可将电流转换成特定波长范围 的光电半导体元件。发光二极管W其亮度高、工作电压低、功耗小、易与集成电路匹配、驱动 简单、寿命长等优点，从而可作为光源而广泛应用于照明领域。
[0003] 现有的发光二极管一般在封装成型后通过切割制程形成单个的封装元件。成型的 封装结构包括相互间隔的两金属电极，设置于电极上的发光二极管芯片及覆盖所述发光二 极管元件的树脂封装层。为减小后续切割制程中的阻力，所述电极被预先蚀刻形成一导电 片及与该导电片连接的若干连接条，所述连接条之间的宽度小于该导电片的宽度。切割时 只需切除部分连接条从而形成单个封装元件。
[0004] 然而，由于金属材质的连接条和树脂材料的封装层之间的材料差异较大，在切割 制程中切割产生的拉力容易引起封装层与连接条之间剥裂分离而产生缝隙，导致形成的单 个发光二极管封装元件稳固性较差，进而影响发光二极管封装元件的使用寿命。故，需进一 步改进。
【发明内容】
[0005] 有鉴于此，有必要提供一种稳固性较强的发光二极管封装元件及该发光二极管封 装元件的制造方法。
[0006] 一种发光二极管封装元件，其包括相互间隔的两电极、夹设于该两电极之间的绝 缘层、设置在所述两电极上并电性连接所述两电极的发光二极管芯片、及覆盖所述发光二 极管芯片的封装层，每一电极包括一导电片及与该导电片连接的至少一连接条，所述连接 条的宽度小于所述导电片的宽度，所述连接条的厚度小于所述导电片的厚度，所述连接条 的上表面与所述导电片的上表面齐平，该发光二极管封装元件还包括一包覆层包覆所述连 接条，所述连接条的上表面与封装层之间夹设部分所述包覆层。
[0007] -种发光二极管封装元件的制造方法，包括步骤；预成型相互间隔的两电极，每 一电极包括一导电片及与该导电片连接的至少一连接条，每一连接条的厚度与所述导电片 的厚度相等，每一连接条的宽度小于所述导电片的宽度，所述两电极的两导电片相互间隔 形成一间隙；利用模具成型一绝缘层加热与所述两电极之间的空隙中；利用模具成型一包 覆层包覆所述连接条，所述包覆层位于连接条上表面的部分延伸至对应的导电片；在所述 两电极上设置一发光二极管芯片，所述发光二极管芯片与所述两电极形成电性连接；设置 一封装层覆盖所述发光二极管芯片，所述连接条的上表面与封装层之间夹设部分所述包覆 层；W及沿所述连接条的位置纵向切割部分封装层、包覆层及连接条形成单个的发光二极 管封装元件。
[000引与现有技术相比，本发明提供的发光二极管封装元件的连接条与封装层之间夹设 有包覆层，所述包覆层促使包覆层和封装层之间的密合度、及包覆层与连接条之间的密合 度均得到增强，因此在切割形成单个的发光二极管元件时，切割产生的拉力不足W剥裂分 离封装层和包覆层、包覆层和连接条，从而增强发光二极管封装元件元件的稳固性，进而延 长发光二极管封装元件的使用寿命。
【附图说明】
[0009] 图1为本发明一实施方式提供的预成型的两电极的俯视图。
[0010] 图2为由图1所示两电极制成的发光二极管封装元件的剖面示意图。
[0011] 图3为图2所述发光二极管封装元件的俯视图。
[0012] 图4至图9为图2所述发光二极管封装元件的制造步骤示意图。
[0013] 主要元件符号说明
【主权项】
1. 一种发光二极管封装元件，其包括相互间隔的两电极、夹设于该两电极之间的绝缘 层、设置在所述两电极上并电性连接所述两电极的发光二极管芯片，及覆盖所述发光二极 管芯片的封装层，每一电极包括一导电片及与该导电片连接的至少一连接条，所述连接条 的宽度小于所述导电片的宽度，其特征在于：所述连接条的厚度小于所述导电片的厚度，所 述连接条的上表面与所述导电片的上表面齐平，该发光二极管封装元件还包括一包覆层包 覆所述连接条，所述连接条的上表面与封装层之间夹设部分所述包覆层。
2. 如权利要求1所述的发光二极管封装元件，其特征在于：所述包覆层与所述封装层 材质不同。
3. 如权利要求2所述的发光二极管封装元件，其特征在于：所述封装层由透明胶体制 成，所述包覆层由热性环氧树脂或者塑胶材料制成，所述绝缘层与所述包覆层一体成型，且 材质相同。
4. 如权利要求2所述的发光二极管封装元件，其特征在于：所述连接条自所述导电片 的外侧面一体延伸形成，所述包覆层的上表面高于所述导电片的上表面。
5. 如权利要求4所述的发光二极管封装元件，其特征在于：所述连接条的下表面高于 所述导电片的底面，所述包覆层的下表面与所述导电片的下表面齐平。
6. 如权利要求4所述的发光二极管封装元件，其特征在于：所述连接条的厚度为所述 导电片厚度的一半，所述包覆层填充慢所述连接条与导电片之间的区域，所述封装层的坚 直端面与所述包覆层的坚直端面齐平。
7. -种发光二极管封装元件的制造方法，包括步骤： 预成型相互间隔的两电极，每一电极包括一导电片及与该导电片连接的至少一连接 条，每一连接条的厚度与所述导电片的厚度相等，每一连接条的宽度小于所述导电片的宽 度，所述两电极的两导电片相互间隔形成一间隙； 利用模具成型一绝缘层加热与所述两电极之间的空隙中； 利用模具成型一包覆层包覆所述连接条，所述包覆层位于连接条上表面的部分延伸至 对应的导电片； 在所述两电极上设置一发光二极管芯片，所述发光二极管芯片与所述两电极形成电性 连接； 设置一封装层覆盖所述发光二极管芯片，所述连接条的上表面与封装层之间夹设部分 所述包覆层；以及 沿所述连接条的位置纵向切割部分封装层、包覆层及连接条形成单个的发光二极管封 装元件。
8. 如权利要求7所述的发光二极管封装元件的制造方法，其特征在于：所述包覆层与 所述封装层材质不同，所述封装层由透明胶体制成，所述包覆层由热性环氧树脂或者塑胶 材料制成，所述绝缘层与所述包覆层一体成型，且材质相同。
9. 如权利要求8所述的发光二极管封装元件的制造方法，其特征在于：所述包覆层的 上表面高于所述导电片的上表面，还包括蚀刻所述连接条下表面的步骤，使得所述连接条 的下表面高于所述导电片的底面，所述包覆层的下表面与所述导电片的下表面齐平，所述 连接条的厚度为所述导电片厚度的一半，所述包覆层填充慢所述连接条与导电片之间的区 域，所述封装层的坚直端面与所述包覆层的坚直端面齐平。
10.如权利要求8所述的发光二极管封装元件的制造方法，其特征在于：所述绝缘层的 上表面与所述导电片的上表面齐平，所述绝缘层的的下表面与所述导电片的下表面齐平， 所述发光二极管芯片设置在其中一电极的导电片上并位于靠近另一电极导电片的一端。
【专利摘要】一种发光二极管封装元件，其包括相互间隔的两电极、夹设于该两电极之间的绝缘层、设置在两电极上的发光二极管芯片、及覆盖该发光二极管芯片的封装层，每一电极包括一导电片及与该导电片连接的至少一连接条，该连接条的厚度小于所述导电片的厚度，该连接条的上表面与该导电片的上表面齐平，还包括一包覆层包覆该连接条，该连接条的上表面与封装层之间夹设部分包覆层。与现有技术相比，本发明的发光二极管封装元件的连接条与封装层之间夹设有包覆层，该包覆层促使包覆层和封装层之间的密合度、及包覆层与连接条之间的密合度均得到增强，增强发光二极管封装元件的稳固性。本发明还提供一种该发光二极管封装元件的制造方法。
【IPC分类】H01L33-48, H01L33-00
【公开号】CN104701436
【申请号】CN201310660321
【发明人】张耀祖, 陈滨全, 陈隆欣, 曾文良, 黄郁良
【申请人】展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司
【公开日】2015年6月10日
【申请日】2013年12月10日
【公告号】US20150162498