一种gpp芯片裂片方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种GPP芯片裂片方法，属于芯片制造技术领域。
【背景技术】
[0002]目前GPP芯片常用的裂片方式主要为:砂轮切割和激光切割。砂轮切割只能加工直线，不能满足圆形GPP芯片乃至有弧线边缘GPP芯片的裂片需求，激光切割虽然能对弧线边缘GPP芯片进行裂片，但该裂片方式易导致GPP芯片边缘硅片或钝化玻璃层崩落且局部高温会导致芯片边缘的表面金属化层出现不同程度氧化现象，不但影响产品外观，同时对产品的电参数也有一定的影响。
【发明内容】
[0003]为解决上述技术问题，本发明提供了一种GPP芯片裂片方法，该GPP芯片裂片方法通过采用“凹”形吹砂掩膜片，并用吹砂的方式进行裂片，能很好的保护玻璃钝化层免受高速金刚砂的冲击，且此过程是在常温下进行，无局部高温，使得加工出的GPP芯片硅片或钝化玻璃层无崩落现象，同时也不会导致的芯片边缘表面金属化层氧化。
[0004]本发明通过以下技术方案得以实现。
[0005]本发明提供的一种GPP芯片裂片方法，包括如下步骤:
[0006]①加工掩膜片:针对需要加工的GPP芯片硅片或钝化玻璃层的形状，选取或加工出掩膜片，硅片或钝化玻璃层至少有部分边缘为弧线边缘，掩膜片的形状和硅片或钝化玻璃层的形状一致且掩膜片的垂直投影完全覆盖硅片或钝化玻璃层的垂直投影，掩膜片内有盲孔，盲孔的形状、大小和硅片或钝化玻璃层的形状、大小相同；
[0007]②盖装掩膜片:将掩膜片覆盖在目标硅片或钝化玻璃层上并压紧，使硅片或钝化玻璃层置于掩膜片内的盲孔中；
[0008]③吹砂裂片:对掩膜片周边的GPP芯片进行吹砂，使GPP芯片于掩膜片边缘处裂片;
[0009]④取下掩膜片:取下掩膜片，完成裂片。
[0010]所述步骤③中的吹砂，具体为高压喷吹金刚砂。
[0011]所述硅片或钝化玻璃层具体为圆形，GPP芯片为圆形GPP芯片。
[0012]本发明的有益效果在于:通过采用“凹”形吹砂掩膜片，并用吹砂的方式进行裂片，能很好的保护玻璃钝化层免受高速金刚砂的冲击，且此过程是在常温下进行，无局部高温，使得加工出的GPP芯片硅片或钝化玻璃层无崩落现象，同时也不会导致的芯片边缘表面金属化层氧化。
【附图说明】
[0013]图1是本发明第一种实施方式中的结构示意图；
[0014]图2是本发明第二种实施方式中的结构示意图；
[0015]图中:1_GPP芯片，2-硅片或钝化玻璃层，3-掩膜片。
【具体实施方式】
[0016]下面进一步描述本发明的技术方案，但要求保护的范围并不局限于所述。
[0017]如图1、图2所示，本发明提供的一种GPP芯片裂片方法，包括如下步骤:
[0018]①加工掩膜片:针对需要加工的GPP芯片硅片或钝化玻璃层2的形状，选取或加工出掩膜片3，硅片或钝化玻璃层2至少有部分边缘为弧线边缘，掩膜片3的形状和硅片或钝化玻璃层2的形状一致且掩膜片3的垂直投影完全覆盖硅片或钝化玻璃层2的垂直投影，掩膜片3内有盲孔，盲孔的形状、大小和硅片或钝化玻璃层2的形状、大小相同；
[0019]②盖装掩膜片:将掩膜片3覆盖在目标硅片或钝化玻璃层2上并压紧，使硅片或钝化玻璃层2置于掩膜片3内的盲孔中；
[0020]③吹砂裂片:对掩膜片3周边的GPP芯片1进行吹砂，使GPP芯片1于掩膜片3边缘处裂片；
[0021]④取下掩膜片:取下掩膜片3，完成裂片。
[0022]所述步骤③中的吹砂，具体为高压喷吹金刚砂。
[0023]实施例1
[0024]采用上述方式，掩膜片3、硅片或钝化玻璃层2为圆形。
[0025]该实施例主要针对常见的圆形GPP芯片进行裂片加工，加工出的GPP芯片硅片或钝化玻璃层无崩落现象，同时也不会导致的芯片边缘表面金属化层氧化。
[0026]实施例2
[0027]采用上述方式，掩膜片3、硅片或钝化玻璃层2为双圆形。
[0028]有该实施例可见，本发明也可用于对任意形状的GPP芯片进行裂片加工，但考虑到砂轮直线切割成本低、效率高，因此本发明主要适用于带有弧线边缘、不便于用砂轮切割进行裂片的GPP芯片。
[0029]因此，作为本发明目前最为常用的方案，所述硅片或钝化玻璃层2具体为圆形，GPP芯片为圆形GPP芯片。
【主权项】
1.一种GPP芯片裂片方法，其特征在于:包括如下步骤: ①加工掩膜片:针对需要加工的GPP芯片硅片或钝化玻璃层(2)的形状，选取或加工出掩膜片(3)，硅片或钝化玻璃层(2)至少有部分边缘为弧线边缘，掩膜片(3)的形状和硅片或钝化玻璃层(2)的形状一致且掩膜片(3)的垂直投影完全覆盖硅片或钝化玻璃层(2)的垂直投影，掩膜片(3)内有盲孔，盲孔的形状、大小和硅片或钝化玻璃层(2)的形状、大小相同； ②盖装掩膜片:将掩膜片(3)覆盖在目标硅片或钝化玻璃层(2)上并压紧，使硅片或钝化玻璃层(2)置于掩膜片(3)内的盲孔中； ③吹砂裂片:对掩膜片(3)周边的GPP芯片(1)进行吹砂，使GPP芯片(1)于掩膜片(3)边缘处裂片； ④取下掩膜片:取下掩膜片(3)，完成裂片。2.如权利要求1所述的GPP芯片裂片方法，其特征在于:所述步骤③中的吹砂，具体为高压喷吹金刚砂。3.如权利要求1所述的GPP芯片裂片方法，其特征在于:所述硅片或钝化玻璃层(2)具体为圆形，GPP芯片为圆形GPP芯片。
【专利摘要】本发明提供的一种GPP芯片裂片方法，包括如下步骤：①加工掩膜片；②盖装掩膜片；③吹砂裂片；④取下掩膜片。本发明通过采用“凹”形吹砂掩膜片，并用吹砂的方式进行裂片，能很好的保护玻璃钝化层免受高速金刚砂的冲击，且此过程是在常温下进行，无局部高温，使得加工出的GPP芯片硅片或钝化玻璃层边缘无崩落现象，同时也不会导致的芯片边缘表面金属化层氧化。
【IPC分类】H01L21/304
【公开号】CN105244268
【申请号】CN201510683250
【发明人】袁正刚, 许小兵, 胡忠, 孟繁新, 郭丽萍, 包祯美
【申请人】中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
【公开日】2016年1月13日
【申请日】2015年10月20日