一种利于热量散逸的芯片封装结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明属于芯片封装技术领域，具体涉及一种利于热量散逸的芯片封装结构。
【背景技术】
[0002]空气中的杂质和不良气体，乃至水蒸气都会腐蚀芯片上的精密电路，进而造成电学性能下降，故在芯片制作完成后需电性连接到承载器上，该承载器可以是引脚架或是基板，再填入封胶以构成芯片封装体。简单地讲，芯片封装技术就是将芯片包裹起来，以避免芯片与外界接触，防止外界对芯片的损害的一种工艺技术。不同的封装技术在制造工序和工艺方面差异很大，封装后对芯片自身性能的发挥也起到至关重要的作用，其中人们最为关注的还是芯片的散热性能，特别是在大功率、多芯片的集成电路进行封装时，散热性能的优劣直接关系芯片的正常运行。
【发明内容】
[0003]鉴于【背景技术】中所提及的问题，本发明提出一种利于热量散逸的芯片封装结构，目的在于提供一种散热性能优良的、能承载多块芯片的封装结构，其具体技术方案如下:
一种利于热量散逸的芯片封装结构，包括支架体、基板、芯片和封装体，所述支架体由左支架体和右支架体组成，该左支架体与右支架体分别包括呈开放状的上部与下部，上部与下部汇接处引出若干引脚，所述左支架体与右支架体各的上部、下部对应相接，使内侧围闭成一空腔;一散热体贯穿该空腔，并由左支架体与右支架体的上部、下部伸出；所述基板与左支架体与右支架体的上部、下部外侧表面粘连，基板上设有所述芯片;所述散热体与该基板良好接触。
[0004]于本发明的一个或多个实施例当中，所述散热体与基板之间、散热体与支架体之间填充有导热硅胶。
[0005]于本发明的一个或多个实施例当中，所述散热体为铝件或铜件。
[0006]本发明通过金属引脚支架与高导热散热体的配合，保护与芯片的良好接触，最大限度地散逸芯片热量，以保障芯片的正常运行;且其支架体上、下表面可集成多块芯片，满足多芯片集成电路对封装体积的需求。
【附图说明】
[0007]图1为本发明之利于热量散逸的芯片封装结构的示意图。
【具体实施方式】
[0008]如下结合附图1，对本申请方案作进一步描述:
一种利于热量散逸的芯片封装结构，包括支架体1、基板2、芯片3和封装体4，所述支架体I由左支架体11和右支架体12组成，该左支架体11与右支架体12分别包括呈开放状的上部11a、12a与下部11b、12b，上部I la( 12a)与下部I lb( 12b)汇接处引出若干引脚I lc( 12c)，所述左支架体11与右支架体12各的上部Ila与12a、下部Ilb与12b对应相接，使内侧围闭成一空腔10; —散热体5贯穿该空腔10，并由左支架体11与右支架体12的上部11a、12a与下部llb、12b伸出；所述基板2与左支架体11与右支架体12的上部11&、12&与下部11以1213外侧表面粘连，基板2上设有所述芯片3;所述散热体5与该基板2良好接触。
[0009]所述散热体5与基板2之间、散热体5与支架体I之间填充有导热硅胶。
[00?0]所述散热体5为招件或铜件。
[0011]上述优选实施方式应视为本申请方案实施方式的举例说明，凡与本申请方案雷同、近似或以此为基础作出的技术推演、替换、改进等，均应视为本专利的保护范围。
【主权项】
1.一种利于热量散逸的芯片封装结构，包括支架体、基板、芯片和封装体，其特征在于:所述支架体由左支架体和右支架体组成，该左支架体与右支架体分别包括呈开放状的上部与下部，上部与下部汇接处引出若干引脚，所述左支架体与右支架体各的上部、下部对应相接，使内侧围闭成一空腔;一散热体贯穿该空腔，并由左支架体与右支架体的上部、下部伸出；所述基板与左支架体与右支架体的上部、下部外侧表面粘连，基板上设有所述芯片;所述散热体与该基板良好接触。2.根据权利要求1所述的利于热量散逸的芯片封装结构，其特征在于:所述散热体与基板之间、散热体与支架体之间填充有导热硅胶。3.根据权利要求1所述的利于热量散逸的芯片封装结构，其特征在于:所述散热体为铝件或铜件。
【专利摘要】本发明提出一种利于热量散逸的芯片封装结构，包括支架体、基板、芯片和封装体，其特征在于：包括支架体、基板、芯片和封装体，所述支架体由左支架体和右支架体组成，该左支架体与右支架体分别包括呈开放状的上部与下部，上部与下部汇接处引出若干引脚，所述左支架体与右支架体各的上部、下部对应相接，使内侧围闭成一空腔；一散热体贯穿该空腔，并由左支架体与右支架体的上部、下部伸出；所述基板与左支架体与右支架体的上部、下部外侧表面粘连，基板上设有所述芯片；所述散热体与该基板良好接触。本发明之目的在于提供一种散热性能优良的、能承载多块芯片的封装结构。
【IPC分类】H01L23/31, H01L23/367, H01L23/433
【公开号】CN105514056
【申请号】CN201610024688
【发明人】方镜清
【申请人】中山芯达电子科技有限公司
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2016年1月15日