一种led外延片加工工艺的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及LED外延片加工技术领域，尤其涉及一种LED外延片加工工艺。
【背景技术】
[0002]LED外延片生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基片上，气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。LED外延片衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。不同的衬底材料，需要不同的LED外延片生长技术、芯片加工技术和器件封装技术，衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。但是，传统的LED外延片加工工艺过程复杂，成本较高，残次率较高。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于通过一种LED外延片加工工艺，来解决以上【背景技术】部分提到的问题。
[0004]为达此目的，本发明采用以下技术方案:
[0005]一种LED外延片加工工艺，其包括如下步骤:
[0006]S101、固定:将单晶硅棒固定在加工台上；
[0007]S102、切片:将单晶硅棒切成薄硅片；
[0008]S103、退火:双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至400-550°C，硅片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层；
[0009]S104、倒角:将退火的硅片进行修整成圆弧形；
[0010]S105、分档检测；
[0011]S106、研磨:用磨片剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层；
[0012]S107、清洗:通过有机溶剂，并结合超声波清洗技术去除硅片表面的有机杂质；
[0013]S108、RCA清洗:通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子。
[0014]本发明提出的LED外延片加工工艺不仅工序简单，对设备要求低，而且生产出的LED外延片残次率较低。
【附图说明】
[0015]图1为本发明实施例提供的LED外延片加工工艺流程图。
【具体实施方式】
[0016]下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容。
[0017]请参照图1所示，图1为本发明实施例提供的LED外延片加工工艺流程图。
[0018]本实施例中LED外延片加工工艺具体包括如下步骤:
[0019]S101、固定:将单晶硅棒固定在加工台上。
[0020]S102、切片:将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。
[0021]S103、退火:双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至400-550°C，硅片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层。
[0022]S104、倒角:将退火的硅片进行修整成圆弧形，防止硅片边缘破裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。
[0023]S105、分档检测:为保证硅片的规格和质量，对其进行检测。此处会产生废品。
[0024]S106、研磨:用磨片剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。此过程产生废磨片剂。
[0025]S107、清洗:通过有机溶剂的溶解作用，结合超声波清洗技术去除硅片表面的有机杂质。此工序产生有机废气和废有机溶剂。
[0026]S108、RCA清洗:通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子。
[0027]本发明的技术方案不仅工序简单，对设备要求低，而且生产出的LED外延片残次率较低。
[0028]注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
【主权项】
1.一种LED外延片加工工艺，其特征在于，包括如下步骤: S101、固定:将单晶硅棒固定在加工台上； S102、切片:将单晶硅棒切成薄硅片； S103、退火:双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至400-550°C，硅片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层； S104、倒角:将退火的硅片进行修整成圆弧形； S105、分档检测； S106、研磨:用磨片剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层； S107、清洗:通过有机溶剂，并结合超声波清洗技术去除硅片表面的有机杂质； S108、RCA清洗:通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子。
【专利摘要】本发明公开一种LED外延片加工工艺，其包括如下步骤：固定：将单晶硅棒固定在加工台上；切片：将单晶硅棒切成薄硅片；退火：双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至400-550℃，硅片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层；倒角：将退火的硅片进行修整成圆弧形；分档检测；研磨：用磨片剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层；清洗：通过有机溶剂，并结合超声波清洗技术去除硅片表面的有机杂质；RCA清洗：通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子。本发明不仅工序简单，对设备要求低，而且生产出的LED外延片残次率较低。
【IPC分类】H01L33/02
【公开号】CN105576094
【申请号】CN201410550913
【发明人】华源兴
【申请人】江苏凯旋涂装自动化工程有限公司
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2014年10月16日