Tft阵列基板上多次开接触孔的制作方法
【专利摘要】一种TFT阵列基板上多次开接触孔的制作方法，包括：在第一薄膜上形成第二薄膜，在同等蚀刻条件下，第二薄膜的蚀刻速率大于第一薄膜的蚀刻速率；在第一薄膜和第二薄膜中通过蚀刻工艺形成第一接触孔，第一接触孔贯穿第二薄膜和第一薄膜；在开设第一接触孔后，去除第一薄膜上的第二薄膜；在第一薄膜上形成导电膜，导电膜填入第一接触孔中；在第一薄膜上形成第三薄膜，第三薄膜覆盖导电膜，在同等蚀刻条件下，第三薄膜的蚀刻速率大于第一薄膜的蚀刻速率；在第三薄膜上形成第四薄膜，在同等蚀刻条件下，第四薄膜的蚀刻速率大于第三薄膜的蚀刻速率；在第四薄膜、第三薄膜和第一薄膜中通过蚀刻工艺形成第二接触孔，第二接触孔贯穿第四薄膜、第三薄膜和第一薄膜。
【专利说明】
TFT阵列基板上多次开接触孔的制作方法
技术领域
[0001] 本发明设及半导体相关的技术领域，特别设及一种TFT阵列基板上多次开接触孔 的制作方法。
【背景技术】
[0002] 随着显示技术的发展，液晶显示面板化iquid Crystal Display,LCD)因其轻便、 低福射等优点越来越受到人们的欢迎。液晶显示面板包括对置的彩色滤光片基板(CF基板） 和薄膜晶体管阵列基板(TFT阵列基板)W及夹置在两者之间的液晶层。
[0003] 在TFT阵列基板上，为实现上下导电桥接，通常需要在膜层中开设接触孔，将导电 材料填充到接触孔中，W实现上下导电桥接。为了在TFT阵列基板上制作具有适当正向锥度 角(taper angle)的接触孔，现有技术是采取化学性蚀刻复合膜的方法，如图1所示，包括第 一薄膜11和第二薄膜12,在蚀刻时，在第二薄膜12上涂覆光阻层17,但要形成接触孔位置处 的光阻层17材料被曝光和显影后去除，便可对第一薄膜11和第二薄膜12进行蚀刻W形成接 触孔。
[0004] 化学性蚀刻具有等向性(各方向上的蚀刻速率相同），因此，如图1中所示，则第一 薄膜11和第二薄膜12蚀刻后的剖面形状分别是一段圆弧(如图中虚线所示），其圆屯、分别是 每层薄膜的蚀刻起始顶点(如图中Dl和D2点）。
[0005] 在蚀刻的初始阶段，第一薄膜11和第二薄膜12中被蚀刻出接触孔的下半部轮廓圆 滑，但上半部是一个90度的尖角。当在蚀刻出的接触孔中填充导电材料如金属W实现上下 导电桥接时，运个尖角易于导致桥接金属断线。且随着蚀刻的进行，圆弧的半径越来越大， 故圆弧自身逐渐趋近一条垂直于基板的直线，即接触孔的侧壁整体上逐渐趋于睹峭，因此， 桥接金属更加易发生断线。显然，运种侧壁形状随制程时间变化的问题是应当极力避免的。
[0006] 为了形成时间稳定的正向锥度角W利于制程控制，做为改进，在下层薄膜上再沉 积一层蚀刻速率更快的上层薄膜。如图1所示，在第一薄膜11上再沉积一层蚀刻速率更快的 第二薄膜12。当第二薄膜12被吃穿后，第一薄膜11开始被蚀刻。随着第二薄膜12逐渐退开， 第一薄膜11先露出的部分的蚀刻时间长且残余厚度薄，第一薄膜11后露出的部分蚀刻时间 短且残余厚度厚，于是形成平滑的正向锥度角，如图1中所示。
[0007] 但此时仍然存在的问题是，图1中上层薄膜的剖面上半部轮廓还是一个接近90度 的尖角。做为进一步改进，需要要求上层薄膜(即第二薄膜12)非常薄(此时第二薄膜12为辅 助性薄层），运样上层薄膜的剖面上半部的尖角显然会很小，从而避免接触孔的桥接断线， 如图2所示。
[000引对于TFT阵列基板上多次开接触孔的情形，在第一次开接触孔时，要求膜层结构具 有如图2所示的结构。在第二次开孔接触孔时，膜层结构将不得不具有如图3所示的结构。图 4是现有方法应用于第一薄膜11和第=薄膜13即两层薄膜(其中第二薄膜12和第四薄膜14 为辅助性薄层)上两次开接触孔(第一接触孔THl和第二接触孔TH2)的剖面示意图。
[0009]为表述简便，假设第X层薄膜的蚀刻速率为RxU=I，2,3,…），即第一薄膜11的蚀 刻速率为Rl，第二薄膜12的蚀刻速率为R2,第=薄膜13的蚀刻速率为R3,第四薄膜14的蚀刻 速率为R4。对于在TFT阵列基板的多层薄膜上多次开接触孔情形，必须要求上层薄膜的蚀刻 速率快于紧邻的下层薄膜，才可W保证各次所开接触孔都具有平滑的正向锥度角。因此为 了在第二接触孔T肥中形成平滑的正向锥度角，需满足R4>R3>R2>R1，使得第S薄膜13和 第四薄膜14的材质选择受到非常大的限制，实际生产中可能出现的情况是，要沉积同时满 足蚀刻率、介电常数、隔绝水汽离子等多方面性能要求的膜质变得非常困难。
【发明内容】
[0010] 本发明的目的在于提供一种TFT阵列基板上多次开接触孔的制作方法，在TFT阵列 基板的多层薄膜上多次制作接触孔的制程中，降低了对薄膜材质的选择限制，增加了制程 的灵活性。
[0011] 本发明提供一种TFT阵列基板上多次开接触孔的制作方法，包括如下步骤：
[0012] 在第一薄膜上形成第二薄膜，在同等蚀刻条件下，该第二薄膜的蚀刻速率大于该 第一薄膜的蚀刻速率；
[0013] 在该第一薄膜和该第二薄膜中通过蚀刻工艺形成第一接触孔，该第一接触孔贯穿 该第二薄膜和该第一薄膜；
[0014] 在开设该第一接触孔后，去除该第一薄膜上的该第二薄膜；
[0015] 在该第一薄膜上形成导电膜，该导电膜填入该第一接触孔中；
[0016] 在该第一薄膜上形成第=薄膜，该第=薄膜覆盖该导电膜，在同等蚀刻条件下，该 第=薄膜的蚀刻速率大于该第一薄膜的蚀刻速率；
[0017] 在该第=薄膜上形成第四薄膜，在同等蚀刻条件下，该第四薄膜的蚀刻速率大于 该第=薄膜的蚀刻速率；
[0018] 在该第四薄膜、该第=薄膜和该第一薄膜中通过蚀刻工艺形成第二接触孔，该第 二接触孔贯穿该第四薄膜、该第=薄膜和该第一薄膜。
[0019] 进一步地，该第四薄膜的致密度小于该第=薄膜的致密度，该第=薄膜及该第二 薄膜的致密度小于该第一薄膜的致密度。
[0020] 进一步地，去除该第一薄膜上的该第二薄膜具体方式包括:干蚀刻或湿蚀刻。
[0021] 进一步地，在蚀刻去除该第二薄膜时，是采取一定比例的过蚀刻将该第二薄膜完 全去除，同时部分地去除该第一薄膜。
[0022] 进一步地，该第二薄膜的厚度小于该第一薄膜的厚度，该第四薄膜的厚度小于该 第=薄膜的厚度。
[0023] 进一步地，该第二薄膜和该第四薄膜的厚度为50A~500A。
[0024] 进一步地，该第一薄膜、该第二薄膜、该第=薄膜和该第四薄膜为由绝缘材料制成 的绝缘层。
[0025] 进一步地，在该第一薄膜和该第二薄膜中形成该第一接触孔的蚀刻工艺具体包 括：
[00%]在该第二薄膜上涂覆光阻；
[0027]对该光阻进行曝光和显影，在将要制作该第一接触孔的位置去除该光阻，而其他 位置保留该光阻；
[0028] 在该光阻的遮罩下对该第一薄膜和该第二薄膜进行蚀刻W形成该第一接触孔；
[0029] 去除该第二薄膜上的该光阻。
[0030] 进一步地，在该第四薄膜、该第=薄膜和该第一薄膜中形成该第二接触孔的蚀刻 工艺具体包括：
[0031 ]在该第四薄膜上涂覆光阻；
[0032] 对该光阻进行曝光和显影，在将要制作该第二接触孔的位置去除该光阻，而其他 位置保留该光阻；
[0033] 在该光阻的遮罩下对该第四薄膜、该第=薄膜和该第一薄膜进行蚀刻W形成该第 二接触孔；
[0034] 去除该第四薄膜上的该光阻。
[0035] 进一步地，所述第一薄膜和所述第=薄膜为TFT阵列基板上的两个绝缘层。
[0036] 本发明提供的TFT阵列基板上多次开接触孔的制作方法，第一薄膜至第四薄膜的 蚀刻速率之间只需满足:R4>R3>R1和R2>R1。第S薄膜和第四薄膜的膜质相比原有制作 方法将有更大的容许范围。为制作具有正向锥度角的第一接触孔，仅需满足R2>R1。为制作 具有正向锥度角的第二接触孔，仅需满足R4>R3>R1，运显著增加了制程的灵活性，使得多 层薄膜多次开接触孔情形的孔锥度可W相对独立的控制。本发明在第一次开接触孔后，将 第二薄膜完全去除，因此本发明在第二次开接触孔时，第=薄膜和第四薄膜的膜质选择将 不再受到第二薄膜的蚀刻速率R2的限制（只需满足R4>R3>R1即可），因此第=薄膜和第四 薄膜具有更多的材质选择。另外本发明相较原有制作方法将减小蚀刻制得的第二接触孔的 关键尺寸偏差(etch bias)。
【附图说明】
[0037] 图1为在两层薄膜上制作形成接触孔时的示意图。
[0038] 图2为在两层薄膜上制作形成接触孔后的示意图。
[0039] 图3为在四层薄膜上制作形成接触孔后的示意图。
[0040] 图4为在四层薄膜上多次制作形成接触孔后的示意图。
[0041] 图5为本发明实施例中TFT阵列基板上多次开接触孔的制作方法的制作步骤流程 图。
[0042] 图6A至图6F为本发明实施例中TFT阵列基板上多次开接触孔的制作步骤示意图。
【具体实施方式】
[0043] 为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术方式及功效，W下结合 附图及实施例，对本发明的【具体实施方式】、结构、特征及其功效，详细说明如后。
[0044] 本发明实施例提出一种TFT阵列基板上多次开接触孔的制作方法，可应用于液晶 显示装置化CD)、有机发光二极管显示装置(OLED)等的TFT阵列基板制作过程中，用于TFT阵 列基板的多层薄膜上多次开接触孔的孔锥度控制，W解决因 TFT阵列基板上的接触孔的正 向锥度角（taper angle)制作不良导致的上层金属或透明导电金属氧化物（Transparent Conductive化ide，TC0)与下层金属或TCO的桥接断线，进而引起LCD、OLED面板点缺陷、线 缺陷的问题。
[0045] 图5为本发明实施例中TFT阵列基板上多次开接触孔的制作方法的制作步骤流程 图，该制作方法包括如下步骤：
[0046] Sll:在第一薄膜上形成第二薄膜，在同等蚀刻条件下，第二薄膜的蚀刻速率大于 第一薄膜的蚀刻速率；
[0047] S12:在第一薄膜和第二薄膜中通过蚀刻工艺形成第一接触孔，第一接触孔贯穿第 二薄膜和第一薄膜；
[004引S13:在开设第一接触孔后，去除第一薄膜上的第二薄膜；
[0049] S14:在第一薄膜上形成导电膜，导电膜填入第一接触孔中；
[0050] S15:在第一薄膜上形成第=薄膜，第=薄膜覆盖导电膜，在同等蚀刻条件下，第= 薄膜的蚀刻速率大于第一薄膜的蚀刻速率；
[0051] S16:在第=薄膜上形成第四薄膜，在同等蚀刻条件下，第四薄膜的蚀刻速率大于 第=薄膜的蚀刻速率；
[0052] S17:在第四薄膜、第=薄膜和第一薄膜中通过蚀刻工艺形成第二接触孔，第二接 触孔贯穿第四薄膜、第=薄膜和第一薄膜。
[0053] 图6A至图6F为本发明实施例中TFT阵列基板上多次开接触孔的制作步骤示意图， W下结合图6A至图6F，对本发明实施例中TFT阵列基板上多次开接触孔的制作方法进行详 细说明如下。
[0054] 如图6A所示，在第一薄膜21上形成第二薄膜22。如本领域技术人员所熟知，针对液 晶显示面板而言，TFT阵列基板通常包括衬底基板和制作形成在该衬底基板上的各膜层结 构如栅极金属层、栅极绝缘层、半导体层、源漏极金属层、像素电极层、层间绝缘层、绝缘保 护层等。本实施例中，第一薄膜21具体可W是TFT阵列基板上的一个绝缘层如栅极绝缘层或 层间绝缘层，在第一薄膜21上沉积一层蚀刻速率比第一薄膜21快的辅助性薄层即第二薄膜 22。第二薄膜22的厚度小于第一薄膜21的厚度，其中第二薄膜22的厚度为50A~500A，优 先地州OOA~300A。
[0055] 在同等蚀刻条件下，第二薄膜22的蚀刻速率大于第一薄膜21的蚀刻速率，W利于 在第一薄膜21中开设接触孔时形成正向锥度角（taper angle)。第一薄膜21和第二薄膜22 可通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)等方法沉积形成，并可通过选择不同材料或者 通过控制沉积制程中的工艺参数等方式，使制得的第二薄膜22的蚀刻速率大于第一薄膜21 的蚀刻速率，例如可通过控制沉积制程中的工艺参数，使制得的第一薄膜21和第二薄膜22 的致密程度不同，使第二薄膜22的致密度小于第一薄膜21的致密度，从而使第二薄膜22的 蚀刻速率大于第一薄膜21的蚀刻速率。第一薄膜21和第二薄膜22例如为由氧化娃(SiOx)、 氮化娃(Si化)或氮氧化娃(SiOxNy)等绝缘材料制成的绝缘层。
[0056] 如图她所示，在第一薄膜21和第二薄膜22中通过蚀刻工艺形成第一接触孔TH1，第 一接触孔THl贯穿第二薄膜22和第一薄膜21。由于在蚀刻过程中，第二薄膜22的蚀刻速率大 于第一薄膜21的蚀刻速率，因此可在第一薄膜21中形成具有正向锥度角的第一接触孔THl， 在第一次开接触孔后，膜层剖面具有如图6B的结构。
[0057] 具体地，在第一薄膜21和第二薄膜22中形成第一接触孔THl的蚀刻工艺具体包括： [005引在第二薄膜22上涂覆光阻（图未示）；
[0059]对该光阻进行曝光和显影，在将要制作第一接触孔THl的位置去除该光阻，而其他 位置保留该光阻；
[0060] 在该光阻的遮罩下对第一薄膜21和第二薄膜22进行蚀刻W形成第一接触孔THl;
[0061] 去除第二薄膜22上的该光阻。
[0062] 如图6C所示，在开设第一接触孔THl后，去除第一薄膜21上的第二薄膜22。在本发 明实施例中，不同于原有制作方法的是，在第一次开第一接触孔THl后，增加一次干蚀刻或 湿蚀刻制程，完全蚀刻掉第一薄膜21上的辅助性薄层即第二薄膜22, W将第二薄膜22完全 去除。
[0063] 考虑到成膜和蚀刻的均一性，为保证第二薄膜22的完全移除，在蚀刻去除第二薄 膜22时，采取一定比例（如5%-100% )的过蚀刻(over etching)，同时部分地去除第一薄膜 21。因作为辅助性薄层的第二薄膜22非常薄，W典型值200A计算，即使过蚀刻100%，蚀刻 后第一薄膜21的膜厚损失可能的最大值仅:2斯)為。对于第一薄膜21的膜厚变薄部分，可W 在第一薄膜21沉积成膜时进行相应的补偿性加厚。若第一薄膜21的下方是金属层（图未 示），对于第一接触孔THl内金属的损伤部分，因本发明增加的蚀刻所要蚀刻的第二薄膜22 非常薄，又第一薄膜21和第二薄膜22所代表的绝缘层对金属的蚀刻选择比通常比较大，对 第一接触孔T化内金属层的实际影响将非常有限，大多情况根本不需要相应对策，或仅需小 幅增加相应金属层膜厚即可。另外，本发明所增加的蚀刻不会改变第一接触孔THl的正向锥 度角，仅小幅增大了第一接触孔THl的尺寸。
[0064] 如图6D所示，在第一薄膜21上形成导电膜30,其中导电膜30填入第一接触孔THl 中。在开设第一接触孔THl后，通常紧随其后的是制作用于桥接作用的导电膜层，通过将导 电膜30填入第一接触孔THl中实现上层的导电膜30与下层金属或透明导电金属氧化物（图 未示)的桥接，如图6D。导电膜30可W是金属或透明导电金属氧化物如口 0(氧化铜锡）。导电 膜30的制作可W是先通过磁控瓣射(sputter)或热蒸发等方法在第一薄膜21上沉积形成一 层导电材料层，然后通过蚀刻工艺(如包括上光阻、曝光、显影、蚀刻、去光阻等步骤)对该导 电材料层进行刻蚀图形化，W在第一薄膜21上形成导电膜30,同时导电膜30填入第一接触 孔T化中与第一薄膜21下方的金属或透明导电金属氧化物(图未示)桥接。
[0065] 如图6E所示，在第一薄膜21上形成第=薄膜23,第=薄膜23覆盖导电膜30。本实施 例中，第S薄膜23具体可W是TFT阵列基板上的另一个绝缘层如层间绝缘层或绝缘保护层。 换句话说，第一薄膜21和第=薄膜23可W是TFT阵列基板上的两个绝缘层，例如第一薄膜21 是栅极绝缘层，第=薄膜23是层间绝缘层或绝缘保护层，或者第一薄膜21是层间绝缘层，第 =薄膜23是绝缘保护层。在同等蚀刻条件下，第=薄膜23的蚀刻速率大于第一薄膜21的蚀 刻速率，即在第一薄膜21上沉积一层蚀刻速率比第一薄膜21快的第=薄膜23。
[0066] 如图6E所示，在第=薄膜23上形成第四薄膜24。在同等蚀刻条件下，第四薄膜24的 蚀刻速率大于第=薄膜23的蚀刻速率，即在第=薄膜23上沉积一层蚀刻速率比第=薄膜23 快的辅助性薄层即第四薄膜24。第四薄膜24的厚度小于第=薄膜23的厚度，其中第四薄膜 24的厚度为50A~500A，优先地为IOOA~300A。
[0067] 第S薄膜23和第四薄膜24可通过PECVD等方法沉积形成，并可通过选择不同材料 或者通过控制沉积制程中的工艺参数等方式，使制得的第=薄膜23的蚀刻速率大于第一薄 膜21的蚀刻速率，第四薄膜24的蚀刻速率大于第=薄膜23的蚀刻速率，例如可通过控制沉 积制程中的工艺参数，使制得的第一薄膜21、第=薄膜23和第四薄膜24的致密程度不同，使 第=薄膜23的致密度小于第一薄膜21的致密度，第四薄膜24的致密度小于第=薄膜23的致 密度，从而使第=薄膜23的蚀刻速率大于第一薄膜21的蚀刻速率，第四薄膜24的蚀刻速率 大于第=薄膜23的蚀刻速率。第=薄膜23和第四薄膜24例如为由氧化娃（SiOx)、氮化娃 (Si化)或氮氧化娃(SiOxNy)等绝缘材料制成的绝缘层。
[0068] 如图6F所示，在第四薄膜24、第S薄膜23和第一薄膜21中通过蚀刻工艺形成第二 接触孔TH2,第二接触孔TH2贯穿第四薄膜24、第S薄膜23和第一薄膜21。由于在蚀刻过程 中，第=薄膜23的蚀刻速率大于第一薄膜21的蚀刻速率，第四薄膜24的蚀刻速率大于第= 薄膜23的蚀刻速率，因此可在第=薄膜23和第一薄膜21中形成具有正向锥度角的第二接触 孔TH2，在第二次开接触孔后，膜层剖面具有如图6F的结构。
[0069] 具体地，在第四薄膜24、第S薄膜23和第一薄膜21中形成第二接触孔T肥的蚀刻工 艺具体包括：
[0070] 在第四薄膜24上涂覆光阻（图未示）；
[0071] 对该光阻进行曝光和显影，在将要制作第二接触孔TH2的位置去除该光阻，而其他 位置保留该光阻；
[0072] 在该光阻的遮罩下对第四薄膜24、第=薄膜23和第一薄膜21进行蚀刻W形成第二 接触孔TH2;
[0073] 去除第四薄膜24上的该光阻。
[0074] 在图4所示的原有制作方法中，为了获得具有平滑正向锥度角的第二接触孔TH2， 第一薄膜21至第四薄膜24的蚀刻速率之间需要满足:R4>R3>R2>R1。进一步考虑到实际 生产中PECVD机台成膜膜质均一性和蚀刻机台的蚀刻速率均一性问题，实际应用中通常还 要求上下两层膜蚀刻速率差足够显著，如15% W上。因此，原有制作方法使第=薄膜23和第 四薄膜24的材质选择受到非常大的限制，材质选择变得非常困难。
[0075] 相比较而言，请参图5及图6A至图6F，在本发明实施例的制作方法中，只需满足:R4 >R3>R1和R2>R1。此时，第S薄膜23和第四薄膜24的膜质相比原有制作方法将有更大的 容许范围。为制作具有正向锥度角的第一接触孔THl，仅需满足R2>R1。为制作具有正向锥 度角的第二接触孔TH2,仅需满足R4>R3>R1，运显著增加了制程的灵活性，使得多层薄膜 多次开接触孔情形的孔锥度可W相对独立的控制。例如，当第一接触孔THl需要较小的正向 锥度角时，要求R2大幅快于R1。但当使用原有制作方法控制第二接触孔TH2的正向锥度角， 要求R4>R3>R2>R1，将使得第S薄膜23和第四薄膜24的膜质选择受到非常大的限制。实 际生产中可能出现的情况是，沉积同时满足蚀刻率、介电常数、隔绝水汽离子等多方面性能 要求的膜质变得非常困难。而本发明在第一次开接触孔(第一接触孔TH1)后，将第二薄膜22 完全去除，因此本发明在第二次开接触孔(第二接触孔T肥)时，第S薄膜23和第四薄膜24的 膜质选择将不再受到第二薄膜22的蚀刻速率R2的限制（只需满足R4>R3>R1即可），因此第 =薄膜23和第四薄膜24具有更大的材质选择空间，不会出现上述类似的问题。另外需要指 出的是，本发明相较原有制作方法将减小蚀刻制得的第二接触孔TH2的关键尺寸偏差，业内 称之为etch bias或CD bias,是指刻蚀前后的关键尺寸（Critical Dimension,CD)的偏差 (bias)值。
[0076] 图6A至图6F所示为本发明应用于TFT阵列基板的两层薄膜(第一薄膜21和第S薄 膜23)上两次开接触孔(第一接触孔THl和第二接触孔TH2)的制作步骤示意图。可W理解地， 本发明实施例的制作方法也可用于TFT阵列基板的更多层薄膜上更多次地开设接触孔的情 形，如应用于TFT阵列基板的S层薄膜上S次开接触孔的情形，在第一次开接触孔后将作为 辅助性薄层的第二薄膜去除，在第二次开接触孔后将作为辅助性薄层的第四薄膜去除，在 此基础上再形成第五薄膜和作为辅助性薄层的第六薄膜，然后再开设第=接触孔即可，具 体步骤可参照上述，在此不再寶述。
[0077] W上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽 然本发明已W较佳实施例掲露如上，然而并非用W限定本发明，任何熟悉本专业的技术人 员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述掲示的技术内容作出些许更动或修饰 为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对 W上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
【主权项】
1. 一种TFT阵列基板上多次开接触孔的制作方法，其特征在于，包括如下步骤： 在第一薄膜(21)上形成第二薄膜(22)，在同等蚀刻条件下，该第二薄膜(22)的蚀刻速 率大于该第一薄膜(21)的蚀刻速率； 在该第一薄膜(21)和该第二薄膜(22)中通过蚀刻工艺形成第一接触孔(TH1)，该第一 接触孔(??1)贯穿该第二薄膜(22)和该第一薄膜(21); 在开设该第一接触孔(TH1)后，去除该第一薄膜(21)上的该第二薄膜(22); 在该第一薄膜(21)上形成导电膜(30)，该导电膜(30)填入该第一接触孔(TH1)中； 在该第一薄膜(21)上形成第Ξ薄膜（23)，该第Ξ薄膜(23)覆盖该导电膜(30)，在同等 蚀刻条件下，该第Ξ薄膜(23)的蚀刻速率大于该第一薄膜(21)的蚀刻速率； 在该第Ξ薄膜(23)上形成第四薄膜(24)，在同等蚀刻条件下，该第四薄膜(24)的蚀刻 速率大于该第Ξ薄膜(23)的蚀刻速率； 在该第四薄膜(24)、该第Ξ薄膜(23)和该第一薄膜(21)中通过蚀刻工艺形成第二接触 孔(TH2)，该第二接触孔(TH2)贯穿该第四薄膜(24)、该第Ξ薄膜(23)和该第一薄膜(21)。2. 如权利要求1所述的TFT阵列基板上多次开接触孔的制作方法，其特征在于，该第四 薄膜(24)的致密度小于该第Ξ薄膜(23)的致密度，该第Ξ薄膜(23)及该第二薄膜(22)的致 密度小于该第一薄膜(21)的致密度。3. 如权利要求1所述的TFT阵列基板上多次开接触孔的制作方法，其特征在于，去除该 第一薄膜(21)上的该第二薄膜(22)具体方式包括:干蚀刻或湿蚀刻。4. 如权利要求3所述的TFT阵列基板上多次开接触孔的制作方法，其特征在于，在蚀刻 去除该第二薄膜(22)时，是采取一定比例的过蚀刻将该第二薄膜(22)完全去除，同时部分 地去除该第一薄膜(21)。5. 如权利要求1所述的TFT阵列基板上多次开接触孔的制作方法，其特征在于，该第二 薄膜(22)的厚度小于该第一薄膜(21)的厚度，该第四薄膜(24)的厚度小于该第Ξ薄膜(23) 的厚度。6. 如权利要求3所述的TFT阵列基板上多次开接触孔的制作方法，其特征在于，该第二 薄膜(22)和该第四薄膜(24)的厚度为50或~500Λ。7. 如权利要求1所述的TFT阵列基板上多次开接触孔的制作方法，其特征在于，该第一 薄膜(21)、该第二薄膜(22)、该第Ξ薄膜(23)和该第四薄膜(24)为由绝缘材料制成的绝缘 层。8. 如权利要求1所述的TFT阵列基板上多次开接触孔的制作方法，其特征在于，在该第 一薄膜(21)和该第二薄膜(22)中形成该第一接触孔(??1)的蚀刻工艺具体包括： 在该第二薄膜(22)上涂覆光阻； 对该光阻进行曝光和显影，在将要制作该第一接触孔(TH1)的位置去除该光阻，而其他 位置保留该光阻； 在该光阻的遮罩下对该第一薄膜(21)和该第二薄膜(22)进行蚀刻W形成该第一接触 孔(TH1); 去除该第二薄膜(22)上的该光阻。9. 如权利要求1所述的TFT阵列基板上多次开接触孔的制作方法，其特征在于，在该第 四薄膜(24)、该第Ξ薄膜(23)和该第一薄膜(21)中形成该第二接触孔(TH2)的蚀刻工艺具 体包括： 在该第四薄膜(24)上涂覆光阻； 对该光阻进行曝光和显影，在将要制作该第二接触孔(TH2)的位置去除该光阻，而其他 位置保留该光阻； 在该光阻的遮罩下对该第四薄膜(24)、该第Ξ薄膜(23)和该第一薄膜(21)进行蚀刻W 形成该第二接触孔(TH2); 去除该第四薄膜(24)上的该光阻。10.如权利要求1至9任一项所述的TFT阵列基板上多次开接触孔的制作方法，其特征在 于，所述第一薄膜(21)和所述第Ξ薄膜(23)为TFT阵列基板上的两个绝缘层。
【文档编号】H01L21/768GK105845623SQ201610242411
【公开日】2016年8月10日
【申请日】2016年4月19日
【发明人】何佳新, 郑立彬
【申请人】昆山龙腾光电有限公司