电子部件装置的制造方法和电子部件密封用片的制作方法

电子部件装置的制造方法和电子部件密封用片的制作方法
【专利摘要】一种电子部件装置的制造方法，包括：工序A，准备将电子部件固定在支撑体上的层叠体；工序B，准备电子部件密封用片；工序C，在电子部件上配置电子部件密封用片；工序D，对电子部件密封用片进行升温直至电子部件密封用片在探针初粘试验中的探针初粘力达到10gf以上为止，将电子部件密封用片临时固定于电子部件；和工序E，将电子部件埋入所述电子部件密封用片，形成电子部件被埋入电子部件密封用片的密封体。
【专利说明】
电子部件装置的制造方法和电子部件密封用片
技术领域
[0001] 本发明设及电子部件装置的制造方法和电子部件密封用片。
【背景技术】
[0002] W往，作为半导体装置的制造方法，已知有在将固定于基板等上的1个或多个半导 体忍片用密封树脂密封后，将密封体切割为半导体装置单元的封装体的方法。作为此种密 封树脂，例如已知有由热固化性树脂构成的密封用片(例如参照专利文献1)。
[0003] 现有技术文献
[0004] 专利文献
[0005] 专利文献1:日本特开2006-19714号公报

【发明内容】

[0006] 发明要解决的问题
[0007] 通过上述方法制造电子部件装置的情况下，为了使得密封用片位于固定于基板等 支撑体上的电子部件（例如、半导体忍片）上，需要进行位置对准来进行配置。然而，密封用 片通常有粘合性。因此，在位置对准时，若在发生了位置偏移的状态下将密封用片配置(载 放)在电子部件上，则发生贴附，变得不能剥离。其结果，有不能重新进行位置对准的问题。 另外，有如下问题:在由于装置故障等而使密封用片发生落下等的情况下，密封用片贴附于 各种装置，成为污染的原因。
[0008] 本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的在于，提供一种电子部件装置的制造方 法和能够用于该电子部件装置的制造方法中的电子部件密封用片，所述电子部件装置的制 造方法在将电子部件固定在支撑体上的电子部件上配置电子部件密封用片时，位置对准变 得容易，并且即便电子部件密封用片落下，也能够抑制对各种装置的污染。
[0009] 用于解决问题的手段
[0010] 本申请发明人等发现，通过采用下述的构成，能够解决上述的课题，从而完成了本 发明。
[0011] 目P，本发明的电子部件装置的制造方法的特征在于，包括：
[0012] 工序A，准备将电子部件固定在支撑体上的层叠体；
[0013] 工序B，准备电子部件密封用片；
[0014] 工序C，在上述电子部件密封用片在探针初粘试验中的探针初粘(probe tack)力 为5奸W下的条件下，在上述电子部件上配置上述电子部件密封用片；
[0015] 工序D，在上述电子部件上配置有上述电子部件密封用片的状态下，对上述电子部 件密封用片进行升溫直至上述电子部件密封用片在探针初粘试验中的探针初粘力达到 10奸W上为止，将上述电子部件密封用片临时固定于上述电子部件;和
[0016] 工序E，将上述电子部件埋入上述电子部件密封用片，形成上述电子部件被埋入上 述电子部件密封用片的密封体。
[0017] 根据本发明的电子部件装置的制造方法，在电子部件上配置电子部件密封用片的 工序(工序C)中，电子部件密封用片在探针初粘试验中的探针初粘力为5gfW下，近乎没有 粘合性。因此，在电子部件上配置电子部件密封用片的工序(工序C)中，假设即便在产生了 位置偏移的状态下配置(载放)电子部件密封用片，也能够容易地重新配置。另外，在电子部 件上配置电子部件密封用片的工序(工序C)中，由于电子部件密封用片近乎没有粘合性，所 W即便因装置故障等而发生电子部件密封用片落下等，也能够抑制对各种装置的污染。
[0018] 另外，在电子部件上配置有电子部件密封用片的状态下，对上述电子部件密封用 片进行升溫，直至上述电子部件密封用片在探针初粘试验中的探针初粘力为lOgfW上，将 上述电子部件密封用片临时固定于上述电子部件(工序D)。因此，完成位置对准后，能够体 现出粘合性而进行固定(临时固定）。
[0019] 另外，工序D之后，将上述电子部件埋入上述电子部件密封用片，形成上述电子部 件被埋入上述电子部件密封用片的密封体(工序E)。由于没有发生电子部件与电子部件密 封用片之间的位置偏移，因而由该密封体制造的电子部件装置的成品率变好。
[0020] 在上述构成中，优选上述电子部件密封用片在探针初粘试验中的探针初粘力在25 °(：为5奸W下，并且在40°C为10奸W上。
[0021] 若上述电子部件密封用片在探针初粘试验中的探针初粘力在25Γ为5gfW下、并 且在40°C为lOgfW上，则即便不将电子部件密封用片冷却至低溫(例如-10~5°C左右），在 25°CW下的程度的常溫(例如15-25Γ左右)的条件下也能够几乎不体现粘合性。另外，在要 体现粘合性时，只要升溫至40°C左右W上即可。因此，能够容易地进行工序C和工序D。
[0022] 在上述构成中，优选上述工序C是在25°CW下的条件下在上述电子部件上配置上 述电子部件密封用片的工序，上述工序D是将上述电子部件密封用片升溫至4(TCW上，将上 述电子部件密封用片临时固定于上述电子部件的工序。
[0023] 若上述工序C为在25°CW下的条件下在上述电子部件上配置上述电子部件密封用 片的工序，则在上述工序C的阶段中，上述电子部件密封用片不贴附于上述电子部件。因此， 能够容易地进行位置对准。
[0024] 另外，若上述工序D为将上述电子部件密封用片升溫至4(TCW上，将上述电子部件 密封用片临时固定于上述电子部件的工序，则借助上述工序D，上述电子部件密封用片体现 出粘合性，粘附于上述电子部件。因此，能够可靠地进行固定(临时固定）。
[0025] 另外，本发明的电子部件密封用片的特征在于，在探针初粘试验中的探针初粘力 在25°C为5奸W下，并且在40°C为10奸W上。
[0026] 根据上述构成，由于探针初粘试验中的探针初粘力在25°C为5奸W下、并且在40°C 为10奸W上，因而即便不冷却至低溫(例如-10~5°C左右），在25°CW下的程度的常溫(例如 15-25Γ左右）的条件下，也能够几乎不体现粘合性。另外，在要体现粘合性时，只要升溫至 4(TC左右W上即可。因此，电子部件密封用片的可操作性优异。尤其能够适宜地用于上述电 子部件装置的制造方法。
[0027] 发明的效果
[0028] 根据本发明，可W提供一种电子部件装置的制造方法和能够用于该电子部件装置 的制造方法中的电子部件密封用片，在将电子部件固定在支撑体上的电子部件上配置电子 部件密封用片时，容易进行位置对准，并且即便电子部件密封用片落下也能够抑制对各种 装置的污染。
【附图说明】
[0029] 图1(a)是用于对本实施方式的半导体装置的制造方法进行说明的截面示意图， (b)是其俯视图。
[0030] 图2(a)是用于对本实施方式的半导体装置的制造方法进行说明的截面示意图， (b)是其俯视图。
[0031] 图3(a)是用于对本实施方式的半导体装置的制造方法进行说明的截面示意图， (b)是其俯视图。
[0032] 图4是表示在产生了位置偏移的状态下配置电子部件密封用片的状态的平面示意 图。
[0033] 图5是用于对本实施方式的半导体装置的制造方法进行说明的截面示意图。
[0034] 图6是用于对本实施方式的半导体装置的制造方法进行说明的截面示意图。
[0035] 图7是用于对本实施方式的半导体装置的制造方法进行说明的截面示意图。
[0036] 图8是用于对本实施方式的半导体装置的制造方法进行说明的截面示意图。
[0037] 图9是用于对本实施方式的半导体装置的制造方法进行说明的截面示意图。
[0038] 图10是用于对本实施方式的半导体装置的制造方法进行说明的截面示意图。
【具体实施方式】
[0039] W下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。但是，本发明不仅限于运些实施方 式。
[0040] 本实施方式的电子部件装置的制造方法至少包括：
[0041] 工序A，准备将半导体忍片固定在临时固定材料上的层叠体；
[0042] 工序B，准备在探针初粘试验中的探针初粘力在25°C为5gfW下、并且在40°C为 10奸W上的电子部件密封用片；
[0043] 工序C，在25°CW下的条件下，在上述半导体忍片上配置上述电子部件密封用片；
[0044] 工序D，在上述半导体忍片上配置有上述电子部件密封用片的状态下，将上述电子 部件密封用片升溫至4(TC W上，将上述电子部件密封用片临时固定于上述半导体忍片;和
[0045] 工序E，将上述半导体忍片埋入上述电子部件密封用片，形成上述半导体忍片被埋 入上述电子部件密封用片的密封体。
[0046] 目P，本实施方式中，对于本发明中的"将电子部件固定在支撑体上的层叠体"为"将 半导体忍片临时固定在临时固定材料上的层叠体"的情况进行说明。本实施方式是被称作 所谓的扇出(化n-out)型晶片级封装(WLP)的电子部件装置的制造方法。
[0047] 图1(a)是用于对本实施方式的半导体装置的制造方法进行说明的截面示意图，图 1(b)是其俯视图。图2(a)是用于对本实施方式的半导体装置的制造方法进行说明的截面示 意图，图2(b)是其俯视图。图3(a)是用于对本实施方式的半导体装置的制造方法进行说明 的截面示意图，图3(b)是其俯视图。图4是表示在发生了位置偏移的状态下配置电子部件密 封用片的状态的平面示意图。图5~图10是用于对本实施方式的半导体装置的制造方法进 行说明的截面示意图。需要说明的是，在图3(b)、图4中，为了便于说明，省略上侧加热板与 下侧加热板地进行描述。
[004引[层叠体准备工序]
[0049] 如图1(a)和图1(b)所示，在本实施方式的半导体装置的制造方法中，首先，准备将 半导体忍片53临时固定在临时固定材料60上的层叠体50(工序A)。在本实施方式中，临时固 定材料60相当于本发明的"支撑体"。另外，半导体忍片53相当于本发明的"电子部件"。层叠 体50例如可W如下所示地获得。
[0050] <临时固定材料准备工序〉
[0051 ]临时固定材料准备工序中，准备在支撑基材60b上层叠有热膨胀性粘合剂层60a的 临时固定材料60(参照图1(a))。需要说明的是，也可W取代热膨胀性粘合剂层，而使用射线 固化型粘合剂层。本实施方式中，对具备热膨胀性粘合剂层的临时固定材料60进行说明。
[0052] (热膨胀性粘合剂层）
[0053] 热膨胀性粘合剂层60a可W利用含有聚合物成分和发泡剂的粘合剂组合物形成。 作为聚合物成分(特别是基质聚合物），可W合适地使用丙締酸系聚合物(有时称作"丙締酸 类聚合物A")。作为丙締酸类聚合物A，可W列举将（甲基)丙締酸醋用作主单体成分的聚合 物。作为所述（甲基）丙締酸醋，例如可W列举（甲基）丙締酸烷基醋（例如甲醋、乙醋、丙醋、 异丙醋、下醋、异下醋、仲下醋、叔下醋、戊醋、异戊醋、己醋、庚醋、辛醋、2-乙基己醋、异辛 醋、壬醋、癸醋、异癸醋、十一烷基醋、十二烷基醋、十Ξ烷基醋、十四烷基醋、十六烷基醋、十 八烷基醋、二十烷基醋等烷基的碳原子数1~30、特别是碳原子数4~18的直链状或支链状 的烷基醋等)及（甲基)丙締酸环烷基醋(例如环戊醋、环己醋等)等。运些（甲基)丙締酸醋可 W单独使用，或者并用巧巾W上。
[0054] 需要说明的是，所述丙締酸类聚合物A也可凝聚力、耐热性、交联性等的改性 为目的，根据需要，含有与能够与所述（甲基)丙締酸醋共聚的其他单体成分对应的单元。作 为此种单体成分，例如可W列举丙締酸、甲基丙締酸、衣康酸、马来酸、富马酸、己豆酸、簇基 乙基丙締酸醋等含有簇基的单体;马来酸酢、衣康酸酢等含有酸酢基的单体；（甲基)丙締酸 径基乙醋、（甲基)丙締酸径基丙醋、（甲基)丙締酸径基下醋等含有径基的单体；（甲基)丙締 酷胺、N，N-二甲基（甲基）丙締酷胺、N-下基（甲基）丙締酷胺、N-径甲基（甲基）丙締酷胺、N- 径甲基丙烷（甲基）丙締酷胺等(N-取代或未取代)酷胺系单体；乙酸乙締醋、丙酸乙締醋等 乙締基醋系单体;苯乙締、曰-甲基苯乙締等苯乙締系单体；乙締基甲基酸、乙締基乙基酸等 乙締基酸系单体;丙締腊、甲基丙締腊等氯基丙締酸醋系单体；（甲基)丙締酸缩水甘油醋等 含有环氧基的丙締酸系单体；乙締、丙締、异戊二締、下二締、异下締等締控或二締系单体； (甲基）丙締酸氨基乙醋、（甲基）丙締酸N，N-二甲基氨基乙醋、（甲基）丙締酸叔下基氨基乙 醋等含有(取代或未取代)氨基的单体；（甲基）丙締酸甲氧基乙醋、（甲基)丙締酸乙氧基乙 醋等（甲基)丙締酸烷氧基烷基醋系单体;N-乙締基化咯烧酬、N-甲基乙締基化咯烧酬、N-乙 締基化晚、N-乙締基赃晚酬、N-乙締基喀晚、N-乙締基赃嗦、N-乙締基化嗦、N-乙締基化咯、 N-乙締基咪挫、N-乙締基嗯挫、N-乙締基吗嘟、N-乙締基己内酷胺等具有含有氮原子的环的 单体;N-乙締基簇酸酷胺类;苯乙締横酸、締丙基横酸、（甲基)丙締酷胺丙烷横酸、（甲基)丙 締酸横基丙醋等含有横酸基的单体;2-径基乙基丙締酷基憐酸醋等含有憐酸基的单体;N- 环己基马来酷亚胺、N-异丙基马来酷亚胺、N-月桂基马来酷亚胺、N-苯基马来酷亚胺等马来 酷亚胺系单体;N-甲基衣康酷亚胺、N-乙基衣康酷亚胺、N-下基衣康酷亚胺、N-辛基衣康酷 亚胺、N-2-乙基己基衣康酷亚胺、N-环己基衣康酷亚胺、N-月桂基衣康酷亚胺等衣康酷亚胺 系单体;N-(甲基)丙締酷氧基亚甲基班巧酷亚胺、N-(甲基)丙締酷基-6-氧基六亚甲基班巧 酷亚胺、N-(甲基)丙締酷基-8-氧基八亚甲基班巧酷亚胺等班巧酷亚胺系单体；（甲基)丙締 酸聚乙二醇、（甲基)丙締酸聚丙二醇等乙二醇系丙締酸醋单体；（甲基)丙締酸四氨慷基醋 等具有含有氧原子的杂环的单体;氣系（甲基)丙締酸醋等含有氣原子的丙締酸醋系单体； 娃酬系（甲基)丙締酸醋等含有娃原子的丙締酸醋系单体；己二醇二（甲基)丙締酸醋、（聚） 乙二醇二（甲基)丙締酸醋、（聚)丙二醇二（甲基)丙締酸醋、新戊二醇二（甲基)丙締酸醋、季 戊四醇二（甲基)丙締酸醋、Ξ径甲基丙烷Ξ(甲基)丙締酸醋、季戊四醇Ξ(甲基)丙締酸醋、 二季戊四醇六（甲基)丙締酸醋、环氧丙締酸醋、聚醋丙締酸醋、氨基甲酸醋丙締酸醋、二乙 締基苯、下二醇二（甲基)丙締酸醋、己二醇二（甲基)丙締酸醋等多官能单体等。
[0055] 所述丙締酸类聚合物A可W通过对单一单体或巧巾W上的单体混合物实施聚合而 得到。聚合可W利用溶液聚合(例如自由基聚合、阴离子聚合、阳离子聚合等）、乳液聚合、本 体聚合、悬浮聚合、光聚合(例如紫外线(UV)聚合等)等任意一种方式来进行。
[0056] 丙締酸类聚合物A的重均分子量没有特别限制，然而优选为35万~100万，更优选 为45万~80万左右。
[0057] 另外，在热膨胀性粘合剂中，为了调整粘合力，也可W适当地使用外部交联剂。作 为外部交联方法的具体方法，可W列举添加聚异氯酸醋化合物、环氧化合物、氮丙晚化合 物、蜜胺系交联剂等所谓的交联剂并使之反应的方法。在使用外部交联剂的情况下，其使用 量可W根据与应当交联的基质聚合物的平衡，而且根据作为粘合剂的使用用途适当地决 定。外部交联剂的使用量一般而言相对于所述基质聚合物100重量份为20重量份W下(优选 为0.1重量份~10重量份）。
[0058] 热膨胀性粘合剂层60a如前所述，含有用于赋予热膨胀性的发泡剂。由此，通过在 临时固定材料60的热膨胀性粘合剂层60a上形成有密封体58的状态下(参照图6)，在任意的 时刻将临时固定材料60至少部分地加热，使该被加热了的热膨胀性粘合剂层60a的部分中 所含有的发泡剂发泡和/或膨胀，而使热膨胀性粘合剂层60a至少部分地膨胀，由于该热膨 胀性粘合剂层60a的至少部分的膨胀，与该膨胀了的部分对应的粘合面(与密封体58的界 面)变形为凹凸状，该热膨胀性粘合剂层60a与密封体58的粘接面积减少，由此，两者间的粘 接力减少，从而可W使密封体58从临时固定材料60剥离(参照图7)。
[0059] (发泡剂）
[0060] 作为热膨胀性粘合剂层60a中所用的发泡剂，没有特别限制，可W从公知的发泡剂 中适当地选择。发泡剂可W单独使用，或者组合使用巧巾W上。作为发泡剂，可W合适地使用 热膨胀性微小球。
[0061 ](热膨胀性微小球）
[0062]作为热膨胀性微小球，没有特别限制，可W从公知的热膨胀性微小球(各种无机系 热膨胀性微小球、有机系热膨胀性微小球等）中适当地选择。作为热膨胀性微小球，从易于 混合操作等观点考虑，可W合适地使用被微胶囊化了的发泡剂。作为此种热膨胀性微小球， 例如可W列举将异下烧、丙烷、戊烧等容易因加热而气化膨胀的物质内包于具有弹性的壳 内的微小球等。所述壳多由热烙融性物质或因热膨胀而破坏的物质形成。作为形成所述壳 的物质，例如可W列举偏二氯乙締-丙締腊共聚物、聚乙締醇、聚乙締醇缩下醒、聚甲基丙締 酸甲醋、聚丙締腊、聚偏二氯乙締、聚讽等
[0063] 热膨胀性微小球可W利用惯用的方法、例如凝聚法、界面聚合法等制造。需要说明 的是，作为热膨胀性微小球，例如可W使用松本油脂制药株式会社制的商品名"Matsumoto Microsphere"的系列（例如商品名''Matsumoto Microsphere F30"、商品名''Matsumoto Microsphere F301D''、商品名''Matsumoto Microsphere 巧00''、商品名''Matsumoto Microsphere FSOID''、商品名''Matsumoto Microsphere FSOSD''、商品名''Matsumoto Microsphere FSOVSr等），此外还可W使用EXPANC化公司制的商品名"05IDlf、商品名 %53Dlf、商品名巧51DIT、商品名巧51-20DIT、商品名巧51-80DIT等市售品。
[0064] 需要说明的是，在作为发泡剂使用了热膨胀性微小球的情况下，作为该热膨胀性 微小球的粒子直径(平均粒子直径），可W根据热膨胀性粘合剂层的厚度等适当地选择。作 为热膨胀性微小球的平均粒子直径，例如可W从lOOymW下(优选为80ymW下，更优选为Ιμπι ~50μπι，特别优选为Ιμπι~30μπι)的范围中选择。而且，热膨胀性微小球的粒子直径的调整既 可W在热膨胀性微小球的生成过程中进行，也可W在生成后利用分级等方法进行。作为热 膨胀性微小球，优选将粒子直径统一。
[0065] (其他发泡剂）
[0066] 本实施方式中，作为发泡剂，也可W使用热膨胀性微小球W外的发泡剂。作为此种 发泡剂，可W适当地选择使用各种无机系发泡、有机系发泡剂等各种发泡剂。作为无机系发 泡剂的代表的例子，例如可W列举碳酸锭、碳酸氨锭、碳酸氨钢、亚硝酸锭、棚氨化钢、各种 叠氮化物类等。
[0067] 另外，作为有机系发泡剂的代表的例子，例如可W列举水;Ξ氯单氣甲烧、二氯单 氣甲烧等氯氣化链烧控系化合物;偶氮二异下腊、偶氮二甲酯胺、偶氮二簇酸领等偶氮系化 合物;对甲苯横酷阱、二苯基讽-3,3/-二横酷基阱、4，少-氧代双(苯横酷阱）、締丙基双(横 酷阱)等阱系化合物;对甲苯横酷氨基脈、4，少-氧代双(苯横酷氨基脈)等氨基脈系化合物； 5-吗嘟代-1，2,3,4-嚷Ξ挫等Ξ挫系化合物;Ν，Ν^-二亚硝基五亚甲基四胺、Ν，Ν^-二甲基- Ν，Ν/-二亚硝基对苯二甲酯胺等Ν-亚硝基系化合物等。
[0068] 本实施方式中，由于利用加热处理，会使热膨胀性粘合剂层的粘接力有效并且稳 定地降低，因此优选具有直到体积膨胀率为5倍W上、优选为7倍W上、特别优选为10倍W上 之前不会破裂的适度的强度的发泡剂。
[0069] 发泡剂(热膨胀性微小球等）的配合量可W根据热膨胀性粘合剂层的膨胀倍率、粘 接力的降低性等适当地设定，然而一般相对于形成热膨胀性粘合剂层的基质聚合物100重 量份，例如为1重量份~150重量份(优选为10重量份~130重量份，更优选为25重量份~100 重量份）。
[0070] 本实施方式中，作为发泡剂，可W合适地使用发泡开始溫度（热膨胀开始溫度） (To)为80°C~210°C的范围的发泡剂，优选具有90°C~200°C (更优选为95°C~200°C，特别 优选为l〇〇°C~170°C)的发泡开始溫度。如果发泡剂的发泡开始溫度低于80°C，就会有因密 封体的制造时或使用时的热而使发泡剂发泡的情况，处置性、生产率降低。另一方面，在发 泡剂的发泡开始溫度大于210°C的情况下，对于支撑体和密封用片40而言需要有过度的耐 热性，在处置性、生产率或成本方面不够理想。而且，发泡剂的发泡开始溫度(To)相当于热 膨胀性粘合剂层的发泡开始溫度(To)。
[0071] 需要说明的是，作为使发泡剂发泡的方法（即，使热膨胀性粘合剂层热膨胀的方 法），可W从公知的加热发泡方法中适当地选择采用。
[0072] 本实施方式中，对于热膨胀性粘合剂层，从加热处理前的适度的粘接力与加热处 理后的粘接力的降低性的平衡的方面考虑，不含有发泡剂的形态下的弹性模量在23Γ~ 150°C优选为5X10咕a~lX106Pa，更优选为5X104Pa~8X105pa，特别优选为5X10咕a~5 X105Pa。如果热膨胀性粘合剂层的不含有发泡剂的形态下的弹性模量(溫度：23°C~150 °C)小于5X104Pa，则热膨胀性差，会有剥离性降低的情况。另外，在热膨胀性粘合剂层的不 含有发泡剂的形态下的弹性模量(溫度:23 °C~150°C)大于1 X 106化时，会有初期粘接性差 的情况。
[0073] 需要说明的是，不含有发泡剂的形态的热膨胀性粘合剂层相当于由粘合剂(不含 有发泡剂)形成的粘合剂层。因而，热膨胀性粘合剂层的不含有发泡剂的形态下的弹性模量 可W使用粘合剂(不含有发泡剂)测定。而且，热膨胀性粘合剂层可W利用含有能够形成23 °C~150°C的弹性模量为5 X 10咕a~1 X 10中a的粘合剂层的粘合剂、和发泡剂的热膨胀性粘 合剂形成。
[0074] 热膨胀性粘合剂层的不含有发泡剂的形态下的弹性模量采用如下的值，即，制作 没有添加发泡剂的形态的热膨胀性粘合剂层（即，借助不含有发泡剂的粘合剂的粘合剂层） (样品），使用Rheometric公司制动态粘弹性测定装置"ARES"，样品厚度约为1.5mm，使用 (p7.9mm平行板的夹具，利用剪切模式，W频率：1化、升溫速度:5°C/分钟、应变:〇. 1 % (23 °〇、0.3%(150°〇进行测定，采用在23°(：及150°(：得到的剪切储能模量(；/的值。
[0075] 热膨胀性粘合剂层的弹性模量可W通过调节粘合剂的基质聚合物的种类、交联 剂、添加剂等来控制。
[0076] 热膨胀性粘合剂层的厚度没有特别限制，可W根据粘接力的降低性等适当地选 择，例如为扣m~300皿(优选为20皿~150皿)左右。然而，在作为发泡剂使用热膨胀性微小 球的情况下，热膨胀性粘合剂层的厚度优选大于所含的热膨胀性微小球的最大粒子直径。 如果热膨胀性粘合剂层的厚度过薄，则会因热膨胀性微小球的凹凸而损害表面平滑性，降 低加热前(未发泡状态)的粘接性。另外，由加热处理造成的热膨胀性粘合剂层的变形度小， 粘接力难W顺杨地降低。另一方面，如果热膨胀性粘合剂层的厚度过厚，则在由加热处理造 成的膨胀或发泡后，容易在热膨胀性粘合剂层中产生凝聚破坏，会有在密封体58产生残胶 的情况。
[0077] 需要说明的是，热膨胀性粘合剂层可W是单层、多层的任意一种。
[0078] 本实施方式中，也可W在热膨胀性粘合剂层中，含有各种添加剂(例如着色剂、增 稠剂、增添剂、填充剂、增粘剂、增塑剂、抗老化剂、抗氧剂、表面活性剂、交联剂等）。
[0079] (支撑基材）
[0080] 支撑基材60b是成为临时固定材料60的强度母体的薄板状构件。作为支撑基材60b 的材料，只要考虑处置性、耐热性等适当地选择即可，例如可W使用SUS等金属材料、聚酷亚 胺、聚酷胺酷亚胺、聚酸酸酬、聚酸讽等塑料材料、玻璃或娃晶片等。它们当中，从耐热性或 强度、可再利用性等观点考虑，优选SUS板。
[0081] 支撑基材60b的厚度可W考虑所需的强度、处置性适当地选择，优选为100~5000μ m，更优选为300~2000皿。
[0082] (临时固定材料的形成方法）
[0083] 临时固定材料60可W通过在支撑基材60b上形成热膨胀性粘合剂层60a而得到。热 膨胀性粘合剂层例如可W利用将粘合剂、发泡剂(热膨胀性微小球等）、和根据需要使用的 溶剂或其他添加剂等混合、并制成片状的层的惯用的方法来形成。具体而言，例如可W利用 将含有粘合剂、发泡剂(热膨胀性微小球等）、W及根据需要使用的溶剂或其他添加剂的混 合物涂布在支撑基材60b上的方法;在适当的隔膜(剥离纸等)上涂布所述混合物而形成热 膨胀性粘合剂层、并将其转印（移送)到支撑基材60b上的方法等，来形成热膨胀性粘合剂 层。
[0084] (热膨胀性粘合剂层的热膨胀方法）
[0085] 本实施方式中，可W利用加热使热膨胀性粘合剂层热膨胀。作为加热处理方法，例 如可W利用加热平板、热风干燥机、近红外线灯、空气干燥器等恰当的加热工具来进行。加 热处理时的加热溫度只要是热膨胀性粘合剂层中的发泡剂(热膨胀性微小球等）的发泡开 始溫度(热膨胀开始溫度）W上即可，然而加热处理的条件可W根据由发泡剂（热膨胀性微 小球等）的种类等造成的粘接面积的减少性、包含支撑基材、半导体忍片的密封体等的耐热 性、加热方法(热容量、加热工具等)等适当地设定。作为一般的加热处理条件，是溫度l〇〇°C ~250°C、1秒~90秒(加热平板等)或5分钟~15分钟（热风干燥机等）。而且，加热处理可W 根据使用目的在恰当的阶段进行。另外，作为加热处理时的热源，有时也使用红外线灯、加 热水。
[0086] (中间层）
[0087] 本实施方式中，也可W在热膨胀性粘合剂层60a与支撑基材60b之间，设置W提高 密合力、提高加热后的剥离性等为目的的中间层(未图示）。其中，作为中间层优选设置橡胶 状有机弹性中间层。通过像运样设置橡胶状有机弹性中间层，就可W在将半导体忍片53与 临时固定材料60粘接时(参照图1(a))，使热膨胀性粘合剂层60a的表面良好地追随半导体 忍片53的表面形状，增大粘接面积，并且在从临时固定材料60将密封体58加热剥离时，可W 高度地(精度良好地)控制热膨胀性粘合剂层60a的加热膨胀，使热膨胀性粘合剂层60a在厚 度方向上优先地并且均匀地膨胀。
[0088] 需要说明的是，可W使橡胶状有机弹性中间层夹设于支撑基材60b的一面或两面。
[0089] 橡胶状有机弹性中间层例如优选利用基于ASTM D-2240的D型肖氏D型硬度为50W 下、特别是40W下的天然橡胶、合成橡胶或具有橡胶弹性的合成树脂形成。而且，即使像聚 氯乙締等那样在本质上为硬质系聚合物，也可W利用与增塑剂或柔软剂等配合剂的组合来 体现出橡胶弹性。此种组合物也可W作为所述橡胶状有机弹性中间层的构成材料使用。
[0090] 橡胶状有机弹性中间层例如可W利用将含有所述天然橡胶、合成橡胶或具有橡胶 弹性的合成树脂等橡胶状有机弹性层形成材料的涂布液涂布在基材上的方式(涂布法）；将 由所述橡胶状有机弹性层形成材料构成的膜、或预先在1层W上的热膨胀性粘合剂层上形 成了由所述橡胶状有机弹性层形成材料构成的层的层叠膜与基材粘接的方式(干式层压 法）；将含有基材的构成材料的树脂组合物与含有所述橡胶状有机弹性层形成材料的树脂 组合物共挤出的方式(共挤出法)等形成方法来形成。
[0091] 需要说明的是，橡胶状有机弹性中间层既可W由W天然橡胶、合成橡胶或具有橡 胶弹性的合成树脂作为主成分的粘合性物质形成，也可W由W该成分作为主体的发泡膜等 形成。发泡可w利用惯用的方法来进行，例如可w利用借助机械揽拌的方法、利用反应生成 气体的方法、使用发泡剂的方法、除去可溶性物质的方法、借助喷雾的方法、形成复合泡沫 塑料的方法、烧结法等来进行。
[0092] 橡胶状有机弹性中间层等中间层的厚度例如为扣m~300皿，优选为20皿~150皿 左右。而且，在中间层例如为橡胶状有机弹性中间层的情况下，如果橡胶状有机弹性中间层 的厚度过薄，则无法形成加热发泡后的Ξ维的结构变化，会有剥离性恶化的情况。
[0093] 橡胶状有机弹性中间层等中间层既可W是单层，也可W由2W上的层构成。
[0094] 需要说明的是，在中间层中，也可W在不损害临时固定材料的作用效果的范围中， 含有各种添加剂(例如着色剂、增粘剂、增添剂、填充剂、增稠剂、增塑剂、抗老化剂、抗氧剂、 表面活性剂、交联剂等）。
[00M]在上述临时固定用片60上将多个半导体忍片53W使其电路形成面53a与临时固定 用片60相面对的方式配置、临时固定(参照图1(a))。在半导体忍片53的临时固定中，可W使 用倒装片接合机、忍片接合机等公知的装置。
[0096] 半导体忍片53的配置的布局、配置数目可W根据临时固定用片60的形状或尺寸、 所需的封装体的生产数等适当地设定，例如可W使之整齐排列为多行并且多列的矩阵状地 配置。作为层叠体50(临时固定用片60)在俯视下的形状和尺寸，没有特别限定，可W形成例 如各边的长度分别为300mmW上的矩形、各边的长度分别为500mmW上的矩形。W上，表示出 层叠体准备工序的一例。
[0097] [准备电子部件密封用片的工序]
[0098] 另外，在本实施方式的电子部件装置的制造方法中，如图2(a)和图2(b)所示，准备 电子部件密封用片40( W下也称为"密封用片40")(工序B)。密封用片40可W W层叠在聚对 苯二甲酸乙二醇醋(PET)膜等剥离衬垫41上的状态准备。
[0099] (密封用片）
[0100] 密封用片40在探针初粘试验中的探针初粘力在25°C为5gfW下，优选为3gfW下， 更优选为IgfW下。另外，密封用片40在探针初粘试验中的探针初粘力在40°C为10奸W上， 优选为15gfW上，更优选为20gfW上。由于探针初粘试验中的探针初粘力在25°C为5gfW 下、并且在40°C为10奸W上，因而即便不冷却至低溫(例如-10~5°C左右），而在25°CW下左 右的常溫(例如15-25Γ左右）的条件下也能够几乎不体现粘合性。另外，在要体现粘合性 时，只要升溫至40°C左右W上即可。因此，能够容易地进行工序C和工序D。
[0101] 本发明中的探针初粘试验基于实施例记载的方法。
[0102] 探针初粘试验中的探针初粘力在25°C为5gfW下、并且在40°C为lOgfW上的密封 用片40例如可通过将添加的无机填充剂、体现粘合性的有机成分量的配合比进行优化而得 到。
[0103] 密封用片40在40°C~150°C的最低烙融粘度优选在50~20000Pa · S的范围内，更 优选为100~15000Pa · S的范围内，进一步优选为200~10000a · S的范围内。若密封用片40 在40°C~150°C的最低烙融粘度为50化· sW上，则能够抑制在密封体58形成时的构成密封 用片40的树脂在密封用片面方向的溢出。另外，若上述最低烙融粘度为20000Pa · sW下，贝U 能够适当地将半导体忍片53埋入。
[0104] 密封用片40的构成材料优选含有环氧树脂、W及作为固化剂的酪醒树脂。由此，可 w获得良好的热固化性。
[0105] 作为所述环氧树脂，没有特别限定。例如可W使用Ξ苯基甲烧型环氧树脂、甲酪线 性酪醒型环氧树脂、联苯型环氧树脂、改性双酪A型环氧树脂、双酪A型环氧树脂、双酪F型环 氧树脂、改性双酪F型环氧树脂、双环戊二締型环氧树脂、苯酪线性酪醒型环氧树脂、苯氧基 树脂等各种环氧树脂。运些环氧树脂既可W单独使用，也可W并用巧巾W上。
[0106] 从确保环氧树脂的固化后的初性及环氧树脂的反应性的观点考虑，优选环氧当量 为150~250、软化点或烙点为50~130 °C的在常溫下为固体的环氧树脂，其中，从可靠性的 观点考虑，更优选Ξ苯基甲烧型环氧树脂、甲酪线性酪醒型环氧树脂、联苯型环氧树脂。
[0107] 所述酪醒树脂只要是在与环氧树脂之间发生固化反应的酪醒树脂，就没有特别限 定。例如，可W使用苯酪线性酪醒树脂、苯酪芳烷基树脂、联苯基芳烷基树脂、双环戊二締型 酪醒树脂、甲酪线性酪醒树脂、甲阶酪醒树脂等。运些酪醒树脂既可W单独使用，也可W并 用2种W上。
[0108] 作为酪醒树脂，从与环氧树脂的反应性的观点考虑，优选使用径基当量为70~ 250、软化点为50~11(TC的酪醒树脂，其中，从固化反应性高的观点考虑，可W合适地使用 苯酪线性酪醒树脂。另外，从可靠性的观点考虑，也可W合适地使用苯酪芳烷基树脂或联苯 基芳烷基树脂之类的低吸湿性的酪醒树脂。
[0109] 对于环氧树脂与酪醒树脂的配合比例，从固化反应性的观点考虑，相对于环氧树 脂中的环氧基1当量，优选W使酪醒树脂中的径基的合计为0.7~1.5当量的方式配合，更优 选为0.9~1.2当量。
[0110] 密封用片40中的环氧树脂及酪醒树脂的合计含量优选为2.5重量％ ^上，更优选 为3.0重量％ ^上。如果为2.5重量％ ^上，则可W良好地获得对半导体忍片53的粘接力。密 封用片40中的环氧树脂及酪醒树脂的合计含量优选为20重量％ ^下，更优选为10重量％ W 下。如果为20重量％^下，则可W降低吸湿性。
[0111] 密封用片40优选含有热塑性树脂。由此，就可W获得未固化时的处置性、固化物的 低应力性。
[0112] 作为所述热塑性树脂，可W列举天然橡胶、下基橡胶、异戊二締橡胶、氯下橡胶、乙 締-乙酸乙締醋共聚物、乙締-丙締酸共聚物、乙締-丙締酸醋共聚物、聚下二締树脂、聚碳酸 醋树脂、热塑性聚酷亚胺树脂、6-尼龙或6,6-尼龙等聚酷胺树脂、苯氧基树脂、丙締酸类树 脂、PET或PBT等饱和聚醋树脂、聚酷胺酷亚胺树脂、氣树脂、苯乙締-异下締-苯乙締嵌段共 聚物等。运些热塑性树脂可W单独使用，或者并用巧巾W上地使用。其中，从低应力性、低吸 水性的观点考虑，优选苯乙締-异下締-苯乙締嵌段共聚物。
[0113] 密封用片40中的热塑性树脂的含量优选为1.5重量％^上，更优选为2.0重量％ W 上。如果为1.5重量％^上，则可W获得柔软性、晓性。密封用片40中的热塑性树脂的含量优 选为6重量％^下，更优选为4重量％^下。如果为4重量％^下，则对半导体晶片53的粘接 性良好。
[0114] 密封用片10优选含有无机填充剂。
[0115] 所述无机填充剂没有特别限定，可W使用W往公知的各种填充剂，例如可W列举 石英玻璃、滑石、二氧化娃(烙融二氧化娃或结晶性二氧化娃等）、氧化侣、氮化侣、氮化娃、 氮化棚的粉末。它们既可W单独使用，也可W并用巧中W上。其中，从可W良好地降低线膨胀 系数的理由考虑，优选二氧化娃、氧化侣，更优选二氧化娃。
[0116] 作为二氧化娃，优选二氧化娃粉末，更优选烙融二氧化娃粉末。作为烙融二氧化娃 粉末，可W列举球状烙融二氧化娃粉末、破碎烙融二氧化娃粉末，然而从流动性的观点考 虑，优选球状烙融二氧化娃粉末。其中，优选平均粒径为10~30WI1的范围，更优选为15~25μ m的范围。
[0117] 需要说明的是，平均粒径例如可W使用从总体中任意抽出的试样，使用激光衍射 散射式粒度分布测定装置进行测定，由此导出。
[0118] 密封用片40中的上述无机填充剂的含量相对于密封用片40整体优选为75~95重 量％，更优选为78~95重量％。若上述无机填充剂的含量相对于密封用片40整体为75重 量％ ^上，则将热膨胀率抑制得较低，由此能够抑制热冲击导致的机械性破坏。其结果，另 一方面，若上述无机填充剂的含量相对于密封用片40整体为95重量％^下，则柔软性、流动 性、粘接性更好。
[0119] 密封用片40优选含有固化促进剂。
[0120] 作为固化促进剂，只要是可W使环氧树脂与酪醒树脂的固化进行的物质，就没有 特别限定，例如可W列举Ξ苯基麟、四苯基鱗四苯基棚酸盐等有机憐系化合物;2-苯基-4， 5-二径基甲基咪挫、2-苯基-4-甲基-5-径基甲基咪挫等咪挫系化合物等。其中，从即使混炼 时的溫度升高也不会使固化反应急剧地推进、可W良好地制作密封用片40的理由考虑，优 选2-苯基-4，5-二径基甲基咪挫。
[0121] 对于固化促进剂的含量，相对于环氧树脂及酪醒树脂的合计100重量份优选为0.1 ~5重量份。
[0122] 密封用片40优选含有阻燃剂成分。由此，就可W减少因部件短路或放热等而着火 时的燃烧扩大。作为阻燃剂组成成分，例如可W使用氨氧化侣、氨氧化儀、氨氧化铁、氨氧化 巧、氨氧化锡、复合化金属氨氧化物等各种金属氨氧化物;憐腊系阻燃剂等。
[0123] 从即使是少量也会发挥阻燃效果的观点考虑，憐腊系阻燃剂中所含的憐元素的含 有率优选为12重量％ W上。
[0124] 对于密封用片40中的阻燃剂成分的含量，在全部有机成分(除去无机填料）中，优 选为10重量％^上，更优选为15重量％^上。如果为10重量％ ^上，则可W良好地获得阻燃 性。密封用片40中的热塑性树脂的含量优选为30重量％^下，更优选为25重量％^下。如果 为30重量％^下，则会有固化物的物性降低(具体而言，是玻璃化转变溫度或高溫树脂强度 等物性的降低)小的趋势。
[0125] 密封用片40优选含有硅烷偶联剂。作为硅烷偶联剂没有特别限定，可W列举3-环 氧丙氧基丙基Ξ甲氧基硅烷等。
[01%] 密封用片40中的硅烷偶联剂的含量优选为0.1~3重量％。如果为0.1重量％ W上， 则可W充分地获得固化物的强度，可W降低吸水率。如果为3重量％ ^下，则可W降低排出 气体量。
[0127]密封用片40优选被着色。由此，就可W发挥优异的标记性及外观性，能够形成具有 附加价值的外观的半导体装置。被着色了的密封用片40具有优异的标记性，因此可W实施 标记，赋予文字信息或图形信息等各种信息。特别是，通过控制着色的颜色，能够W优异的 观察性观察利用标记赋予的信息(文字信息、图形信息等）。此外，密封用片40也可W按照产 品来分色。在使密封用片40有色的情况下(并非无色、透明的情况），利用着色呈现出的颜色 没有特别限制，然而例如优选为黑色、蓝色、红色等浓色，特别适合为黑色。
[0128] 本实施方式中，所谓浓色，基本上是指L相帥*表色系统中规定的L*为60 W下（0~ 60)[优选为50 W下(0~50)，更优选为40 W下(0~40)]的浓的颜色。
[0129] 另外，所谓黑色，基本上是指L相帥*表色系统中规定的L*为35W下（0~35)[优选 为30W下(0~30)，更优选为25W下(0~25)]的黑色系色。而且，在黑色中，L*a*b*表色系统 中规定的a*、b*可W分别与L*的值对应地适当选择。作为a*、b*，例如，优选双方都为-10~ 10,更优选为-5~5,特别优选为-3~3的范围（其中优选为0或近乎0)。
[0130] 需要说明的是，本实施方式中，1^1^3^表色系统中规定的1^^曰^13^是通过使用色彩 色差计（商品名乂 R-200"美能达公司制；色彩色差计）测定而求出。而且，L*a*b*表色系统是 国际照明委员会(CIE)在1976年推荐的颜色空间，是指被称作CIE1976(L^n3^表色系统的 颜色空间。另外，表色系统在日本工业标准中，由JIS Z 8729规定。
[0131] 在将密封用片40着色时，可W与所需的颜色对应地使用色材(着色剂）。本发明的 密封用片既可W是一层构成，也可W由多个层构成，然而优选至少在与临时固定片相面对 的面的相反一面侧添加有着色剂。具体而言，在密封用片为1层构成的情况下，既可W在整 个密封用片中均匀地含有着色剂，也可着色剂侧重存在于与临时固定片相面对的面的 相反一面侧的方式含有着色剂。另外，在由多个层构成的情况下，也可W在与临时固定片相 面对的面的相反一面侧的层中添加着色剂，并且在其W外的层中不添加着色剂。本实施方 式中，对本发明的密封用片为1层构成的情况进行说明。运是因为，如果在密封用片的与临 时固定片相面对的面的相反一面侧添加着色剂，则可W提高被激光标记了的部分的可视 性。作为此种色材，可W合适地使用黑系色材、蓝系色材、红系色材等各种浓色系色材，特别 适合使用黑系色材。作为色材，可W是颜料、染料等中的任意一种。色材可W单独使用，或者 组合使用巧巾W上。而且，作为染料，无论是酸性染料、反应染料、直接染料、分散染料、阳离 子染料等哪种形态的染料都可W使用。另外，颜料的形态也没有特别限制，可W从公知的颜 料中适当地选择使用。
[0132] 特别是，如果作为色材使用染料，则会形成通过溶解而使染料均匀或大致均匀地 分散在密封用片40中的状态，因此可W容易地制造着色浓度均匀或大致均匀的密封用片 40，从而可W提高标记性、外观性。
[0133] 作为黑系色材，没有特别限制，然而例如可W从无机的黑系颜料、黑系染料中适当 地选择。另外，作为黑系色材，可W是混合蓝色(cyan)系色材(蓝绿系色材）、品红系色材(红 紫系色材)及黄系色材(黄色系色材)而得的色材混合物。黑系色材可W单独使用，或者组合 使用巧巾W上。当然也可W将黑系色材与黑色W外的颜色的色材并用。
[0134] 具体而言，作为黑系色材，例如可W列举炭黑（炉法炭黑、槽法炭黑、乙烘黑、热解 法炭黑、灯黑等）、石墨(gra地ite)、氧化铜、二氧化儘、偶氮系颜料(偶氮甲碱直接黑等）、苯 胺黑、巧黑、铁黑、花青黑、活性炭、铁氧体(非磁性铁氧体、磁性铁氧体等）、磁铁矿、氧化铭、 氧化铁、二硫化钢、铭络合物、复合氧化物系黑色色素、蔥酿系有机黑色色素等。
[01巧]本发明中，作为黑系色材，也可W利用C.I.溶剂黑3、C.I.溶剂黑7、C.I.溶剂黑22、 C. I.溶剂黑27、C. I.溶剂黑29、C. I.溶剂黑34、C. I.溶剂黑43、C. I.溶剂黑70、C. I.直接黑 17、(：.1.直接黑19、(：.1.直接黑22、(：.1.直接黑32、(：.1.直接黑38、(：.1.直接黑51、(：.1.直接 黑71、C. I.酸性黑1、C. I.酸性黑2、C. I.酸性黑24、C. I.酸性黑26、C. I.酸性黑31、C. I.酸性 黑48、C.I.酸性黑52、C.I.酸性黑107、C.I.酸性黑109、C.I.酸性黑110、C.I.酸性黑119、 C. I.酸性黑154; C. I.分散黑1、C. I.分散黑3、C. I.分散黑10、C. I.分散黑24等黑系染料； C. I.颜料黑1、C. I.颜料黑7等黑系颜料等。
[0136] 作为此种黑系色材，例如在市场上可W买到商品名％il Black BY"、商品名％il Black BS"、商品名 "Oil Black 皿护、商品名 "Oil Black 803"、商品名％il Black 860"、 商品名 "Oil Black 5970"、商品名 "Oil Black 590护、商品名 "Oil Black 5905" (Orient化 学工业株式会社制)等。
[0137] 作为黑系色材W外的色材，例如可W列举蓝色系色材、品红系色材、黄系色材等。 作为蓝色系色材，例如可W列举C.I.溶剂蓝25、C.I.溶剂蓝36、C.I.溶剂蓝60、C.I.溶剂蓝 70、C. I.溶剂蓝93、C. I.溶剂蓝95; C. I.酸性蓝6、C. I.酸性蓝45等蓝色系染料;C. I.颜料蓝 1、(：.1.颜料蓝2、(：.1.颜料蓝3、(：.1.颜料蓝15、(：.1.颜料蓝15:1、(：.1.颜料蓝15:2、(：.1.颜料 蓝15:3、C.I.颜料蓝15:4、C.I.颜料蓝15:5、C.I.颜料蓝15:6、C.I.颜料蓝16、C.I.颜料蓝 17、 (：.1.颜料蓝17:1、(：.1.颜料蓝18、(：.1.颜料蓝22、(：.1.颜料蓝25、(：.1.颜料蓝56、(：.1.颜 料蓝60、C.I.颜料蓝63、C.I.颜料蓝65、C.I.颜料蓝66;C.I.还原蓝4;C.I.还原蓝60、C.I.颜 料绿7等蓝色系颜料等。
[0138] 另外，在品红系色材中，作为品红系染料，例如可W列举C.I.溶剂红1、C.I.溶剂红 3、C. I.溶剂红8、C. I.溶剂红23、C. I.溶剂红24、C. I.溶剂红25、C. I.溶剂红27、C. I.溶剂红 30、C. I.溶剂红49、C. I.溶剂红52、C. I.溶剂红58、C. I.溶剂红63、C. I.溶剂红81、C. I.溶剂 红82、C. I.溶剂红83、C. I.溶剂红84、C. I.溶剂红100、C. I.溶剂红109、C. I.溶剂红111、C. I. 溶剂红121、C. I.溶剂红122 ; C. I.分散红9; C. I.溶剂紫8、C. I.溶剂紫13、C. I.溶剂紫14、 C. I.溶剂紫21、C. I.溶剂紫27 ;C. I.分散紫1; C. I.碱性红1、C. I.碱性红2、C. I.碱性红9、 C. I.碱性红12、C. I.碱性红13、C. I.碱性红14、C. I.碱性红15、C. I.碱性红17、C. I.碱性红 18、 C. I.碱性红22、C. I.碱性红23、C. I.碱性红24、C. I.碱性红27、C. I.碱性红29、C. I.碱性 红32、C. I.碱性红34、C. I.碱性红35、C. I.碱性红36、C. I.碱性红37、C. I.碱性红38、C. I.碱 性红39、C. I.碱性红40; C. I.碱性紫1、C. I.碱性紫3、C. I.碱性紫7、C. I.碱性紫10、C. I.碱性 紫14、C.I.碱性紫15、C.I.碱性紫2UC.I.碱性紫25、C.I.碱性紫26、C.I.碱性紫27、28等。
[0139] 在品红系色材中，作为品红系颜料，例如可W列举C.I.颜料红1、C.I.颜料红2、 C. I.颜料红3、C. I.颜料红4、C. I.颜料红5、C. I.颜料红6、C. I.颜料红7、C. I.颜料红8、C. I. 颜料红9、C. I.颜料红10、C. I.颜料红11、C. I.颜料红12、C. I.颜料红13、C. I.颜料红14、C. I. 颜料红15、C. I.颜料红16、C. I.颜料红17、C. I.颜料红18、C. I.颜料红19、C. I.颜料红21、 C. I.颜料红22、C. I.颜料红23、C. I.颜料红30、C. I.颜料红31、C. I.颜料红32、C. I.颜料红 37、C. I.颜料红38、C. I.颜料红39、C. I.颜料红40、C. I.颜料红41、C. I.颜料红42、C. I.颜料 红48:1、C. I.颜料红48:2、C. I.颜料红48:3、C. I.颜料红48:4、C. I.颜料红49、C. I.颜料红 49 :1、C. I.颜料红50、C. I.颜料红51、C. I.颜料红52、C. I.颜料红52 :2、C. I.颜料红53 :1、 C. I.颜料红54、C. I.颜料红55、C. I.颜料红56、C. I.颜料红57:1、C. I.颜料红58、C. I.颜料红 60、C. I.颜料红60 :1、C. I.颜料红63、C. I.颜料红63 :1、C. I.颜料红63 :2、C. I.颜料红64、 C. I.颜料红64:1、C. I.颜料红67、C. I.颜料红68、C. I.颜料红81、C. I.颜料红83、C. I.颜料红 87、C. I.颜料红88、C. I.颜料红89、C. I.颜料红90、C. I.颜料红92、C. I.颜料红101、C. I.颜料 红104、C.I.颜料红105、C.I.颜料红106、C.I.颜料红108、C.I.颜料红112、C.I.颜料红114、 C. I.颜料红122、C. I.颜料红123、C. I.颜料红139、C. I.颜料红144、C. I.颜料红146、C. I.颜 料红147、C. I.颜料红149、C. I.颜料红150、C. I.颜料红151、C. I.颜料红163、C. I.颜料红 166、(：.1.颜料红168、(：.1.颜料红170、(：.1.颜料红171、(：.1.颜料红172、(：.1.颜料红175、 C. I.颜料红176、C. I.颜料红177、C. I.颜料红178、C. I.颜料红179、C. I.颜料红184、C. I.颜 料红185、C. I.颜料红187、C. I.颜料红190、C. I.颜料红193、C. I.颜料红202、C. I.颜料红 206、(：.1.颜料红207、(：.1.颜料红209、(：.1.颜料红219、(：.1.颜料红222、(：.1.颜料红224、 C. I.颜料红238、C. I.颜料红245; C. I.颜料紫3、C. I.颜料紫9、C. I.颜料紫19、C. I.颜料紫 23、(：.1.颜料紫31、(：.1.颜料紫32、(：.1.颜料紫33、(：.1.颜料紫36、(：.1.颜料紫38、(：.1.颜料 紫43、C.I.颜料紫50;C.I.还原红1、C.I.还原红2、C.I.还原红10、C.I.还原红13、C.I.还原 红15、C.I.还原红23、C.I.还原红29、C.I.还原红35等。
[0140] 另外，作为黄系色材，例如可W列举C. I.溶剂黄19、C. I.溶剂黄44、C. I.溶剂黄77、 (：.1.溶剂黄79、(：.1.溶剂黄81、(：.1.溶剂黄82、(：.1.溶剂黄93、(：.1.溶剂黄98、(：.1.溶剂黄 103、C. I.溶剂黄104、C. I.溶剂黄112、C. I.溶剂黄162等黄系染料;C. I.颜料澄31、C. I.颜料 澄43; C. I.颜料黄1、C. I.颜料黄2、C. I.颜料黄3、C. I.颜料黄4、C. I.颜料黄5、C. I.颜料黄6、 (：.1.颜料黄7、(：.1.颜料黄10、(：.1.颜料黄11、(：.1.颜料黄12、(：.1.颜料黄13、(：.1.颜料黄14、 C. I.颜料黄15、C. I.颜料黄16、C. I.颜料黄17、C. I.颜料黄23、C. I.颜料黄24、C. I.颜料黄 34、C. I.颜料黄35、C. I.颜料黄37、C. I.颜料黄42、C. I.颜料黄53、C. I.颜料黄55、C. I.颜料 黄65、C. I.颜料黄73、C. I.颜料黄74、C. I.颜料黄75、C. I.颜料黄81、C. I.颜料黄83、C. I.颜 料黄93、C. I.颜料黄94、C. I.颜料黄95、C. I.颜料黄97、C. I.颜料黄98、C. I.颜料黄100、C. I. 颜料黄101、C. I.颜料黄104、C. I.颜料黄108、C. I.颜料黄109、C. I.颜料黄110、C. I.颜料黄 113、(：.1.颜料黄114、(：.1.颜料黄116、(：.1.颜料黄117、(：.1.颜料黄120、(：.1.颜料黄128、 (：.1.颜料黄129、(：.1.颜料黄133、(：.1.颜料黄138、(：.1.颜料黄139、(：.1.颜料黄147、(：.1.颜 料黄150、C.I.颜料黄151、C.I.颜料黄153、C.I.颜料黄154、C.I.颜料黄155、C.I.颜料黄 156、(：.1.颜料黄167、(：.1.颜料黄172、(：.1.颜料黄173、(：.1.颜料黄180、(：.1.颜料黄185、 C. I.颜料黄195; C. I.还原黄1、C. I.还原黄3、C. I.还原黄20等黄系颜料等。
[0141] 蓝色系色材、品红系色材、黄系色材等各种色材可W分别单独地使用，或者组合使 用巧巾W上。而且，在使用巧巾W上的蓝色系色材、品红系色材、黄系色材等各种色材的情况 下，作为运些色材的混合比例（或配合比例），没有特别限制，可W按照各色材的种类或所需 的颜色等适当地选择。
[0142] 作为密封用片40的基于可见光(波长:380nm~800nm)的光线透射率(可见光透射 率），没有特别限制，然而例如优选为20 %~0 %的范围，更优选为10 %~0 %，特别优选为 5%~0%。通过将密封用片40的可见光透射率设为20% W下，可W使印刷文字可视性良好。 另外还可W防止由光线通过造成的对半导体元件的不良影响。
[0143] 密封用片40的可见光透射率（％ )可W如下算出，即，制作厚度(平均厚度)为ΙΟμπι 的密封用片40,对该密封用片40(厚度:10μπ〇使用商品名"UV-2550"(岛津制作所制似给定 的强度照射波长为380nm~800nm的可见光。测定因该照射而透过密封用片40的可见光的光 强度，利用下式算出。
[0144] 可见光透射率（％ )=((密封用片40的透过后的可见光的光强度)/(可见光的初始 的光强度））X100
[0145] 需要说明的是，光线透射率（％)的所述算出方法也可w适用于厚度并非lOwn的密 封用片40的光线透射率（％)的算出。具体而言，可W利用郎伯比尔定律，如下所示地算出10 皿时的吸光度Aio。
[0146] Aio = aXLi〇XC (1)
[0147] 式中，Li日表示光路长，α表示吸光系数，C表示试样浓度。
[0148] 另外，厚度Χ(μπι)时的吸光度Αχ可W利用下述式(2)表示。
[0149] Ax = aXLxXC (2)
[0150] 此外，厚度20μπι时的吸光度A20可W利用下述式(3)表示。
[0151] Aio = -logioTio (3)
[0152] 式中，T10表示厚度ΙΟμπι时的光线透射率。
[0153] 根据所述式(1)~(3)，吸光度Αχ可W表示为：
[0154] Ax = Ai〇X(Lx/1io)
[015引=-[logi0(；Ti0)] X (Lx/Lio)
[0156] 由此，厚度X(皿)时的光线透射率Τχ(%)可W利用下述算出。
[0157] Tx=l〇-M
[015引其中，Ax = -[logio(Tio)] X (Lx/lio)
[0159] 本实施方式中，求密封用片的光线透射率（％ )时的密封用片的厚度(平均厚度)为 ΙΟμπι，然而该密封用片的厚度终究是求密封用片的光线透射率（％)时的厚度，而并不意味 着本发明的密封用片为10WI1。
[0160] 密封用片40的光线透射率（％ )可W利用树脂成分的种类或其含量、着色剂(颜料、 染料等)的种类或其含量、填充材料的种类或其含量等来控制。
[0161] 需要说明的是，在密封用片40中，在上述的各成分W外还可W根据需要适当地配 合其他的添加剂。
[0162] 密封用片40的厚度没有特别限定，从用作密封用片的观点和在埋入工序(工序Ε) 中能够将半导体忍片53适当埋入的观点出发，例如能够设为50皿~2000皿，优选为70皿~ 1200μπι，更优选为 1 ΟΟμπι ~700μπι。
[0163] 作为密封用片40的在俯视下的形状和尺寸，没有特别限定，优选为包含层叠体50 (参见图1(a))上的配置半导体忍片53的区域的形状和尺寸。另外，优选为与层叠体50同等 程度。只要为包含配置半导体忍片53的区域的形状和尺寸或者为与层叠体50同等程度，贝U 能够抑制半导体忍片53的埋入不良。更具体而言，可W形成例如各边的长度分别为300mmW 上的矩形、各边的长度分别为500mmW上的矩形。
[0164] 密封用片40的制造方法没有特别限定，然而优选制备用于形成密封用片40的树脂 组合物的混炼物、并涂布所得的混炼物的方法;将所得的混炼物塑性加工为片状的方法。由 此，就可W不使用溶剂地制作密封用片40,因此可W抑制半导体忍片53因挥发的溶剂而受 到的影响。
[0165] 具体而言，通过将后述的各成分用混合漉、加压式捏合机、挤出机等公知的混炼机 烙融混炼而制备混炼物，并将所得的混炼物利用涂布或塑性加工制成片状。作为混炼条件， 溫度优选为上述的各成分的软化点W上，例如为30~150°C，如果考虑环氧树脂的热固化 性，则优选为40~140°C，更优选为60~120°C。时间例如为1~30分钟，优选为5~15分钟。
[0166] 混炼优选在减压条件下(减压气氛下)进行。由此，就可W进行脱气，同时可W防止 气体向混炼物中的侵入。减压条件下的压力优选为〇.lkg/cm2W下，更优选为0.05kg/cm2W 下。减压下的压力的下限没有特别限定，然而例如为lXl(T4kg/cm2W上。
[0167] 涂敷混炼物而形成密封用片40时，优选烙融混炼后的混炼物不进行冷却而直接W 高溫状态原样涂敷。作为涂敷方法没有特别限制，可W列举:棒涂法、刀涂法、涂布流延头法 等。作为涂敷时的溫度，优选为上述的各成分的软化点W上，若考虑环氧树脂的热固化性及 成形性，则例如为40~150°C，优选为50~140°C，进一步优选为70~120°C。
[0168] 在对混炼物进行塑性加工而形成密封用片10的情况下，烙融混炼后的混炼物优选 不进行冷却而保持高溫状态不变地进行塑性加工。作为塑性加工方法没有特别限制，可W 举出平板压制法、T型模头挤出法、螺杆模头挤出法、漉压延法、漉混炼法、吹塑挤出法、共挤 出法、压延成形法等。作为塑性加工溫度优选为上述的各成分的软化点W上，如果考虑环氧 树脂的热固化性及成形性，则例如为40~150°C，优选为50~140°C，更优选为70~120°C。
[0169] 需要说明的是，密封用片40也可W如下得到，即，向适当的溶剂中溶解用于形成密 封用片40的树脂等，使之分散而制备清漆，将该清漆涂布而得到。
[0170] [配置密封用片与层叠体的工序]
[0171] 在准备密封用片的工序之后，如图3(a)和图3(b)所示，将临时固定有半导体忍片 53的面朝上，将层叠体50配置于下侧加热板62上，并且在层叠体50的临时固定有半导体忍 片53的面上配置密封用片40(工序C)。在该工序中，也可W首先在下侧加热板62上配置层叠 体50，之后，在层叠体50上配置密封用片40，也可W先在层叠体50上配置密封用片40，之后 将层叠体50与密封用片40层叠成的层叠物配置在下侧加热板62上。
[0172] 在本实施方式中，工序C在25°CW下的条件下进行。如上所述，密封用片40在探针 初粘试验中的探针初粘力在25°C为5奸W下。因此，通过在25°CW下的条件下进行工序C，能 够几乎不体现密封用片40的粘合性。因此，在工序C中，例如如图4所示，即便在发生了位置 偏移的状态下配置(载放)密封用片40,也能够容易地重新配置而如图3(b)所示那样配置于 正确的位置。另外，在工序C中，由于密封用片40几乎没有粘合性，因此即便由于装置故障等 而使密封用片40发生落下等，也能够抑制对各种装置的污染。进行上述工序別寸的溫度条件 从溫度越低则越能够降低密封用片40的粘合性的观点出发优选为20°CW下，更优选为15°C W下。
[0173] 另外，在本实施方式中，进行工序別寸的溫度条件的下限值没有特别限制，能够设 为例如-10°CW上。特别是，过度的冷却有可能使工序变得复杂，因而可W设为例如(TCW 上。
[0174] [将电子部件密封用片临时固定于半导体忍片工序]
[0175] 接着，在半导体忍片53上配置有密封用片40的状态(参见图3(a))下，将密封用片 40升溫至4(TCW上，将密封用片40临时固定于半导体忍片53(工序D)。如上所述，密封用片 40在探针初粘试验中的探针初粘力在40°C为lOgfW上。因此，通过将工序D中的密封用片40 的升溫设为40°CW上，在工序C中完成位置对准后能够体现出密封用片40的粘合性，从而在 半导体忍片53上固定（临时固定)密封用片40。工序D中的升溫溫度从溫度越高则越能提高 密封用片40的粘合性的观点出发优选为50°CW上，更优选为60°CW上。
[0176] 在本实施方式中，工序D中的升溫溫度的上限没有特别限制，例如可W设为100°C W下。其中，从密封用片40等的耐热性的观点出发，例如可W设为90°CW下。
[0177] 作为对密封用片40进行升溫的方法，没有特别限定，可W列举:对下侧加热板62与 上侧加热板64的两者或任一者进行升溫的方法;在烘箱内进行升溫的方法;利用来自干燥 器的热风进行升溫的方法。在本实施方式中，从工序的简化的观点出发，优选对下侧加热板 62和上侧加热板64的两者或任一者进行升溫的方法。
[0178] [形成密封体的工序]
[0179] 接着，如图5所示，利用下侧加热板62和上侧加热板64进行热压制，将半导体忍片 53埋入密封用片40,形成半导体忍片53被埋入密封用片40的密封体58(工序E)。密封用片40 作为用于保护半导体忍片53及其附带的要素免受外部环境影响的密封树脂发挥作用。由 此，可W得到临时固定于临时固定材料60上的半导体忍片53被埋入密封用片40的密封体 58。由于没有发生半导体忍片53与密封用片40之间的位置偏移，因此由密封体58制造的电 子部件装置的成品率变好。
[0180] 作为将半导体忍片53埋入密封用片40时的热压制条件，优选为能够将半导体忍片 53适当地埋入密封用片40中的程度，溫度例如为40~150°C，优选为60~120°C，压力例如为 0.1~1 OMPa，优选为0.5~8MPa，时间例如为0.3~10分钟，优选为0.5~5分钟。由此，可W得 到半导体忍片53被埋入密封用片40的电子部件装置。另外，若考虑到提高密封用片40的对 半导体忍片53和临时固定材料60的密合性及跟随性，则优选在减压条件下进行压制。
[0181] 作为上述减压条件，压力例如为0.1~化化，优选为0.1~lOOPa，减压保持时间（从 减压开始至压制开始为止的时间）例如为5~600秒，优选为10~300秒。
[0182] [剥离衬垫剥离工序]
[0183] 然后，将剥离衬垫41剥离(参照图6)。
[0184] [热固化工序]
[0185] 接着，使密封用片40热固化。具体而言，例如，对临时固定于临时固定材料60上的 半导体忍片53被埋入密封用片40中的密封体58整体进行加热。
[0186] 作为热固化处理的条件，加热溫度优选为lOOrW上，更优选为120°CW上。另一方 面，加热溫度的上限优选为200°CW下，更优选为180°CW下。加热时间优选为10分钟W上， 更优选为30分钟W上。另一方面，加热时间的上限优选为180分钟W下，更优选为120分钟W 下。另外，根据需要也可W进行加压，优选为O.lMPaW上，更优选为0.5MPaW上。另一方面， 上限优选为lOMPaW下，更优选为5MPaW下。
[0187] [热膨胀性粘合剂层剥离工序]
[0188] 接着，如图7所示，对临时固定材料60进行加热使热膨胀性粘合剂层60a发生热膨 胀，由此在热膨胀性粘合剂层60a与密封体58之间进行剥离。或者，也可W适当地采用:在支 撑基材60b与热膨胀性粘合剂层60a之间的界面进行剥离，之后在热膨胀性粘合剂层60a与 密封体58之间的界面进行利用热膨胀的剥离运样的步骤。不论在任一情况下，通过对热膨 胀性粘合剂层60a进行加热使之热膨胀而使其粘合力下降，能够容易地进行在热膨胀性粘 合剂层60a与密封体58之间的界面处的剥离。作为热膨胀的条件，可适宜地采用在上述的 "热膨胀性粘合剂层的热膨胀方法"的栏的条件。热膨胀性粘合剂层特别优选为:在上述热 固化工序的加热中不发生剥离，而在该热膨胀性粘合剂层剥离工序中的加热中发生剥离的 构成。
[0189] [对密封用片进行磨削的工序]
[0190] 接着，根据需要，如图8所示，对密封体58的密封用片40进行磨削而使半导体忍片 53的背面53c裸露。作为对密封用片40进行磨削的方法，没有特别限定，可列举例如使用高 速旋转的砂轮的研磨(gr ind ing)法。
[0191] (再布线形成工序）
[0192] 在本实施方式中，优选还包括:在密封体58的半导体忍片53的电路形成面53a形成 再布线69的再布线形成工序。在再布线形成工序中，在上述临时固定材料60的剥离后，在密 封体58上形成与上述露出的半导体忍片53连接的再布线69(参照图9)。
[0193] 作为再布线的形成方法，例如可W在露出的半导体忍片53上利用真空成膜法等公 知的方法形成金属巧晶层，利用半加成法等公知的方法形成再布线69。
[0194] 然后，可W在再布线69和密封体58上形成聚酷亚胺、PB0等绝缘层。
[0195] (凸块形成工序）
[0196] 接着，可W进行在形成的再布线69上形成凸块67的植球(bumping)加工（参见图 9)。植球加工可W利用焊料球、焊料锻等公知的方法进行。
[0197] (切割工序）
[0198] 最后，进行由半导体忍片53、密封用片40和再布线69等要素构成的层叠体的切割 (参见图10)。由此，可W得到在忍片区域的外侧引出布线的半导体装置59。
[0199] 在上述的实施方式中，对于准备探针初粘试验中的探针初粘力在25°C为5gfW下、 并且在40°C为lOgfW上的密封用片40(工序B)，在25°CW下的条件下在半导体忍片53上配 置密封用片53(工序C)，在半导体忍片53上配置有密封用片40的状态下，将密封用片40升溫 至4(TCW上，将密封用片40临时固定于半导体忍片53(工序D)的情况进行了说明。
[0200] 然而，在本发明的电子部件装置的制造方法中，也可W不使用探针初粘试验中的 探针初粘力在25°c为5奸W下、并且在40°C为10奸W上的密封用片40。
[0201] 例如，作为电子部件密封用片，可W使用在室溫(例如10-35°C左右)为10奸W上的 电子部件密封用片、即在室溫具有一定程度的粘合性的电子部件密封用片。运种情况下，可 W在电子部件密封用片几乎不体现粘合性的溫度条件下、即电子部件密封用片在探针初粘 试验中的探针初粘力为5奸W下的条件下(例如-10~5°C左右)进行工序C，通过将电子部件 密封用片升溫(例如利用加热的升溫或自然升溫)至室溫来进行工序D。具体来说，例如可W 设为:预先将电子部件密封用片冷藏或冷冻，在该状态进行工序C，工序C完成后，将电子部 件密封用片升溫至室溫。即便是运样的方法，也能够容易地进行电子部件密封用片的位置 对准，并且在位置对准后能够进行固定(临时固定）。
[0202] 需要说明的是，在室溫（例如10-35°C左右）为lOgfW上的电子部件密封用片例如 可W使用与在上文中说明的密封用片40同样的构成材料并且适当调整各构成材料的配合 量而得到。另外，可W采用W往公知的电子部件密封用片。
[0203] 本发明只要进行上述工序A、上述工序B、上述工序C、上述工序D和上述工序E即可， 此外的工序是可选的，可W进行也可W不进行。
[0204] 在上述的实施方式中，对本发明的"支撑体"为临时固定材料60的情况进行了说 明。然而，本发明中的"层叠体"不限于该例子，只要是在具有一定程度的强度的支撑体上固 定有半导体忍片的层叠体既可。作为本发明中的"层叠体"的其他例子，例如可w列举："半 导体忍片被倒装忍片接合在半导体晶片的电路形成面上的层叠体"。
[0205] 另外，在上述的实施方式中，对本发明的"电子部件"为半导体忍片53的情况进行 了说明。然而，本发明中的"电子部件"并不限定于此例。作为本发明的电子部件，可W列举 传感器、MEMS(Mic;ro Electro Mechanical Systems)、SAW(Surface Acoustic Wave)滤波 器等具有中空结构的电子器件（中空型电子器件）；半导体忍片、IC(集成电路）、晶体管等半 导体元件；电容器;电阻等。而且，所谓中空结构，是指电子器件与搭载有电子器件的基板之 间是中空的结构。
[0206] 实施例
[0207] W下，使用实施例对本发明进行详细说明，然而本发明只要不超出其主旨，就不受 W下的实施例限定。另外，各例中，份只要没有特别指出，就是重量基准。
[0208] 对在实施例中使用的成分进行说明。
[0209] 环氧树脂：新日铁化学株式会社制的YSLV-80XY(双酪F型环氧树脂、环氧当量 200g/eq.软化点 80°C)
[0210]酪醒树脂A:明和化成社制的MEH-7851-SS巧有联苯基芳烷基骨架的酪醒树脂、径 基当量203g/eq.软化点67°C、）
[0211] 酪醒树脂B:昭和高分子社制的ND564(线性酪醒树脂、径基当量107g/eq.软化点60 °〇
[0212] 热塑性树脂:立菱丽阳社制METABLEN J-5800 (MBS树脂、一次粒径0.5皿）
[0213] 无机填充剂：电化学工业社制的FB-9454FC(烙融球状二氧化娃、平均粒径20μπι)
[0214] 炭黑:Ξ菱化学社制的#20
[0215] 固化促进剂：四国化成工业社制的2Ρ监-PW(2-苯基-4，5-二径基甲基咪挫）
[0216] [实施例和比较例]
[0217] <实施例1~3及比较例1〉
[0218] 依据表1所述的配合比，配合各成分，利用漉炼机在60~120°C、10分钟、减压条件 下（O.Olkg/cm2)进行烙融混炼，制备了混炼物。接着，将所得到的混炼物W用2张50WI1的保 护膜(Ξ菱树脂社制：商品名"MRF")夹着的方式配置，通过平板压制法将混炼物形成为片 状，制作了厚度200WI1的密封用片。
[0219] <实施例4〉
[0220] 依据表1所述的配合比，将环氧树脂、酪醒树脂、热塑性树脂和无机填充剂W固体 含量浓度为95%的方式添加进有机溶剂MEK(甲乙酬）中，进行揽拌。揽拌使用行星揽拌机 (株式会社化inky制），W80化pm的旋转进行5分钟。之后，依据表1所述的配合比，进一步配 合炭黑和固化促进剂，W固体含量浓度达到90%的方式添加 MEK，进而W8(K)巧m揽拌3分钟， 得到了涂敷液。
[0221] 之后，将涂敷液涂布在经娃酬脱模处理的厚度为50皿的聚对苯二甲酸乙二醇醋膜 上，在12(TC干燥3分钟，由此制作了厚度100μπι的树脂片。进而，将制作的树脂片利用漉式层 压机在90°C进行贴合，由此制作了厚度500μπι的密封用片。
[0222] [探针初粘力的测定]
[0223] 在粘弹性测定装置(ΤΑ仪器公司制的RSA-3)中安装两张8讯衍(Ρ(直径8mm、洲S)的 板。将密封用片用双面胶带固定于2张板之中的下侧的板后，在25°C气氛下使上侧的板(探 针）下降，由此WlOOg的载重将上侧的板压靠于密封用片1秒钟。之后，使上侧的板上升，由 此测定将上侧的板从密封用片剥离所需的载重。
[0224]另外，在40°C气氛下也进行同样的测定。
[02巧]将结果示于表1中。
[02%][再加工性评价]
[0227] 在室溫（25°C)于氧化侣基板(尺寸70mm见方、厚度0.25mm)上载放密封用片（尺寸 65mm见方、厚度200μπι)，1分钟后，用綴子夹着密封用片的端部提起。仅提起了密封用片的情 况作为0,基板与树脂片粘附着提起的情况作为X。将结果示于表1中。
[0228] [位置偏移评价]
[0229] 在氧化侣基板(尺寸70mm见方、厚度0.25mm)上载放密封用片(尺寸65mm见方、厚度 200μπι)后，在4(TC的加热板上静置5分钟，将氧化侣基板和密封用片装入真空包装容器 (侣·蒸煮用Ξ面袋、白色型、HA-1013H、尺寸100mmX130mm)，在90°C、lto;r;r的条件下进行 真空包装。将氧化侣基板和密封用片W每个真空包装容器为单位在15(TC加热1小时，使密 封用片固化。将真空包装容器放置冷却至室溫后，从真空包装容器中取出由氧化侣基板和 密封用片的固化物构成的层叠物，确认密封用片的固化物是否从当初的位置偏移。对30个 层叠物确认位置偏移，对发生位置偏移的层叠物的个数进行计数。
[0230] ((发生位置偏移的层叠物的个数/层叠物30个）X 100)所示的比例为10% W下的 情况判定为0,大于10%的情况判定为X。将结果示于表1中。
[0231] 表 1
[0232]
[0233] 符号说明
[0234] 40电子部件密封用片(密封用片）
[0235] 50层叠体
[0236] 53半导体忍片
[0237] 58密封体
[0238] 59半导体装置
[0239] 60临时固定材料
【主权项】
1. 一种电子部件装置的制造方法，其特征在于，包括： 工序A，准备将电子部件固定在支撑体上的层叠体； 工序B，准备电子部件密封用片； 工序C，在所述电子部件密封用片在探针初粘试验中的探针初粘力为5gf以下的条件 下，在所述电子部件上配置所述电子部件密封用片； 工序D，在所述电子部件上配置有所述电子部件密封用片的状态下，对所述电子部件密 封用片进行升温直至所述电子部件密封用片在探针初粘试验中的探针初粘力达到l〇gf以 上，将所述电子部件密封用片临时固定于所述电子部件;和 工序E，将所述电子部件埋入所述电子部件密封用片，形成所述电子部件被埋入所述电 子部件密封用片的密封体。2. 如权利要求1所述的电子部件装置的制造方法，其特征在于， 所述电子部件密封用片在探针初粘试验中的探针初粘力在25°C为5gf以下，并且在40 °CSl0gf 以上。3. 如权利要求2所述的电子部件装置的制造方法，其特征在于， 所述工序C是在25°C以下的条件下在所述电子部件上配置所述电子部件密封用片的工 序， 所述工序D是将所述电子部件密封用片升温至40°C以上，将所述电子部件密封用片临 时固定于所述电子部件的工序。4. 一种电子部件密封用片，其特征在于，在探针初粘试验中的探针初粘力在25°C为5gf 以下，并且在40°C为10gf以上。
【文档编号】H01L23/29GK105874583SQ201480070338
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2014年12月22日
【发明人】志贺豪士, 石坂刚, 盛田浩介, 饭野智绘
【申请人】日东电工株式会社