一种中性抛光浆及其制备方法
【技术领域】
[0001 ]本发明设及一种抛光浆，特别设及一种中性抛光浆及其制备方法。
【背景技术】
[0002] 随着半导体工业的飞速发展，超大集成电路正朝向集成度提高、晶片直径增大、特 征尺寸减少等方向发展，CMP工艺重要性尤显突出，而CMP关键技术之一是选择和配制一种 高质量高效率的抛光浆料。目前市场上的抛光浆属于酸性或者碱性溶液，对人的皮肤造成 腐蚀性影响，严重影响人的身屯、健康;并且使用后的废液影响了地下水，破坏了环境。
【发明内容】
[0003] 本发明的目的在于提供一种中性抛光浆及其制备方法。
[0004] -种中性抛光浆，包括如下质量组分： 原料 15-30% 悬浮剂 0 5-5% 表面活性劾化5-5%
[0005] 硫酸盐 0.05-2% 消泡剂 0.01-1% 水 57-83.94%。
[0006] 优选的，所述原料选自丫-A1(0H)3、丫-A100H、a-Al(0H)3中的一种。
[0007] 优选的，所述原料粒度要求为10-100微米。
[000引优选的，所述原料形貌为正六边形、球形、棒状、哑铃状、片状。
[0009] -种上述中性抛光浆的制备方法，包括如下步骤：
[0010] (1)原料的选取和处理：
[0011] 选取原料，将原料在1000-1200°C下般烧2-化，直至原料的比表面为l-2m^g，冷却 后将般烧后的原料放置于研磨机中在800-1200RPM速度下研磨100-400分钟，直至原料的粒 度达到8-10皿；
[0012] (2)取步骤（1)中处理后15-30 %的原料，0.5-5%悬浮剂，0.5-5 %表面活性剂， 0.05-2 %硫酸盐，0.01 -1 %消泡剂，57-83.94 %水混合揽拌均匀得到中性抛光浆。
[0013] 优选的，所述悬浮剂选自六偏憐酸钢、巧樣酸氨。
[0014] 优选的，所述表面活性剂为横酸类阴离子表面活性剂。
[0015] 优选的，所述消泡剂为有机娃消泡剂。
[0016] 相较其他的技术方案，本发明的优点在于：
[0017] 本发明的抛光浆料为中性，减少了酸碱性抛光浆料对人体的腐蚀伤害，也减少了 对地下水的污染，减少对环境的影响；另外本抛光浆料的过程简单、原料易得，成本低，具有 较高的应用价值。
【具体实施方式】
[0018] 下面详细描述本发明的实施例，所述实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不 能理解为对本发明的限制。
[0019]实施例1
[0020] 取哑铃状的粒径为10-100微米的丫-A1(0H)3,在隧道害中1000°C下般烧化直至原 料的比表面为l-2m^g，冷却后将般烧后的原料放置于研磨机中在1000RPM速度下研磨200 分钟，直至原料的粒度达到8-10皿。再将原料按下列比例配制：
[0022] 配制完成之后揽拌均匀，得到中性的抛光液。
[0023] 实施例2
[0024] 取哑铃状的粒径为10-100皿的Q-Al (0H)3,在1200°C下般烧化直至原料的比表面 为l-2m^g，冷却后将般烧后的原料放置于研磨机中在1100RPM速度下研磨280分钟，直至原 料的粒度达到8-10皿。再将原料按下列比例配制：
[0027]配制完成之后揽拌均匀，得到中性的抛光液。
[00%]本发明中配好的产品在科本、劳尔抛光机上进行抛光(压力为0.3bar至O.Sbar;时 间5分钟至10分钟，转速为200至1000RPM)，在电子水平上称量其质量变化(切削量），在显微 镜下观察其划痕(表面质量）。
[0029]最后所应说明的是，W上实，施例仅用W说明本发明的技术方案而非限制。尽管参 照实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，对本发明的技术方 案进行修改或者等同替换，都不脱离本发明技术方案的精神和范围，其均应涵盖在本发明 的权利要求范围当中。
【主权项】
1. 一种中性抛光浆，其特征在于包括如下质量组分： ,1 坑利 15-30% 悬浮剂 0.5-5% 表面活性剂 0.5-5% 硫酸盐 0.05-2% 消泡剂 0.01-1% 氷 57-83.94%。2. 根据权利要求1所述的中性抛光浆，其特征在于所述原料选自丫-A1 (0H)3、丫-A100H、 α-Α1(0Η)3 中的一种。3. 根据权利要求1所述的中性抛光浆，其特征在于所述原料粒度要求为10-100微米。4. 根据权利要求1所述的中性抛光浆，其特征在于所述原料形貌为正六边形、球形、棒 状、哑铃状、片状。5. -种权利要求1-4中所述的中性抛光浆的制备方法，其特征在于包括如下步骤： (1) 原料的选取和处理： 选取原料，将原料在1000-1200°C下般烧2-化，直至原料的比表面为l-2mVg，冷却后将 般烧后的原料放置于研磨机中在800-1200RPM速度下研磨100-400分钟，直至原料的粒度达 到8-10皿； (2) 取步骤（1)中处理后15-30 %的原料，0.5-5 %悬浮剂，0.5-5%表面活性剂，0.05- 2 %硫酸盐，0.01 -1 %消泡剂，57-83.94 %水混合揽拌均匀得到中性抛光浆。6. 根据权利要求5所述的中性抛光浆的制备方法，其特征在于所述悬浮剂选自六偏憐 酸钢、巧樣酸氨。7. 根据权利要求5所述的中性抛光浆的制备方法，其特征在于所述表面活性剂为横酸 类阴离子表面活性剂。8. 根据权利要求5所述的中性抛光浆的制备方法，其特征在于所述消泡剂为有机娃消 泡剂。
【专利摘要】本发明公开了一种中性抛光浆及其制备方法，中性浆料的成分为一种中性抛光浆质量组分：原料15-30％、悬浮剂0.5-5％、表面活性剂0.5-5％、硫酸盐0.05-2％、消泡剂0.01-1％、水57-83.94％。本发明的抛光浆料为中性，减少了酸碱性抛光浆料对人体的腐蚀伤害，也减少了对地下水的污染，减少对环境的影响；另外本抛光浆料的过程简单、原料易得，成本低，具有较高的应用价值。
【IPC分类】B24B37/04, H01L21/306
【公开号】CN105575794
【申请号】CN201610132895
【发明人】周利虎, 刘宇杰, 宋军
【申请人】德米特（苏州）电子环保材料有限公司
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2016年3月9日