发光元件的制作方法

发光元件的制作方法
【专利摘要】本案揭示一种发光元件，包括基板、依序形成于该基板之上的第一金属层及第二金属层、以及形成于该第一金属层与该第二金属层之间的有机材料层，其中，第一金属层的厚度可一致或包括多个金属部或再包括外露部分基板表面的开口部，有机材料层包括相互接触的电洞传输材料及电子传输材料以相互作用产生能发出峰值波长位于第一范围的光线的激发错合物，而间隔着该有机材料层的第一与第二金属层之间会发生耦合，通过调整第一金属层的厚度或第一金属层与第二金属层之间的距离，以使该光线的峰值波长位移至第二范围及/或第三范围。
【专利说明】
发光元件
技术领域
[0001] 本案设及一种发光元件，尤指一种有机发光元件。
【背景技术】
[0002] -般发光二极管化i曲t-Emitting Diode ;LED)使用半导体材料，通过渗杂等方 式使运些材料成为P型与n型，再将它们接合在一起形成pn接面，则电子及电桐可分别从 n型及P型材料注入，而当电子与电桐相遇而结合时，会W光子的形式释放出能量。
[0003] 有机发光二极管的rganic Li曲t-Emitting Diode ;0LED)则是使用有机材料。有 机发光二极管的发光过程大致如下：施加一正向偏压，使电子和电桐克服界面能障后分别 由阴极与阳极注入，在电场作用下，电子与电桐相向移动并在发光层形成激子，最后电子和 电桐在发光层结合，激子消失并放出光能。另外，在发光层中渗杂客体巧光/憐光发光材料 能提高OLED的发光效率及使用寿命。
[0004] 近几年，OLED的红、绿或蓝色发光材料的发光效率及使用寿命有明显的进步，尤 其是绿色发光材料，惟蓝色发光材料则相对落后，其中蓝色憐光材料效率虽然已可做到 20. 4cd/A，但其寿命仅有数百小时。
[0005] 因此，如何克服前述问题，例如不使用蓝色巧光/憐光客体发光材料，而发展出高 效率OL邸元件，为目前市场上的关键议题。

【发明内容】

[0006] 本案提出一种发光元件，不包括发光层，仅由有机材料层中电桐传输材料和电子 传输材料相互作用W产生能发出光线的激发错合物，藉此降低制作成本及工序。
[0007] 本案的发光元件包括：基板；第一金属层，其形成于该基板上；第二金属层，其形 成于该第一金属层上方；W及有机材料层，其形成于该第一金属层与该第二金属层之间并 包括相互接触的电桐传输材料及电子传输材料；其中，该电桐传输材料与该电子传输材料 相互作用W产生能发出峰值波长位于第一范围的光线的激发错合物，而该第一金属层与该 第二金属层之间产生禪合W使该光线的峰值波长位移，且调整该第一金属层与该第二金属 层之间的距离或该第一金属层的厚度，W使该光线的峰值波位移至第二范围或第=范围。
[0008] 本案提出另一种发光元件，其包括：基板，其具有一表面；第一金属层，其形成于 该基板上并具有第一金属部、第二金属部及位于该第一金属部和第二金属部之间且外露部 份该表面的开口部；第二金属层，其形成于该第一金属层上方；W及有机材料层，其形成于 该第一金属层与该第二金属层之间且覆盖该第一金属部、第二金属部及由该开口部所外露 的部分该表面，该有机材料层并包括相互接触的电桐传输材料及电子传输材料；其中，该电 桐传输材料与该电子传输材料相互作用而产生能发出峰值波长位于第一范围的光线的激 发错合物，且该第一金属部与该第二金属层产生第一禪合W使该光线的峰值波长自该第一 范围位移至第二范围，该第二金属部与该第二金属层产生第二禪合W使该光线的峰值波长 自该第一范围位移至第=范围。
[0009] 一种发光元件，其特征为，该发光元件包括：基板；第一金属层，其形成在该基板 上；第二金属层，其形成于该第一金属层上方；第立金属层，其形成于该第二金属层上方； 第四金属层，其形成于该第=金属层上方；第一有机材料层，其形成于该第一金属层与该第 二金属层之间；第二有机材料层，其形成于该第二金属层与该第立金属层之间；W及第立 有机材料层，其形成于该第=金属层与该第四金属层之间；其中，该第一有机材料层、该第 二有机材料层、该第=有机材料层各自包括相互接触的电桐传输材料及电子传输材料，且 该电桐传输材料与该电子传输材料相互作用所产生的激发错合物能发出峰值波长位于第 一范围的光线，W使该第一有机材料层、该第二有机材料层、该第=有机材料层各自所发出 第一光线、第二光线、第=光线的峰值波长皆在第一范围内，该第二金属层与该第=金属层 之间产生第二禪合W使该第二光线的峰值波长自该第一范围位移至第二范围，且该第=金 属层与该第四金属层之间产生第=禪合W使该第=光线的峰值波长自该第一范围位移至 第S范围。
[0010] 本案提出另一种发光元件，其包括多个像素，各该像素包括：基板，其具有一表面； 第一金属层，其形成于该基板上；第二金属层，其形成于该第一金属层上方；W及有机材料 层，其形成于该第一金属层与该第二金属层之间并包括相互接触的电桐传输材料及电子传 输材料，且该电桐传输材料与该电子传输材料相互作用W产生能发出峰值波长位于第一范 围的光线的激发错合物，而隔着该有机材料层的该第一金属层与该第二金属层产生禪合使 得该光线的峰值波长位移；其中，各该像素为W下其中一个：该第一金属层完全覆盖该表 面，通过调整该第一金属层的厚度越小或该第一金属层与该第二金属层间的距离越大W使 该光线的峰值波长自该第一范围位移至该第二范围，或者，通过调整该第一金属层的厚度 越大或该第一金属层与该第二金属层间的距离越小W使该光线的峰值波长自该第一范围 位移至该第=范围；该第一金属层具有覆盖该基板的部分该表面的金属部及外露该基板的 剩余该表面的开口部，通过调整该金属部的厚度越小或该金属部与该第二金属层间的距离 越大W使该光线的峰值波长自该第一范围位移至该第二范围，或者，通过调整该金属部的 厚度越大或该金属部与该第二金属层间的距离越小W使该光线的峰值波长自该第一范围 位移至该第=范围；该第一金属层具有覆盖该表面的第一金属部和第二金属部，通过调整 该第一金属部的厚度越小或该第一金属部与该第二金属层间的距离越大W使该光线的峰 值波长自该第一范围位移至该第二范围，通过调整该第二金属部的厚度越大或该第二金属 部与该第二金属层间的距离越小W使该光线的峰值波长自该第一范围位移至该第=范围； W及该第一金属层具有第一金属部、第二金属部及介于该第一金属部与第二金属部之间外 露部分该表面的开口部，通过调整该第一金属部的厚度越小或该第一金属部与该第二金属 层间的距离越大W使该光线的峰值波长自该第一范围位移至该第二范围，通过调整该第二 金属部的厚度越大或该第二金属部与该第二金属层间的距离越小W使该光线的峰值波长 自该第一范围位移至该第=范围。
【附图说明】
[0011] 图IA及图IB为本案的发光元件的一实施例的示意图；
[0012] 图2A至图2C为本案的发光元件的另一实施例的示意图；
[0013] 图3A至图3C为本案的发光元件的又一实施例的示意图；
[0014] 图4为本案的发光元件的再一实施例的示意图；
[0015] 图5A及图5B为图IA的发光元件的红移和蓝移示意图；
[0016] 图6A及图她为图IB的发光元件的红移和蓝移示意图；
[0017] 图7为本案的发光元件所包括的周期性结构的示意图；
[0018] 图8A及图8B为本案的发光元件的周期性结构与适用波长的关系曲线图；
[0019] 图9A及图9B为本案的发光元件的应用实施例的示意图；W及
[0020] 图10为本案的发光元件的又一实施例的示意图。
[002。 其中，附图标记：
[0022] 100、200、300、400、500 发光元件
[0023] 10、201 像素
[0024] 201s 子像素
[0025] 2 基板
[0026] 21 表面
[0027] 3、3'、3"、3a 第一金属层
[0028] 30 周期性结构
[002引 31 第一金属部
[0030] 32 第二金属部
[00引]33 开口部
[0032] 4a 第一有机材料层
[0033] 4b 第二有机材料层
[0034] 4c 第=有机材料层
[0035] 41、43 载子注入/传输层
[003引 42 有机材料层
[0037] 421 电桐传输层
[00測 422 电子传输层
[0039] 5 第二金属层
[0040] 6 阴极
[0041] 61 第一金属层
[004引 62 第二金属层
[004引 63 第；金属层
[0044] 64 第四金属层
[004引 7 阳极
[004引 8 薄膜晶体管
[0047] Di 距离（厚度）
[0048] Di g、Di r、Di b 距离
[0049] 〇2、〇3、〇2 r、〇2 b、〇2 g 厚度
[0050] W 尺寸
[005。 八 周期。
【具体实施方式】
[0052] W下藉由特定的实施例说明本案的实施方式，熟习此项技艺的人±可由本文所掲 示的内容轻易地了解本案的其他优点及功效。本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小 等均仅用于配合说明书所掲示的内容，W供熟悉此技艺的人±的了解与阅读，非用于限定 本案可实施的限定条件，故任何修饰、改变或调整，在不影响本案所能产生的功效及所能达 成的目的下，均应仍落在本案所掲示的技术内容得能涵盖的范围内。
[0053] 请参阅图IA及图1B，本案的发光元件100包括依序堆迭的基板2、第一金属层3、 载子注入/传输层41、有机材料层42、载子注入/传输层43及第二金属层5。
[0054] 基板2的材料可为玻璃、塑胶或导电金属氧化物，例如氧化铜锡（indi皿tin oxide ;口0)或氧化铜锋（indium zinc oxide ;IZ0)，当基板2为ITO或IZO时可作为阳极 使用。
[00巧]于本实施例中，第一金属层3形成于基板2上W完全地覆盖基板2,在此所谓"完 全地"是指没有外露基板2的表面。第一金属层3的材料可为金属（如侣或其合金、银或其 合金、金或其合金），例如Al/LiF、Ag/Al/Ag、Ag/Ge/Ag，或纳米金属氧化物，例如BCP/V2O5、 Mo化、ZnS/Ag/化0/Ag、化化/0；。，另可包括纳米金属线。第一金属层也可作为电极，例如阳极 或阴极。此外，如图IA及图IB所示，第一金属层3具有厚度〇2,约5nm-20皿。
[0056] 载子注入/传输层41形成于第一金属层3上。当基板2或第一金属层3作为阳 极而第二金属层5作为阴极时，载子注入/传输层41为电桐注入/传输层；反之，当基板2 或第一金属层3作为阴极而第二金属层5作为阳极时，载子注入/传输层41为电子注入/ 传输层。
[0057] 有机材料层42形成于载子注入/传输层41上，并包括相互接触的电桐传输材料 及电子传输材料。如图IA所示，有机材料层42为混合有电桐传输材料及电子传输材料的 混合层；如图IB所示，有机材料层42包括由电桐传输材料所构成的电桐传输层421及接触 并设置于电桐传输层421上由电子传输材料所构成的电子传输层422。当载子注入/传输 层41为电桐注入/传输层时，电桐传输层421邻近该电桐注入/传输层，也可视为邻近第 一金属层3,而电子传输层422邻近作为电子注入/传输层的载子注入/传输层43,也可视 为邻近第二金属层5。
[005引于本实施例中，电桐传输材料例如1，3-双（氮-巧挫基）苯基 (l,3-bis(N-ca;rbazolyl)benzene;mCP)、4, 49, 40- S (氮-P卡挫基）S 苯胺 (4, 49, 40-t;ri (N-carbazolyl) triphenylamine ;TCTA)、9, 9-二[4-(二-对甲苯基）氨基 苯基]氣化 9_di [4- (di-p-tol}d) aminophenyl] f Iuorine ;DTAF)、1, 1-双[(二-4-甲苯 基氨基）苯基]环己烧（l,l-bis[ (di-4-tol}damino)地en}d] cyclohexane ;TAPC)、或 N， N' -二苯基-N，N-二-[4-(N，N' 二苯基-氨基）苯基]联苯胺（N，N' -di地en5d-N，N' -di-[4-(N, Ndipheny；L-amino)地enyljbenzidine ;NPNPB)，其结构分别如式（1)-(5)所示。
[0059]
................................................式（I)
[0060] ..........................................式似
^OOG 1 ] ???????????????????????????????????????
[0062] .......................................式（4)
[0063] .........................................式巧）
[0064] 电子传输材料例如P0-T2T或4, 6-双化5-二（3-化晚）基苯基）-2-甲基喀晚 (4, 6-Bis (3, 5-di (py;ridin-3-;yl) phenyl) -S-MethylpyriMidine ;B3PYMPM)，其结构分别如 式（6)-(7)所示。
[0065； .......................................式化） ^OOGG ???????????????????????????????????? 式（7)
[0067]需说明的是，电桐传输材料会与电子传输材料相互作用产生激发错合物 (exciplex)，WP0-T2T材料为电子传输材料搭配不同的电桐传输材料可产生能发出不 同光色的激发错合物。例如，P〇-T2T/mCP可发出蓝光（其峰值波长约在380nm-495nm)、 P0-T2T/TCTA可发出绿光（其峰值波长约在495nm-570nm)、P0-T2T/DTAF可发出黄光（其 峰值波长约在570nm-590nm)、P0-T2T/TAPC可发出橘光（其峰值波长约在590nm-620nm)、 P0-T2T/NPNPB可发出红光（其峰值波长约在570nm-750nm)。
[0068] 载子注入/传输层43形成于有机材料层42上。当基板2或第一金属层3作为阳 极而第二金属层5作为阴极时，载子注入/传输层43为电子注入/传输层；反之，当基板2 或第一金属层3作为阴极而第二金属层5作为阳极时，载子注入/传输层43为电桐注入/ 传输层。另外，如图IA及图IB所示，载子注入/传输层41、有机材料层42及载子注入/传 输层43的堆迭具有厚度化，约75nm-150nm，而调整载子注入/传输层41、有机材料层42及 载子注入/传输层43任一层的厚度可改变第一金属层3与第二金属层5间的距离化。
[0069] 第二金属层5形成于载子注入/传输层43上，W使有机材料层42介于第一金属 层3与第二金属层5之间，则使第一金属层3与第二金属层5之间距离有化。第二金属层 5的材料可为金属（如侣或其合金、银或其合金、金或其合金），例如Al/LiF、Ag/Al/Ag、Ag/ Ge/Ag，或纳米金属氧化物，例如BCP/V2O5、Mo〇3、ZnS/Ag/aiO/Ag、化化/Ce。，通常作为阴极使 用。另外，如图IA及图IB所示，第二金属层5具有厚度化，约20nm W上。
[0070] 当施加一电压跨接在第二金属层5与第一金属层3或基板2之间时，有机材料层 42中的电桐传输材料与电子传输材料会相互作用W产生能发出光线的激发错合物，此时 通过第一金属层3与第二金属层5之间的禪合，即电浆禪合（plasmon coupling)效应，能 使该激发错合物所发出的光线的峰值波长位移，例如往波长较长的方向位移（称红移，red shift)或往波长较短的方向位移（蓝移，blue shift)。因此，调整第一金属层3与第二金 属层5之间的距离化或第一金属层3的厚度D 2能使有机材料层42所发出的光线的峰值波 长红移或蓝移至不同的波段，例如，自绿光波段（其峰值波长约在495nm-570nm)红移至红 光波段（其峰值波长约在570nm-750nm)，或自红光波段（其峰值波长约在570nm-750nm)红 移至近红外光波段（其峰值波长约小于1240nm);或者，由绿光波段蓝移至蓝光波段（其峰 值波长约在380nm-495nm)。
[0071] 接着参阅图2A至图2C，本实施例的发光元件200与图IA至图IB所示的发光元件 100的差异仅在于，第一金属层3'包括覆盖于基板2的表面的第一金属部31及第二金属部 32。当然，有机材料层42也如图IA或图IB所示包括相互接触的电桐传输材料与电子传输 材料。
[0072] 第一金属部31的厚度〇2 r在5nm-20皿之间调整且第一金属部31与第二金属层5 间的距离化f在75nm-150nm之间调整W使有机材料层42所发出的光线的峰值波长自该第 一范围位移至该第二范围（也就是，红移至较长的峰值波长）；第二金属部32的厚度〇2b在 5nm-20nm之间调整且第二金属部32与第二金属层5间的距离化b在75nm-150nm之间调整 W使有机材料层42所发出的光线的峰值波长自该第一范围位移至该第=范围（也就是，蓝 移至较短的峰值波长），且其中，第二金属部32的厚度〇2 b大于第一金属部31的厚度D 2 f 或第二金属部32与第二金属层5间的距离化b小于第一金属部31与第二金属层5间的距 离化f。藉此，发光元件200可同时发出两种不同波段的光线。或者，也可将第一金属部31 和第二金属部32其中一者替换成开口部（未予W图式），则发光元件200可发出原本该激 发错合物所产生的光线W及红移或蓝移之后的光线。
[0073] 另外，调整第一金属部31的厚度〇2 r或第一金属部31与第二金属层5之间的距 离化f可改变该第二范围的数值。调整第二金属部32的厚度D 2 b或第二金属部32与第二 金属层5之间的距离化b可改变该第=范围的数值。如图2A所示，第一金属部31的厚度 〇2 f与第二金属部32的厚度D 2 b不相同，而第一金属部31与第二金属层5间的距离D 1 fW 及第二金属部32与第二金属层5间的距离化b相同，也就是，载子注入/传输层41、有机材 料层42及载子注入/传输层43的堆迭整体厚度相同，第二金属层5整体厚度化相同。如 图2B和图2C所不，第一金属部31的厚度〇2 f与第二金属部32的厚度D 2 b相同，而第一金 属部31与第二金属层5之间的距离化f W及第二金属部32与第二金属层5之间的距离D 1 b 不相同；其中，图2B主要W有机材料层42来调整第一金属部31与第二金属层5之间的距 离化山及第二金属部32与第二金属层5之间的距离D 1 b，而载子注入/传输层41厚度整 体相同，载子注入/传输层43厚度整体相同，第二金属层5厚度化整体相同；另其中，图2C 主要W载子注入/传输层41调整第一金属部31与第二金属层5之间的距离化f W及第二 金属部32与第二金属层5之间的距离化b，而有机材料层42整体厚度相同，载子注入/传 输层43,第二金属层5厚度化整体相同。又，也可W载子注入/传输层43调整第一金属部 31与第二金属层5之间的距离化f W及第二金属部32与第二金属层5之间的距离D 1 b。
[0074] 接着参阅图3A至图3C，本实施例的发光元件300与图IA至图IB所示的发光元件 100的差异仅在于，第一金属层3"可为图案化金属层或网格状金属层，其包括覆盖于基板2 的表面21的第一金属部31、第二金属部32及位于第一金属部31与第二金属部32之间外 露部分表面21的开口部33。当然，有机材料层42也如图IA或图IB所示包括相互接触的 电桐传输材料与电子传输材料。
[0075] 于发光元件300中，有机材料层42中的电桐传输材料与电子传输材料相互作 用W产生能发出光线的激发错合物，而该光线的峰值波长（peak wavelength)在第一范 围。此外，第一金属部31与第二金属层5之间产生第一禪合，也就是电浆禪合（plasmon coupling)效应，使得该光线的峰值波长自该第一范围位移至第二范围（例如红移至较长 的峰值波长）。此外，第二金属部32与第二金属层5之间产生第二禪合，使得光线的峰值波 长自该第一范围位移至第=范围（例如蓝移至较短的峰值波长）。
[0076] 需说明的是，该光线为均向的（isotropic),当第二金属层5有反射效果时，峰值 波长在第一范围的光线可自开口部33穿出W离开该发光元件300，峰值波长在第二范围的 光线可穿过第一金属部31 W离开发光元件300,峰值波长在第=范围的光线可穿过第二金 属部32 W离开发光元件300 ;当第二金属层5为透明时，前述峰值波长在第一范围、第二范 围及第=范围的光线也可穿过第二金属层5 W离开发光元件300。
[0077] 调整第一金属部31的厚度〇2 r或第一金属部31与第二金属层5之间的距离D 1 r 可改变该第二范围的数值。调整第二金属部32的厚度〇2 b或第二金属部32与第二金属层 5之间的距离化b可改变该第=范围的数值。如图3A所示，第一金属部31的厚度D 2 f与第 二金属部32的厚度〇2 b不相同，而第一金属部31与第二金属层5间的距离D 1 f、第二金属 部32与第二金属层5间的距离化bW及对应于开口部33的基板2与第二金属层5间的距 离化g相同，也就是，载子注入/传输层41、有机材料层42及载子注入/传输层43的堆迭 整体厚度相同，第二金属层5整体厚度化相同。如图3B和图3C所示，第一金属部31的厚 度〇2 f与第二金属部32的厚度D 2 b相同，而第一金属部31与第二金属层5之间的距离D 1 f W及第二金属部32与第二金属层5之间的距离化b不相同；其中，图3B主要W有机材料层 42来调整第一金属部31与第二金属层5之间的距离化f W及第二金属部32与第二金属层 5之间的距离化b，而载子注入/传输层41厚度整体相同，载子注入/传输层43厚度整体 相同，第二金属层5厚度化整体相同；另其中，图3C主要W载子注入/传输层41调整第一 金属部31与第二金属层5之间的距离化f W及第二金属部32与第二金属层5之间的距离 化b，而有机材料层42整体厚度相同，载子注入/传输层43，第二金属层5厚度化整体相同。 又，也可W载子注入/传输层43调整第一金属部31与第二金属层5之间的距离化fW及 第二金属部32与第二金属层5之间的距离化b。
[0078] 例如，激发错合物所发出的光线的峰值波长在495nm-570nm(绿光波段），第一 金属部31的厚度〇2違]5nm-20皿且其与第二金属层5之间的距离D 1 ^勺75nm-150皿， 则第一金属部31与第二金属层5之间会产生第一禪合W使该光线的峰值波长位移至 570nm-750皿，而第二金属部32的厚度〇2 b约5nm-20皿且其与第二金属层5之间的距 离化b约75nm-150皿，其中第二金属部32的厚度D 2 b大于第一金属部31的厚度D 2 f或 者第二金属部32与第二金属层5之间的距离化b小于第一金属部31与第二金属层5之 间的距离化f，则第二金属部32与第二金属层5之间能产生第二禪合使得该光线的峰值 波长位移至380nm-495nm(蓝光波段）。又例如，激发错合物所发出的光线的峰值波长在 570nm-750皿，第一金属部31的厚度〇2 f约5nm-20皿且其与第二金属层5之间的距离D 1 f 约ISOnm-1000 皿，贝第一金属部31与第二金属层5之间会产生第一禪合W使该光线的峰 值波长位移至小于1240皿，而第二金属部32的厚度〇2 b约5nm-20皿且其与第二金属层5 之间的距离化b约3〇nm-75皿，则第二金属部32与第二金属层5之间能产生第二禪合使得 该光线的峰值波长位移至大于305nm。藉此，发光组件300可发出S种不同波段的光线，例 如红光、绿光和蓝光，W混合成白光，另藉由调整第一金属部31和第二金属部32覆盖基板 2表面21的面积及开口部33外露表面的面积，能改变绿光、红光和蓝光的比例。
[0079] 上述利用图IA-图1B、图2A-图2C及图3A-图3C说明本案的发光元件的结构， 其包括依序堆迭的基板2、第一金属层3 (或3'或3")、载子注入/传输层41、具有电桐传 输材料及电子传输材料的有机材料层42、载子注入/传输层43及第二金属层3,而不包括 先前技术所述的发光层，其中，第一金属层3(或3'或3")可为W下其中一个：厚度一致地 完全覆盖基板2的表面，如图IA-图IB所示，所构成的发光元件100可发出一种波段的光 线；包括至少二个厚度不同或与第二金属层间的距离不同的金属部31和32且运些金属部 31和32之间并无间隔，如图2A-图2C所示，所构成的发光元件200可发出两种波段的光 线；W及包括至少二个金属部31和32及介于该金属部之间外露部分基板2的表面的开口 部33,如图3A-图3C所示，所构成的发光元件300可发出=种波段的光线。
[0080] 请参阅图4,于本实施例中，发光元件400包括依序堆迭的基板2、第一金属层61、 第一有机材料层4a、第二金属层62、第二有机材料层4b、第=金属层63、第=有机材料层 4c、及第四金属层64。
[0081] 基板2的尺寸及材料与第一实施例中的基板2相同。第一金属层61、第二金属层 62、第S金属层63与第一实施例中的第一金属层3的尺寸及材料相同，例如在5nm-20nm， 可由金属（Al/LiF、Ag/Al/Ag、Ag/Ge/Ag)或纳米金属氧化物度CP/V2〇5、Mo〇3、ZnS/Ag/aiO/ Ag、ZnPc/Cj所构成。第四金属层64与第一实施例中的第二金属层5的尺寸及材料相同 W作为阴极，基板2或第一金属层61其中一者可作为阳极。第一有机材料层4a、第二有机 材料层4b及第=有机材料层4c与第一实施例中的有机材料层4相同，例如绿色蛋光A1q3 材料，并包括相互接触的电桐传输材料与电子传输材料。
[0082] 第一有机材料层4曰、第二有机材料层4b、第=有机材料层4c中皆具有电子传输材 料及电桐传输材料，且电子传输材料及电桐传输材料会相互作用W产生能发出峰值波长位 在第一范围的光线，使得第一有机材料层4a所发出的第一光线、第二有机材料层4b所发出 的第二光线、第=有机材料层4c所发出的第=光线的峰值波长皆在第一范围，第一金属层 61与第二金属层62用W使该第一光线产生增益，第二金属层62与第=金属层63之间产 生第二禪合W使该第二光线的峰值波长自该第一范围位移至第二范围，第=金属层63与 第四金属层64之间产生第=禪合W使该第=光线的峰值波长自该第一范围位移至第=范 围。此外，调整第一金属层61的厚度〇2 g、该第二金属层62的厚度〇2 r、或第一金属层61与 该第二金属层62间的距离化gW改变该第一光线的增益。调整第二金属层62的厚度D 2 f、 第=金属层63的厚度〇2 b、或第二金属层62与第=金属层63间的距离化r W改变该第二 范围的数值。调整第=金属层63的厚度〇2 b、第四金属层64的厚度、或第=金属层63与第 四金属层64间的距离化bW改变该第=范围的数值。
[0083] 例如，该第一、第二、第S光线的峰值波长在495nm-570nm，其中该第二光线的 波段可涵盖495nm-750皿、该第S光线的波段可涵盖380nm-570皿，则经厚度〇2 f、〇2 b皆 在5nm-20皿且距离化t在75nm-150皿的第二金属层62与第S金属层63的第二禪合之 后，该第二光线的峰值波长位移至570nm-750皿，另经距离化b在75nm-150皿且小于距 离化f的第=金属层63与第四金属层64的第=禪合之后，该第=光线的峰值波长位移至 380nm-495nm。又例如，该第一、第二、第S光线的峰值波长在570nm-750nm，其中该第二光 线的波段可涵盖570nm-1240皿、该第S光线的波段可涵盖305nm-750皿，则经厚度〇2 r、〇2 b 皆在5nm-20皿且距离化f在ISOnm-1000 皿的第二金属层62与第S金属层63的第二禪合 之后，该第二光线的峰值波长位移至小于1240nm，另经距离Di b在30nm-75nm且小于距离 Di f的第=金属层63与第四金属层64的第=禪合之后，该第=光线的峰值波长位移至大于 305皿。据此，发光组件300可产生绿、红、和蓝S种波段的光，并发出由该S种波段的光所 构成的白光。
[0084] W下进一步W表1-12说明各层的厚度与激发错合物所发出的光线的峰值波长的 关系。
[0085] 首先，W表1和表2说明不包括第一金属层（即其厚度〇2为Onm)的比较例与包括 第一金属层的实验例之间的差异。需说明的是，于比较例1-4中，第二金属层的材料为侣； 于实验例1-4中，第一金属层和第二金属层的材料皆为侣；于比较例1-2及实验例1-2中， 有机材料层为一层1 :1的TAPC和B3PYMPM的混合层；于比较例3-4及实验例3-4中，有机 材料层包括平行堆迭的一层TAPC和一层B3PYMPM。另外，表1-表12是W化表示第一金 属层和第二金属层彼此的距离，也可代表化r、化b; W D 2表示第一金属层的厚度，也可代表 〇2 r、〇2 b。
[0086] 表 1
[0087]
[008引根据表1及参阅图5A和图5B发现，比较例I与实验例I相比，当距离化为100皿 且第一金属层厚度02为Onm时，该光线的峰值波长为520nm，如图5A的实线曲线所示；当第 一金属层厚度02为15nm时，该光线的峰值波长则蓝移至497nm，如图5A的点线曲线所示。 比较例2与实验例2相比，当距离化为130nm且第一金属层厚度D 2为Onm时，该光线的峰 值波长为517nm，如图5B的实线曲线所示；当第一金属层厚度02为15nm时，该光线的峰值 波长则红移至572nm，如图5B的点线曲线所示。
[0089] 表 2
[0090]
[0091] 根据表2及参阅图6A和图她发现，比较例3与实验例3相比，当距离化为90皿 且第一金属层厚度〇2为Onm时，该光线的峰值波长为492nm，如图6A的实线曲线所示；当第 一金属层厚度〇2为15nm时，该光线的峰值波长则蓝移至460nm，如图6A的点线曲线所示。 比较例4与实验例4相比，当距离化为130nm且第一金属层厚度D 2为Onm时，该光线的峰 值波长为506nm，如图6B的实线曲线所示；当第一金属层厚度〇2为15nm时，该光线的峰值 波长则红移至569nm，如图她的点线曲线所示。
[0092] 因此，表1-2及图5A-图她显示，第一金属层与第二金属层间的距离化越大，光 线的峰值波长越往红光波段位移；第一金属层与第二金属层间的距离化越小，光线的峰值 波长越往蓝光波段位移。据此，本案的第一金属层与第二金属层之间的禪合效应，能使由激 发错合物发出的光线的峰值波长产生位移，若该光线的峰值波长落在第一范围（例如绿光 波段，约495nm-570nm)且该光线涵盖了可见光范围，则该禪合效应可使该光线的峰值波长 红移至第二范围（例如红光波段，约570nm-750nm)或蓝移至第S范围（例如蓝光波段，约 380nm-495nm)〇
[0093] 接着W表3-12说明调整第一金属层的厚度DzW及第一金属层与第二金属层的 距离化（也就是载子注入/传输层、有机材料层及载子注入/传输层的堆迭厚度）与光线 的峰值波长的关系。需说明的是，于表3-5中，所使用的电子传输材料与电桐传输材料分 别为P0-T2T和TCTA，激发错合物所发出的光线的峰值波长约为530nm，而所使用的第一金 属层与第二金属层的材料于表3-5中分别为A1/A1、Ag/Ag、Au/Au。而于表6-9中，激发错 合物所发出的光线的峰值波长约为630nm，例如使用P0-T2T和NPWB分别作为电子传输材 料与电桐传输材料，而所使用的第一金属层与第二金属层的材料于表6-8中分别为A1/A1、 Ag/Ag、Au/Au，表6-8列出W红光波段化30皿)、N(折射系数）/K (消散系数（extinction coefficient))值设定为1. 75进行的红位移模拟结果。于表10-12中，激发错合物所发出 的光线的峰值波长约在570nm-750nm之间，而所使用的第一金属层与第二金属层的材料分 别为 Al/Al、Ag/Ag、Au/Au。
[0094] 表 3
[0095]
[0098] 表 5
[0099]
[0106]
[0113] 表 12
[0114]
[011引 由表3-5可知，第一金属层的厚度02可在5nm-20皿之间调整，第一金属层与第二 金属层之间的距离化可在75nm-150皿之间调整。第一金属层与第二金属层间的距离D 1越 大，且第一金属层的厚度02越小，光线的峰值波长越往红光波段偏移W使光线成为红光；第 一金属层与第二金属层间的距离化越小，且第一金属层的厚度D 2越大，光线的峰值波长越 往蓝光波段偏移W使光线成为蓝光。
[011引由表6-9可知，第一金属层的厚度02可在5nm-20皿之间调整，第一金属层与第二 金属层之间的距离化也可在150nm-500皿之间调整，甚至1000皿时，该光线可自红光波段 巧70nm-750nm)位移至近红外波段（约小于1240nm)。尤其从由表9可知，当第一金属层 与第二金属层间的距离化为200、500或1000 nm时，发光元件可发出峰值波长位于500nm、 850nm或1240nm的光线。
[0117] 由表10-12可知，第一金属层的厚度〇2可在5nm-20皿之间调整，第一金属层与第 二金属层之间的距离化也可在30nm-75皿之间调整，该光线可自红光波段巧70nm-750nm) 位移至近紫外波段（约大于305nm)。
[0118] 此外，请参阅图7,发光元件300中的金属部31和32可构成多个周期性结构 30 W使峰值波长在不同范围的光线产生增益。如图7所示，周期性结构30的尺寸W在 40nm-437皿之间、周期A在50nm-965皿之间。也就是说，金属部31和32的各自的宽度皆 为周期性结构30的宽度W，而自金属部31的尾端至金属部32的尾端为周期性结构30的 周期A。需说明的是，虽然图式中显示该周期性结构的外型为方波，惟本案并不限制它的 形状。藉此，激发错合物所产生的光线、或者经由电浆禪合效应所产生的红移或蓝移后的光 线，可通过周期性结构30而产生增益。
[011引表13-15分别为Al、Ag及Au的周期性结构的周期A、尺寸W和适用波长的关系。
[0120] 表 13
[0121]
[0122] 巧 14
[0123]
[0124]
[0125] 阳12引参阅表13-15及图8A及图8B，其中，图8A及图8B中所示的曲线由上至下分别代 表A1、Ag和Au, W材料为Al及波长550nm(绿光）为例，当该周期性结构30的周期A为 646皿且尺寸W为298皿时，会使峰值波长位于550皿的光线产生增益。W材料为Ag及波 长450nm(蓝光）为例，当该周期性结构30的周期A为300nm且尺寸W为189nm时，会使 峰值波长位于450nm的光线产生增益。W材料为Au及波长650nm(红光）为例，当该周期 性结构30的周期A为545nm且尺寸W为299nm时，会使峰值波长位于650nm的光线产生 增益，而由表15可看出，Au较适用于长波长的增益。因此，通过调整周期性结构30的周期 A及尺寸W能使得峰值波长位于某波段的光线产生增益。
[0127] 此外，上述发光元件300可应用于主动矩阵有机发光二极管（Active-matrix organic Ii曲t-emitting diode ;AM0LED)显示器或被动矩阵有机发光二极管 (Passive-matrix organic Ii曲t-emitting diode ;PM0LED)显不器。参阅图 9A，发光元件 300在图9A的显示器中作为一个像素201，像素201还包括R、G、B S个子像素201s，每个 子像素201s皆由薄膜晶体管（TFT)S来致动发光，使得像素201能发出红、绿、蓝光，且利用 TFT做电流控制调整R、G、B S个子像素201s的发光比例更能调整各像素201的发光颜色， 使得AMOL邸显示器能呈现动态彩色灰阶图像。另参阅图9B，与图9A的差异在于致动发光 方式，被动矩阵有机发光二极管显示器是利用阴极6和阳极7来致动发光，其余特征和图9A 相同。
[0128] 另外，于其他实施例中，本案的发光元件皆可作为显示器的其中一个像素，换言 之，每个像素可包括基板、依序堆迭于该基板上的第一金属层、有机材料层和第二金属层， 其中该第一金属层可为W下其中一种：第一金属层的厚度为零，则该像素会发出有机材料 层所产生的光线；第一金属层的厚度一致地完全覆盖该基板的表面，则该像素可发出一种 波段的光线，即红移或蓝移之后的光线；第一金属层包括覆盖该基板的部分该表面的金属 部及外露该基板的剩余该表面的开口部，则该像素可发出两种波段的光线，即有机材料层 所产生的光线W及红移或蓝移之后的光线；第一金属层包括至少二个覆盖该基板的该表面 的金属部，则该像素可发出两种波段的光线，即红移及蓝移之后的光线；W及第一金属层包 括至少二个覆盖该基板的该表面的金属部W及位于该两个金属部间外露该基板的部分该 表面的开口部，则该像素可发出S种波段的光线，即有机材料层所产生的光线、红移及蓝移 之后的光线。例如，请参阅图10,本案的发光元件500包括多个像素10,各像素10包括依 序堆迭的基板2、第一金属层3a、载子注入/传输层41、有机材料层42、载子注入/传输层 43和第二金属层5,有机材料层42可发出峰值波长位于第一范围的光线。于各像素10中， 基板2、有机材料层42和第二金属层5和上述实施例所示者相同，而第一金属层3a可为W 下其中一种：厚度一致地完全覆盖基板2的表面（如图10中自左边算来第二或六个像素）， 通过调整第一金属层3a的厚度越小或第一金属层3a与第二金属层5间的距离越大，能使 该光线的峰值波长自该第一范围位移至第二范围，或者，通过调整第一金属层3a的厚度越 大或第一金属层3a与第二金属层5间的距离越小，能使该光线的峰值波长自该第一范围位 移至第=范围；第一金属层3a具有覆盖基板2的部分该表面的金属部及外露基板2的剩余 该表面的开口部（如图10中自左边算来第=个像素），通过调整该金属部的厚度越小或该 金属部与第二金属层5间的距离越大，能使该光线的峰值波长自该第一范围位移至该第二 范围，或者，通过调整该金属部的厚度越大或该金属部与第二金属层5间的距离越小，能使 该光线的峰值波长自该第一范围位移至该第=范围；第一金属层3a具有第一金属部和第 二金属部，通过调整该第一金属部的厚度越小或该第一金属部与第二金属层5间的距离越 大，能使该光线的峰值波长自该第一范围位移至该第二范围，通过调整该第二金属部的厚 度越大或该第二金属部与第二金属层5间的距离越小，能使该光线的峰值波长自该第一范 围位移至该第立范围；第一金属层3a具有第一金属部、第二金属部及形成于该第一金属部 与第二金属部之间外露基板2的部分该表面的开口部（如图10中自左边算来第一或五个 像素），通过调整该第一金属部的厚度越小或该第一金属部与该第二金属层间的距离越大， 能使该光线的峰值波长自该第一范围位移至该第二范围，通过调整该第二金属部的厚度越 大或该第二金属部与该第二金属层间的距离越小，能使该光线的峰值波长自该第一范围位 移至该第=范围；W及第一金属层3a的厚度为零（如图10中自左边算来第四个像素）时 将维持原本波长无位移。
[0129] 综上所述，本案的发光元件不包括发光层，仅由有机材料层中相互接触的电桐传 输材料和电子传输材料相互作用W产生能发出光线的激发错合物，藉此降低制作成本及工 序，另藉由有机材料层上下侧的第一和第二金属层发生禪合效应，能令激发错合物的光线 的峰值波长红移或蓝移，W产生不使用蓝色巧光/憐光客体发光材料而发出蓝光的发光元 件、不使用红色巧光/憐光客体发光材料而发出红光的发光元件、或不使用红色或蓝色巧 光/憐光客体发光材料而发出白光的发光元件。
[0130] 上述实施例仅例示性说明本案的功效，而非用于限制本案，任何熟习此项技艺的 人±均可在不违背本案的精神及范畴下对上述运些实施例进行修饰与改变。因此本案的权 利保护范围，应如权利要求书所列。
【主权项】
1. 一种发光元件，其特征为，该发光元件包括： 基板； 第一金属层，其形成于该基板上； 第二金属层，其形成于该第一金属层上方；以及 有机材料层，其形成于该第一金属层与该第二金属层之间并包括相互接触的电洞传输 材料及电子传输材料， 其中，该电洞传输材料与该电子传输材料相互作用以产生能发出峰值波长位于第一范 围的光线的激发错合物，而该第一金属层与该第二金属层之间产生耦合以使该光线的峰值 波长位移，且调整该第一金属层与该第二金属层间的距离或该第一金属层的厚度，能使该 光线的峰值波长位移至第二范围或第三范围。2. 如权利要求1所述的发光元件，其特征为，该基板具有一表面，且该第一金属层形成 于该基板上以完全覆盖该基板的该表面。3. 如权利要求1所述的发光元件，其特征为，该第一金属层的厚度在5nm-20nm，该第一 金属层与该第二金属层间的距离在75nm-150nm，该第一范围在495nm-570nm，该第二范围 在570nm-750nm，该第三范围在380nm-495nm，当该第一金属层的厚度越小或该第一金属层 与该第二金属层间的距离越大，该光线的峰值波长自该第一范围位移至该第二范围；当该 第一金属层的厚度越大或该第一金属层与该第二金属层间的距离越小，该光线的峰值波长 自该第一范围位移至该第三范围。4. 如权利要求1所述的发光元件，其特征为，该第一金属层的厚度在5nm-20nm，该第一 金属层与该第二金属层间的距离在150nm-1000nm，且该第一范围在570nm-750nm，该第二 范围大于该第一范围且小于1240nm〇5. 如权利要求1所述的发光元件，其特征为，该第一金属层的厚度在5nm-20nm，且该 第一金属层与该第二金属层间的距离在30nm-75nm，则该第三范围小于该第一范围且大于 305nm〇6. 如权利要求1所述的发光元件，其特征为，该第一范围在495nm-570nm，该第二范 围在570nm-750nm，该第三范围在380nm-495nm，且该第一金属层包括第一金属部及第二 金属部，该第一金属部的厚度在5nm-20nm之间调整且该第一金属部与该第二金属层间的 距离在75nm-150nm之间调整，能使该光线的峰值波长自该第一范围位移至该第二范围； 该第二金属部的厚度在5nm-20nm之间调整且该第二金属部与该第二金属层间的距离在 75nm-150nm之间调整，能使该光线的峰值波长自该第一范围位移至该第三范围，且该第二 金属部的厚度大于该第一金属部的厚度或该第二金属部与该第二金属层间的距离小于该 第一金属部与该第二金属层间的距离。7. 如权利要求1所述的发光元件，其特征为，该基板的材料为玻璃、塑胶或导电金属氧 化物。8. 如权利要求6所述的发光元件，其特征为，调整该有机材料层的厚度能调整该第一 金属部与该第二金属层间的距离及该第二金属部与该第二金属层间的距离。9. 如权利要求1所述的发光元件，其特征为，该有机材料层包括由该电洞传输材料及 该电子传输材料混合构成的混合层。10. 如权利要求1所述的发光元件，其特征为，该有机材料层包括由该电洞传输材料所 构成的电洞传输层以及接触并设置于该电洞传输层上且由该电子传输材料所构成的电子 传输层。11. 如权利要求10所述的发光元件，其特征为，该基板或该第一金属层作为阳极，该第 二金属层作为阴极；该电洞传输层邻近该第一金属层，且该电子传输层邻近该第二金属层。12. 如权利要求1所述的发光元件，其特征为，该基板或该第一金属层作为阳极，且该 第二金属层作为阴极；该第一金属层与该有机材料层之间形成有电洞注入层，且该第二金 属层与该有机材料层之间形成有电子注入层。13. 如权利要求1所述的发光元件，其特征为，该第一金属层及该第二金属层由金属或 纳米金属氧化物所构成。14. 一种发光元件，其特征为，该发光元件包括： 基板，其具有一表面； 第一金属层，其形成于该基板上并具有第一金属部、第二金属部及位于该第一金属部 和第二金属部之间且外露部份该表面的开口部； 第二金属层，其形成于该第一金属层上方；以及 有机材料层，其形成于该第一金属层与该第二金属层之间且覆盖该第一金属部、第二 金属部及由该开口部所外露的部分该表面，该有机材料层并包括相互接触的电洞传输材料 及电子传输材料， 其中，该电洞传输材料与该电子传输材料相互作用而产生能发出峰值波长位于第一范 围的光线的激发错合物，且该第一金属部与该第二金属层产生第一耦合以使该光线的峰值 波长自该第一范围位移至第二范围，该第二金属部与该第二金属层产生第二耦合以使该光 线的峰值波长自该第一范围位移至第三范围。15. 如权利要求14所述的发光元件，其特征为，该第一范围在495nm-570nm，该第二范 围在570nm-750nm，该第三范围在380nm_495nm，该第一金属部的厚度在5nm_20nm之间调整 且该第一金属部与该第二金属层间的距离在75nm-150nm之间调整，能使该光线的峰值波 长自该第一范围位移至第二范围；该第二金属部的厚度在5nm-20nm之间调整且该第二金 属部与该第二金属层间的距离在75nm-150nm之间调整，能使该光线的峰值波长自该第一 范围位移至第三范围，且该第二金属部的厚度大于该第一金属部的厚度或该第二金属部与 该第二金属层间的距离小于该第一金属部与该第二金属层间的距离。16. 如权利要求14所述的发光元件，其特征为，该第一范围为绿光波段，该第二范围为 红光波段，该第三范围为蓝光波段，以在该发光元件发出由绿光、红光及蓝光所组成的白光 时，藉由调整该第一金属部覆盖该表面的面积、该第二金属部覆盖该表面的面积、及该开口 部外露该部分的表面的面积能改变该绿光、该红光及该蓝光的比例。17. 如权利要求14所述的发光组件，其特征为，该第一范围在570nm-750nm，该第二范 围大于该第一范围且小于1240nm，该第三范围小于该第一范围且大于305nm，该第一金属 部的厚度在5nm-20nm之间调整且该第一金属部与该第二金属层间的距离在150nm-1000nm 之间调整，该第二金属部的厚度在5nm-20nm之间调整且该第二金属部与该第二金属层间 的距离在30nm_75nm之间调整。18. 如权利要求14所述的发光元件，其特征为，该基板的材料为玻璃、塑胶或导电金属 氧化物。19. 如权利要求14所述的发光元件，其特征为，该有机材料层包括由该电洞传输材料 及该电子传输材料混合构成的混合层。20. 如权利要求14所述的发光元件，其特征为，该有机材料层包括由该电洞传输材料 所构成的电洞传输层以及接触并设置于该电洞传输层上且由该电子传输材料所构成的电 子传输层。21. 如权利要求20所述的发光元件，其特征为，该基板或该第一金属层作为阳极，该第 二金属层作为阴极；该电洞传输层邻近该第一金属层，且该电子传输层邻近该第二金属层。22. 如权利要求14所述的发光元件，其特征为，该基板或该第一金属层作为阳极，且该 第二金属层作为阴极；该第一金属层与该有机材料层之间形成有电洞注入层，且该第二金 属层与该有机材料层之间形成有电子注入层。23. 如权利要求14所述的发光元件，其特征为，该第一金属层及该第二金属层是由金 属或纳米金属氧化物所构成，且该第一金属层为图案化金属层或网格状金属层。24. 如权利要求14所述的发光元件，其特征为，该第一金属部及该第二金属部构成多 个周期性结构，以使峰值波长在该第一范围、第二范围或该第三范围的光线产生增益，该周 期性结构的尺寸介于40nm-437nm且周期介于50nm_965nm。25. -种发光元件，其特征为，该发光元件包括： 基板； 第一金属层，其形成在该基板上； 第二金属层，其形成于该第一金属层上方； 第三金属层，其形成于该第二金属层上方； 第四金属层，其形成于该第三金属层上方； 第一有机材料层，其形成于该第一金属层与该第二金属层之间； 第二有机材料层，其形成于该第二金属层与该第三金属层之间；以及 第三有机材料层，其形成于该第三金属层与该第四金属层之间； 其中，该第一有机材料层、该第二有机材料层、该第三有机材料层各自包括相互接触的 电洞传输材料及电子传输材料，且该电洞传输材料与该电子传输材料相互作用所产生的激 发错合物能发出峰值波长位于第一范围的光线，以使该第一有机材料层、该第二有机材料 层、该第三有机材料层各自所发出第一光线、第二光线、第三光线的峰值波长皆在第一范围 内，该第二金属层与该第三金属层之间产生第二耦合以使该第二光线的峰值波长自该第一 范围位移至第二范围，且该第三金属层与该第四金属层之间产生第三耦合以使该第三光线 的峰值波长自该第一范围位移至第三范围。26. 如权利要求25所述的发光元件，其特征为，该第一范围在495nm-570nm，而该第二 范围在570nm-750nm，该第三范围在380nm-495nm，该第二金属层及该第三金属层的厚度皆 在5nm-20nm，该第二金属层与该第三金属层间的距离在75nm-150nm，该第三金属层与该第 四金属层间的距离在75nm-150nm且小于该第二金属层与该第三金属层间的距离。27. 如权利要求25所述的发光元件，其特征为，该第一范围在570nm-750nm，该第二 范围大于该第一范围且小于1240nm，该第三范围小于该第一范围且大于305nm,该第二金 属层及该第三金属层的厚度皆在5nm-20nm，且该第二金属层与该第三金属层间的距离在 150nm-1000nm，该第三金属层与该第四金属层间的距离在30nm_75nm。28. 如权利要求25所述的发光元件，其特征为，调整该第二金属层的厚度、该第三金属 层的厚度、或该第二金属层与该第三金属层间的距离能改变该第二范围的数值，且调整该 第三金属层的厚度、该第四金属层的厚度、或该第三金属层与该第四金属层间的距离能改 变该第三范围的数值。29. 如权利要求25所述的发光元件，其特征为，该基板或该第一金属层作为阳极，该第 四金属层作为阴极。30. 如权利要求25所述的发光元件，其特征为，该第一金属层、该第二金属层、该第三 金属层、或该第四金属层是由金属或纳米金属氧化物所构成。31. 如权利要求25所述的发光元件，其特征为，该第一有机材料层、该第二有机材料 层、该第三有机材料层各自包括由该电洞传输材料及该电子传输材料混合构成的混合层。32. 如权利要求25所述的发光元件，其特征为，该第一有机材料层、该第二有机材料 层、该第三有机材料层各自包括由该电洞传输材料所构成的电洞传输层以及接触并设置于 该电洞传输层上且由该电子传输材料所构成的电子传输层。33. -种发光元件，包括多个像素，其特征为，各该像素包括： 基板，其具有一表面； 第一金属层，其形成于该基板上； 第二金属层，其形成于该第一金属层上方；以及 有机材料层，其形成于该第一金属层与该第二金属层之间并包括相互接触的电洞传输 材料及电子传输材料，且该电洞传输材料与该电子传输材料相互作用以产生能发出峰值波 长位于第一范围的光线的激发错合物，而隔着该有机材料层的该第一金属层与该第二金属 层产生耦合使得该光线的峰值波长位移， 其中，各该像素为以下其中一个： 该第一金属层完全覆盖该表面，通过调整该第一金属层的厚度越小或该第一金属层与 该第二金属层间的距离越大，能使该光线的峰值波长自该第一范围位移至该第二范围，或 者通过调整该第一金属层的厚度越大或该第一金属层与该第二金属层间的距离越小，能使 该光线的峰值波长自该第一范围位移至该第三范围； 该第一金属层具有覆盖部分该表面的金属部及外露剩余该表面的开口部，通过调整该 金属部的厚度越小或该金属部与该第二金属层间的距离越大，能使该光线的峰值波长自该 第一范围位移至该第二范围，或者通过调整该金属部的厚度越大或该金属部与该第二金属 层间的距离越小，能使该光线的峰值波长自该第一范围位移至该第三范围； 该第一金属层具有覆盖该表面的第一金属部和第二金属部，通过调整该第一金属部的 厚度越小或该第一金属部与该第二金属层间的距离越大，能使该光线的峰值波长自该第一 范围位移至该第二范围，通过调整该第二金属部的厚度越大或该第二金属部与该第二金属 层间的距离越小，能使该光线的峰值波长自该第一范围位移至该第三范围；以及 该第一金属层具有第一金属部、第二金属部及形成于该第一金属部与第二金属部之间 外露部分该表面的开口部，通过调整该第一金属部的厚度越小或该第一金属部与该第二金 属层间的距离越大，能使该光线的峰值波长自该第一范围位移至该第二范围，通过调整该 第二金属部的厚度越大或该第二金属部与该第二金属层间的距离越小，能使该光线的峰值 波长自该第一范围位移至该第三范围。34. 如权利要求33所述的发光元件，其特征为，该第一范围在495nm-570nm，该第二范 围在570nm-750nm，该第三范围在380nm-495nm，该第一金属层、该第一金属部及该第二金 属部的厚度在5nm-20nm之间调整，该第一金属层与该第二金属层间、该第一金属部与该第 二金属层间及该第二金属部与该第二金属层间的距离在75nm-150nm之间调整。35. 如权利要求33所述的发光组件，其特征为，该第一范围在570nm-750nm，该第二范 围大于该第一范围且小于1240nm，该第三范围小于该第一范围且大于305nm，该第一金属 部的厚度在5nm-20nm之间调整且该第一金属部与该第二金属层间的距离在150nm-1000nm 之间调整，该第二金属部的厚度在5nm-20nm之间调整且该第二金属部与该第二金属层间 的距离在30nm_75nm之间调整。36. 如权利要求33所述的发光元件，其特征为，该有机材料层包括由该电洞传输材料 及该电子传输材料混合构成的混合层。37. 如权利要求33所述的发光元件，其特征为，该有机材料层包括由该电洞传输材料 所构成的电洞传输层以及接触并设置于该电洞传输层上且由该电子传输材料所构成的电 子传输层。38. 如权利要求33所述的发光元件，其特征为，该基板的材料为玻璃、塑胶或导电金属 氧化物。39. 如权利要求31所述的发光元件，其特征为，该发光元件为被动矩阵有机发光二极 管或主动矩阵有机发光二极管。
【文档编号】H01L51/50GK105826478SQ201510371554
【公开日】2016年8月3日
【申请日】2015年6月30日
【发明人】林依萍, 李中裕, 陈冠宇, 陈世溥, 吴晋翰, 陈振昌
【申请人】财团法人工业技术研究院