散热型led封装结构的制作方法

文档序号:9632725阅读:169来源:国知局
散热型led封装结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种散热型LED封装结构,属于LED封装技术领域。
【背景技术】
[0002]目前,LED产业是近几年最受瞩目的产业之一,发展至今,LED产品已具有节能、省电、高效率、反应时间快、寿命周期时间长、且不含汞、具有环保效益等优点,然而LED高功率产品为获得所需要的亮度与颜色,在LED封装结构中具有一个反射层设置。所述反射层通常是使用塑料制成,这样的塑料在产品小型化而薄化反射层时,LED芯片的光容易穿过所述反射层,因此不但会造成产品出光的饱和度不足,还会因为光线穿过所述反射层的折射关系,使得封装结构产生光晕现象。目前改善的方式,有在所述反射层的外部覆盖一个金属层或是再加厚所述反射层,这些改善的方式会增加封装结构的制造成本,同时不利于小型化的产品设计发展。

【发明内容】

[0003]本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷,提供一种LED封装结构,它增加了出光质量,并且散热良好。
[0004]本发明解决上述技术问题采取的技术方案是:一种散热型LED封装结构,包括LED芯片、正极片、负极片、散热基板、封装胶体和反射杯,LED芯片封装在封装胶体内,LED芯片分别与正极片和负极片电连接,LED芯片的底面抵在散热基板上,封装胶体填充在反射杯内,散热基板的底部设有多个鳍状散热片。
[0005]进一步,所述的反射杯的外侧还设有光吸收层。
[0006]更进一步,所述的正极片和负极片具有焊接部,其焊接部的底面位于散热基板底面的上方。
[0007]采用了上述技术方案后,本发明的散热基板的底部具有鳍状散热片,增加了散热能力,设置的反射杯能够增加其出光质量。另外,由于所述反射杯的外部具有光吸收层,使LED芯片穿透反射杯的光,可直接被光吸收层予以吸收,不会在本发明的外部产生光晕现象,进而可以维持本发明光的饱和度以及对比颜色。
【附图说明】
[0008]图1为本发明的散热型LED封装结构的结构示意图。
[0009]
【具体实施方式】
[0010]为了使本发明的内容更容易被清楚地理解,下面根据具体实施例并结合附图,对本发明作进一步详细的说明。
[0011]如图1所示,一种散热型LED封装结构,包括LED芯片8、正极片7、负极片4、散热基板5、封装胶体1和反射杯2,LED芯片8封装在封装胶体1内,LED芯片8分别与正极片7和负极片4电连接,LED芯片8的底面抵在散热基板5上,封装胶体1填充在反射杯2内,散热基板5的底部设有多个鳍状散热片5-1。
[0012]反射杯2的外侧还设有光吸收层3。
[0013]正极片7和负极片4具有焊接部74,其焊接部74的底面位于散热基板5底面的上方。
[0014]本发明的工作原理如下:
本发明的散热基板5的底部具有鳍状散热片5-1,增加了散热能力,设置的反射杯2能够增加其出光质量。另外,由于所述反射杯2的外部具有光吸收层3,使LED芯片8穿透反射杯2的光,可直接被光吸收层3予以吸收,不会在本发明的外部产生光晕现象,进而可以维持本发明光的饱和度以及对比颜色。
[0015]以上所述的具体实施例,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种散热型LED封装结构,包括LED芯片(8 )、正极片(7 )、负极片(4 )、散热基板(5 )、封装胶体(1)和反射杯(2 ),LED芯片(8 )封装在封装胶体(1)内,LED芯片(8 )分别与正极片(7)和负极片(4)电连接,LED芯片(8)的底面抵在散热基板(5)上,封装胶体(1)填充在反射杯(2)内,其特征在于:散热基板(5)的底部设有多个鳍状散热片(5-1)。2.根据权利要求1所述的散热型LED封装结构,其特征在于:反射杯(2)的外侧还设有光吸收层(3)。3.根据权利要求1或2所述的散热型LED封装结构,其特征在于:所述的正极片(7)和负极片(4 )具有焊接部(74 ),其焊接部(74 )的底面位于散热基板(5 )底面的上方。
【专利摘要】本发明公开了一种散热型LED封装结构,包括LED芯片、正极片、负极片、散热基板、封装胶体和反射杯,LED芯片封装在封装胶体内,LED芯片分别与正极片和负极片电连接,LED芯片的底面抵在散热基板上,封装胶体填充在反射杯内,散热基板的底部设有多个鳍状散热片。本发明增加了出光质量,并且散热良好。
【IPC分类】H01L33/60, H01L33/64
【公开号】CN105390601
【申请号】CN201510784202
【发明人】陈彬
【申请人】光明国际(镇江)电气有限公司
【公开日】2016年3月9日
【申请日】2015年11月16日
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